下载半导体结构及其制作方法的技术资料

文档序号:33910566

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本发明公开了一种半导体结构及其制作方法,包含一衬底,具有多个凹槽与有源区、多条位线沿着一第一方向等间隔排列在该存储单元区上并往一与该第一方向正交的第二方向延伸,且该位线经由一该凹槽电性连接到该衬底中的一有源区、以及一虚设位线,位于该些位线在...
该专利属于福建省晋华集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。

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