半导体结构及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体结构及其制作方法，包含一衬底，具有多个凹槽与有源区、多条位线沿着一第一方向等间隔排列在该存储单元区上并往一与该第一方向正交的第二方向延伸，且该位线经由一该凹槽电性连接到该衬底中的一有源区、以及一虚设位线，位于该些位线在该第一方向上的一最外侧并往该第二方向延伸，其中，该虚设位线在该第一方向上的宽度大于该些位线在该第一方向上的宽度，并且该虚设位线的底部不在同一水平面，该虚设位线与该些位线具有同样的组成与层结构。有同样的组成与层结构。有同样的组成与层结构。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法


[0001]本专利技术所公开的实施方式涉及一种半导体结构及其制作方法，更具体来说，其涉及一种具有不同宽度的位线的半导体结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]存储器件是一种集成电路，其通常在计算机系统中用来存储数据，制作成一或多个具有个别存储单元的数组型态。存储器件可使用位线(也可称为数位线、数据线或读出线)与字线(也可称为存取线)来进行写入与读取的动作，其中位线可沿着矩阵的纵列电连接到存储单元，而字线可沿着矩阵的横列电连接到存储单元。每个存储单元都可经由一条位线与一条字线的组合来个别寻址。
[0003]存储器件可为易失性、半易失性或是非易失性性质。在没有供电的情况下，非易失性的存储器件可以存储数据达一段很长的时间，易失性的存储器件所存储的数据则是会消散，因此需要透过不断的刷新/重写来维持其数据存储。存储器件会使用电容器等部件来存储电荷，通过读取电容器的电荷来判定存储单元是位于哪一种存储态，例如“0”或“1的存储态”，以此达到数据存储与读取的目的。存储器件中也会具有晶体管等电子部件来控制栅极的开关以及电荷的存储本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一衬底，该衬底上界定有一存储单元区，且该衬底更具有多个凹槽与有源区；多条位线，沿着一第一方向等间隔排列在该存储单元区上并往一与该第一方向正交的第二方向延伸；以及一虚设位线，位于该些位线在该第一方向上的一最外侧并往该第二方向延伸，其中，该虚设位线在该第一方向上的宽度大于该些位线在该第一方向上的宽度，并且该虚设位线的底部不在同一水平面；该些位线与该虚设位线具有同样的组成与层结构，其从该衬底往上依序包含一接触层、一导电层以及一硬掩膜层，该位线的该接触层位在一该凹槽中并经由该凹槽电性连接到一该有源区且与该凹槽的侧壁形成一第一沟槽，该虚设位线的部分的该接触层位于一该凹槽中并与一该有源区电性连接且与该凹槽的侧壁形成一第二沟槽。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一沟槽的深度与该凹槽的深度相同，该第二沟槽的深度低于该第一沟槽的深度。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该些位线两侧的侧壁上、该虚设位线内侧的侧壁上、该第一沟槽的表面上以及该第二沟槽的表面上形成有一共形的间隔层，且更包含间隔壁形成在该些位线两侧与该虚设位线两侧的侧壁上。4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，该虚设位线内侧的侧壁上的该间隔壁穿过该间隔层与下方该衬底的一该有源区直接接触。5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，该第一沟槽中填有第一位线间隔物，该第二沟槽中填有第二位线间隔物，且更包含间隔壁形成在该些位线两侧的侧壁上、该虚设位线两侧的侧壁上、该第一位线间隔物上以及该第二位线间隔物上。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二位线间隔物的顶面低于该第一位线间隔物的顶面。7.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该第二位线间隔物共形地形成在该第二沟槽表面上，部分的该间隔壁伸入该第二位线间隔物中。8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该虚设位线位于外侧的该间隔壁在该第一方向上的宽度大于该虚设位线的位于内侧的该间隔壁在该第一方向上的宽度以及大于该些位线的该间隔壁在该第一方向上的宽度。9.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，该虚设位线两侧的该些间隔壁的底面不等高。10.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，位于该虚设位线外侧的该间隔壁为单层间隔壁结构，位于该虚设位线内侧的该间隔壁为多层间隔壁结构。11.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包含：提供一衬底，该衬底上界定有一存储单元区，且该衬底更具...

【专利技术属性】
技术研发人员：童宇诚，张钦福，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：