公开了一种用于将已利用UV辐射充电的液体介质施加到基板的设备，其具有：壳体，其具有细长的腔室、具有朝腔室打开的至少一个入口开口、并且具有狭槽状出口开口，其与至少一个入口开口相对定位且其在腔室的长度上延伸；管元件，其沿纵向方向延伸通过腔室且对于UV辐射至少部分透明，管元件布置在腔室中，使得在管元件和腔室的壁之间形成流动空间，流动空间相对于腔室的纵向中心平面对称，纵向中心平面居中贯穿出口开口，以及使得管元件延伸到壳体中的狭槽状出口开口中，且由此在管元件和壳体之间形成两个出口狭槽，其沿纵向方向延伸；以及在管元件中的至少一个UV辐射源，其布置成使UV辐射朝着流动空间的方向且通过出口开口自壳体离开发射。离开发射。离开发射。
【技术实现步骤摘要】
用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置
[0001]本专利技术涉及一种装置，其用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上以便处理该基板，其中，液体在所述装置的区域中被局部地施加到基板的部分地区，以及其中，UV辐射被引入到液体中。本申请为分案申请，其母案申请号为201680049786.3，申请日为2016年8月24日，专利技术名称为“用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置”。
技术介绍
[0002]在半导体技术中，已知例如，光掩模在其生产期间和在其使用期间两者中，必须经受不同处理步骤，尤其是清洁步骤。例如，已知使光掩模经受湿法清洁，在其中，至少局部地在基板上形成液膜，且UV辐射被引入到该液膜中。在半导体晶片的制造期间，还已知用于半导体晶片的对应的清洁步骤。在该情形中，液体和UV辐射匹配成使得大部分UV辐射在液膜中被吸收，以便在液膜中生成有助于清洁的自由基。尤其，已知在例如稀释的过氧化氢水或臭氧水O3‑
H2O中生成羟基自由基。这样的羟基自由基导致来自基板表面的有机材料的选择性溶解，而不损害在基板表面上的金属层（如果其存在的话）。通常，在这样的湿法处理中，用于液体的施加单元（经由其，UV辐射也被引入到液体中）跨越基板移动，使得液体在基板上扫掠。利用自由基的处理主要在施加单元下方进行，因为当施加单元继续移动，且刚刚已用UV辐射辐照的区域不再用UV辐射辐照时，自由基迅速分解。
[0003]适用于该目的的装置例如从本申请的同一申请人的德国专利申请DE 10 2009 058 962 A1已知。尤其，该申请示出根据权利要求1的前序部分的装置。在已知的设计中，高浓度的自由基在施加单元的出口开口下方的纵向中心地区中形成，然而，该浓度朝着横向于出口开口的方向迅速降低。
技术实现思路
[0004]鉴于根据上述申请的装置，本申请的目的是提供自由基在基板的表面上的良好分布。本专利技术与上文提及的德国专利申请DE 10 2009 058 962 A1的设备的区别在于权利要求1的特征部分的额外特征。
[0005]尤其，提供一种用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置，所述装置包括：壳体，其具有细长的腔室、通向所述腔室的至少一个入口开口、和与所述入口开口相对的至少一个狭缝状出口开口，该出口开口在所述腔室的长度上延伸；管元件，其沿纵向方向延伸通过所述腔室，所述管元件对于UV辐射至少部分透明，其中，所述管元件布置在所述腔室中，使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间，所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称，所述纵向中心平面将所述出口开口在其中间剖切，以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的狭缝状出口开口中且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个纵向延伸的出口狭缝；以及在所述管元件中的至少一个UV辐射源，其布置成使UV辐射朝着所述流动空间的方向并通过所述出口开口自所述壳体离开发射。所述装置的特征在于器件，其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且离开所述出口开口
的辐射，使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中，在所述基板的表面上形成自由基的大体上均匀的空间分布。如上文所述，在已知的设计中，在所述出口开口的中心下方的区域中，形成高的自由基浓度，其沿横向于所述出口开口的方向迅速降低。现在能够通过上述器件横向于出口开口来扩大该区域，使得在出口开口的至少50%的下方，形成自由基的大体上均匀的空间分布。如果与该区域中的平均自由基浓度相比较，局部自由基浓度的偏差偏离最多20%，则在这样的区域中的空间分布被认为是均匀的。
