具有切换传输线负载的移相器制造技术

本文提供了用于具有切换传输线负载的移相器的装置和方法。在某些实施例中，所述移相器包括第一端口、第一可控反射负载、第二端口、第二可控反射负载，以及彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。所述第一可控反射负载或所述第二可控反射负载中的至少一个包括切换传输线负载。反射负载中的至少一个包括切换传输线负载。反射负载中的至少一个包括切换传输线负载。

【技术实现步骤摘要】
具有切换传输线负载的移相器


[0001]本专利技术的实施例涉及电子系统，尤其涉及射频(RF)电子设备。

技术介绍

[0002]移相器用于RF通信系统中，以控制经由天线无线发射或接收的RF信号的相位。
[0003]具有一个或多个移相器的RF通信系统的示例包括但不限于移动电话、平板电脑、基站、网络接入点、客户驻地设备(CPE)、笔记本电脑和可穿戴电子设备。例如，在使用蜂窝标准、无线局域网(WLAN)标准和/或任何其他合适的通信标准进行通信的无线设备中，功率放大器可用于RF信号放大。RF信号可以具有在大约30kHz到300GHz范围内的频率，例如在大约410MHz到大约7.125GHz范围内，用于使用频率范围1(FR1)的第五代(5G)通信或在约24.25GHz至52.6GHz，用于使用频率范围2(FR2)的5G通信。

技术实现思路

[0004]在某些实施例中，本申请涉及一种移相器。所述移相器包括第一端口、第二端口、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路(shunt)开关的第一可控反射负载、第二可控反射负载以及彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线，以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
[0005]在一些实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体，以及在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
[0006]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
[0007]在各种实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
[0008]在一些实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
[0009]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
[0010]在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
[0011]在一些实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
[0012]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施
例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
[0013]在各种实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据一些实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
[0014]在若干实施例中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
[0015]在一些实施例中，所述移相器还包括混合耦合器(hybrid coupler)，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
[0016]在某些实施例中，本申请涉及一种无线设备。所述无线设备包括收发器和耦接到所述收发器的前端系统。所述前端系统包括移相器，所述移相器包括第一端口、第二端口、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关的第一可控反射负载、第二可控反射负载以及彼此电磁耦合的一对耦合线。所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。
[0017]在各种实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据多个实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
[0018]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。
[0019]在一些实施例中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。
[0020]在各种实施例中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。
[0021]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
[0022]在一些实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
[0023]在各种实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有共同的尺寸。
[0024]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。根据多个实施例，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。
[0025]在一些实施例中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。根据各种实施例，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。
[0026]在若干实施例中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。
[0027]在各种实施例中，所述移相器还包括混合耦合器，所述混合耦合器包括所述一对耦合线。
[0028]在某些实施例中，本申请涉及一种相移的方法。所述方法包括在第一端口处接收
射频输入信号。所述方法还包括控制第一可控反射负载和第二可控反射负载，以控制在第二端口处射频输出信号的相移，所述第一可控反射负载包括第一传输线和沿所述第一条传输线连接的第一多个旁路开关。所述方法还包括提供在一对耦合线中的第一导线和第二导线之间的耦合，所述第一导线连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间，所述第二导线连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间。
[0029]在各种实施例中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。根据若干实施例，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。
[0030]在多个实施例中，所述方法还包括基于所述移相器的相移设置来闭合所述第一多个旁路开关中的一个或多个。
[0031]在若干实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。
[0032]在各种实施例中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。根据多个实施例，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种移相器，包括：第一端口和第二端口；第一可控反射负载，包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关；第二可控反射负载；以及彼此电磁耦合的一对耦合线，所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。2.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一传输线的第一侧上的第一接地导体、以及在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。3.根据权利要求2所述的移相器，其中，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。4.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。5.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一端口接收射频输入信号，并且所述第二端口提供相移射频输出信号。6.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二端口接收射频输入信号，并且所述第一端口提供相移射频输出信号。7.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。8.根据权利要求7所述的移相器，其中，所述多个点的相邻对之间的距离沿着所述第一传输线的长度逐渐减小。9.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。10.根据权利要求9所述的移相器，其中，所述第一多个旁路晶体管的尺寸沿着所述第一传输线的长度逐渐增加。11.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第一传输线包括多个弯曲部分。12.根据权利要求11所述的移相器，其中，所述多个弯曲部分中的至少一个包括环路。13.根据权利要求1所述的移相器，其中，所述第二可控反射负载包括第二传输线和沿所述第二传输线连接的第二多个旁路开关。14.一种无线设备，包括：收发器；以及耦接到所述收发器的前端系统，所述前端系统包括移相器，所述移相器包括第一端口、第二端口、包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关的第一可控反射负载、第二可控反射负载、以及彼此电磁耦合的一对耦合线，所述一对耦合线包括连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间的第一导线、以及连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间的第二导线。15.根据权利要求14所述的无线设备，其中，所述第一可控反射负载还包括在所述第一
传输线的第一侧上的第一接地导体和在所述第一传输线的第二侧上的第二接地导体。16.根据权利要求15所述的无线设备，其中，所述第一多个旁路开关中的每一个被实现为一对场效应晶体管，所述一对场效应晶体管包括连接在所述第一传输线和所述第一接地导体之间的第一场效应晶体管、以及连接在所述第一传输线和所述第二接地导体之间的第二场效应晶体管。17.根据权利要求14所述的无线设备，其中，所述第一多个旁路开关中的一个或多个基于所述移相器的相移设置而闭合。18.根据权利要求14所述的无线设备，其中，所述第一多个旁路开关在彼此具有不均匀距离的多个点处连接到所述第一传输线。19.根据权利要求14所述的无线设备，其中，所述第一多个旁路开关每个都具有不同的尺寸。20.一种相移的方法，所述方法包括：在第一端口处接收射频输入信号；控制第一可控反射负载和第二可控反射负载，以控制第二端口处射频输出信号的相移，所述第一可控反射负载包括第一传输线和沿所述第一传输线连接的第一多个旁路开关；以及提供在一对耦合线中的第一导线和第二导线之间的耦合，所述第一导线连接在所述第一端口和所述第一可控反射负载之间，所述第二导线连接在所述第二可控反射负载和所述第二端口之间。21.一种移相器，包括：耦合器，其包括输入端子、直通端子、连接在所述输入端子和所述直通端子之间的第一耦合线、隔离端子、耦合端子以及连接在所述隔离端子和所述耦合端子之间的第二耦合线；输入端口，其连接到所述耦合器的输入端子并配置为接收射频输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：M，
申请(专利权)人：天工方案公司，
类型：发明
国别省市：