[0006]在一个实施例中，所述器件包括所述管元件的平坦部分，其面向所述基板的表面，其能够平行于基板表面布置，其中，所述平坦部分具有对应于所述出口开口的面积的至少50%的面积。由此，能够实现在基板上形成的液膜的均匀厚度，且因此实现辐射的更均匀的强度分布，该辐射在液膜中，尤其是在液膜的边界区域处生成自由基。这使得能够在该区域中在基板表面上设置均匀的自由基浓度。优选地，所述器件包括至少一个光学元件，其布置成使传递通过所述平坦部分的辐射的强度跨所述平坦部分的区域均匀化。
[0007]在替代实施例中，所述管元件具有圆形横截面，且所述器件包括至少一个光学元件，其布置成改变通过所述出口开口和所述管元件离开的辐射的强度，使得强度降低，尤其是朝腔室的纵向中心平面稳定地降低。因此，即使具有不同的层厚度（其在腔室的纵向中心平面的区域中最薄），也能够实现自由基的均匀分布。至少一个光学器件可以包括至少一个镜元件，其布置在所述至少一个辐射源的与所述基板相对的侧处和/或邻近所述辐射源，且其以如下方式朝所述出口开口反射辐射，使得实现强度的上述分布。优选地，所述镜元件相对于所述腔室的纵向中心平面对称。
[0008]在一个实施例中，所述至少一个光学器件可以是在所述管元件内的至少一个箔构件或覆层，其位于所述管元件的布置在所述出口开口中或所述腔室外侧的一部分上或者邻近于所述管元件的布置在所述出口开口中或所述腔室外侧的一部分，其中，所述箔构件和所述覆层具有对于UV辐射在空间上变化的透射比。
[0009]所述至少一个光学器件可以包括所述管元件的至少一部分，其布置在所述出口开口中或在所述腔室外侧，且其具有对于UV辐射在空间上变化的透射比。管元件本身的材料可以实现对辐射强度的分布的相应影响。
[0010]尤其，箔构件、覆层和管元件中的至少一者的透射比能够增加，尤其是从纵向中心平面朝出口狭缝稳定地增加。
[0011]在装置的另外的实施例中，至少一个光学器件包括在管元件内的多个至少三个UV辐射源，其彼此邻近且邻近于管元件的布置在出口开口中或在腔室外侧的一部分定位，其中，邻近的辐射源以不同的辐射强度发射UV辐射，尤其是使得辐射强度朝腔室的纵向中心平面降低。在该实施例中，可以在管元件中提供至少一个分隔元件，其基本上阻止多个UV辐射源朝着流动空间的方向的辐射，且其尤其是反射性的。在本文中，术语“基本上”意思是，多个UV辐射源的辐射的至少90%朝着流动空间的方向被阻止。
附图说明
[0012]下面将在本文中参考附图更详细地解释本专利技术。在附图中：图1示出基板处理装置的示意顶视图，所述基板处理装置具有根据本专利技术的用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置；
图2示出根据本专利技术的装置沿着图1中的线II
‑
II的示意截面视图；图3示出沿着图4中的线III
‑
III截取的示意截面视图，其类似于图2但是示出替代实施例；图4示出图3中示出的本专利技术的替代实施例的壳体沿着图3中的线IV
‑
IV的示意纵向截面视图；图5示出图4的壳体的示意透视图；图6示出图4的壳体的示意顶视图；图7示出夹持支架的示意前视图；图8a和图8b示出在根据本专利技术的装置的出口狭缝的区域中的示意水平截面视图，其解释了夹持支架的作用；图9a至图9c示出通过根据本专利技术的装置的辐射部分的不同构造的示意截面视图，其中，图9a示出普通构造，并且图9b和图9c示出替代本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于将利用UV辐射辐照的液体介质施加到基板上的装置，所述装置包括：壳体，其具有细长的腔室、通向所述腔室的至少一个入口开口、和与所述入口开口相对的至少一个狭缝状出口开口，所述至少一个狭缝状出口开口在所述腔室的长度上延伸；管元件，其沿纵向方向延伸通过所述腔室，所述管元件对于UV辐射至少部分透明，其中，所述管元件布置在所述腔室中，使得在所述管元件和所述腔室的壁之间形成流动空间，所述流动空间相对于所述腔室的纵向中心平面对称，所述纵向中心平面将所述出口开口在其中间剖切，以及使得所述管元件延伸到所述壳体中的所述狭缝状出口开口中，且由此在所述管元件和所述壳体之间形成两个纵向延伸的出口狭缝；以及在所述管元件中的至少一个UV辐射源，其布置成使UV辐射朝着所述流动空间的方向并通过所述出口开口自所述壳体离开发射，以便在所述液体中生成自由基以及将所述自由基带到所述基板的表面；其特征在于：器件，其适用于以如下方式影响通过所述至少一个UV辐射源发射且离开所述出口开口的所述辐射，使得在所述出口开口的至少50%的下方的区域中，在所述基板的所述表面上形成自由基的大体上均匀的空间分布，其中，所述器件包括所述管元件的平坦部分，其面向所述基板的所述表面，其能够平行于基板表面布置，其中，所述平坦部分具有对应...
【专利技术属性】
技术研发人员：P德雷斯，U迪茨，P格拉比茨，
申请(专利权)人：聚斯微技术光掩模设备两合公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。