晶片制造装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供晶片制造装置，其能够防止晶片的品质降低。晶片制造装置包含：锭磨削单元，其对锭的上表面进行磨削而进行平坦化；激光照射单元，其在距离锭的上表面相当于要制造的晶片的厚度的深度形成剥离层；晶片剥离单元，其对锭的上表面进行保持而从剥离层剥离晶片；托盘，其具有锭支承部和晶片支承部；以及传送带单元，其在锭磨削单元、激光照射单元以及晶片剥离单元之间搬送托盘所支承的锭。剥离单元之间搬送托盘所支承的锭。剥离单元之间搬送托盘所支承的锭。

【技术实现步骤摘要】
晶片制造装置


[0001]本专利技术涉及从半导体锭制造晶片的晶片制造装置。

技术介绍

[0002]IC、LSI、LED等器件是在以Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)等作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。另外，功率器件、LED等是在以单晶SiC(碳化硅)作为原材料的晶片的正面上层叠功能层并由交叉的多条分割预定线划分而形成的。形成有器件的晶片通过切削装置、激光加工装置对分割预定线实施加工而分割成各个器件芯片，分割得到的各器件芯片被用于移动电话或个人计算机等电子设备。
[0003]形成器件的晶片通常利用线切割机将圆柱形状的半导体锭薄薄地切断而制造。切断的晶片的正面和背面通过研磨而精加工成镜面(例如参照专利文献1)。但是，当利用线切割机将半导体锭切断并对切断的晶片的正面和背面进行研磨时，半导体锭的大部分(70％～80％)会被舍弃，存在不经济的问题。特别是单晶SiC锭的硬度高，难以利用线切割机进行切断，需要相当多的时间，因此生产率差，并且单晶SiC锭的单价高，在高效地制造晶片的方面具有课题。
[0004]因此，提出了如下的技术：将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于单晶SiC锭的内部，对单晶SiC锭照射激光光线而在切断预定面形成剥离层，沿着形成有剥离层的切断预定面从单晶SiC锭剥离晶片(例如参照专利文献2)。
[0005]另外，在专利文献2中公开了高效地实施下述一系列作业的技术：在传送带上始终载置数个(例如4个)收纳有锭的搬送托盘，搬送至各加工单元而从锭制造晶片，将所制造的晶片收纳于与锭相同的搬送托盘，在晶片搬出区域中，将晶片收纳于与锭相关联的盒中。
[0006]专利文献1：日本特开2000
‑
94221号公报
[0007]专利文献2：日本特开2020
‑
72098号公报
[0008]但是，存在如下的问题：有时即使实施通过磨削构件对半导体锭的上表面进行平坦化的加工，半导体锭的上表面也未被充分平坦化，在这样的情况下，接下来无法将形成剥离层的激光光线的聚光点定位于半导体锭内部的适当的位置，会使要从半导体锭剥离的晶片的品质降低。

技术实现思路

[0009]由此，本专利技术的目的在于提供能够防止晶片的品质降低的晶片制造装置。
[0010]根据本专利技术，提供晶片制造装置，其从半导体锭制造晶片，其中，该晶片制造装置具有：锭磨削单元，其包含第一保持工作台和磨削构件，该第一保持工作台对该半导体锭进行保持，该磨削构件对该第一保持工作台所保持的该半导体锭的上表面进行磨削而进行平坦化；激光照射单元，其包含第二保持工作台和激光照射构件，该第二保持工作台对该半导体锭进行保持，该激光照射构件将对于该半导体锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离该第二保持工作台所保持的该半导体锭的上表面相当于要制造的晶片的厚度
的深度，对该半导体锭照射激光光线而形成剥离层；晶片剥离单元，其包含第三保持工作台和晶片剥离构件，该第三保持工作台对该半导体锭进行保持，该晶片剥离构件对该第三保持工作台所保持的该半导体锭的上表面进行保持而从剥离层剥离晶片；托盘，其包含锭支承部和晶片支承部，该锭支承部对该半导体锭进行支承，该晶片支承部对所剥离的晶片进行支承；传送带单元，其在该锭磨削单元、该激光照射单元以及该晶片剥离单元之间搬送该托盘所支承的该半导体锭；以及品质检查单元，其与该传送带单元相邻地配设。
[0011]优选该品质检查单元包含：照明器；拍摄单元，其接受该照明器的光在晶片的上表面上发生了反射的反射光；以及缺陷检测单元，其对该拍摄单元所拍摄的图像进行处理而检测缺陷。优选该品质检查单元包含：照明器；拍摄单元，其接受该照明器的光在半导体锭的上表面上发生了反射的反射光；以及缺陷检测单元，其对该拍摄单元所拍摄的图像进行处理而检测缺陷。
[0012]根据本专利技术的晶片制造装置，与传送带单元相邻地配设品质检查单元，因此能够防止晶片的品质降低。
附图说明
[0013]图1是本专利技术实施方式的晶片制造装置的立体图。
[0014]图2是图1所示的锭磨削单元的立体图。
[0015]图3是图2所示的锭磨削单元的局部放大立体图。
[0016]图4是图1所示的激光照射单元的立体图。
[0017]图5是图4所示的激光照射构件的框图。
[0018]图6是图1所示的晶片剥离单元的立体图。
[0019]图7是图6所示的晶片剥离单元的局部剖视图。
[0020]图8是图1所示的托盘的立体图。
[0021]图9是图1所示的晶片制造装置的局部立体图。
[0022]图10的(a)是升降板位于通过位置的状态的托盘止挡件的立体图，图10的(b)是升降板位于停止位置的状态的托盘止挡件的立体图，图10的(c)是升降板位于离开位置的状态的托盘止挡件的立体图。
[0023]图11的(a)是与图10的(a)所示的状态对应的托盘止挡件等的剖视图，图11的(b)是与图10的(b)所示的状态对应的托盘止挡件等的剖视图，图11的(c)是与图10的(c)所示的状态对应的托盘止挡件等的剖视图。
[0024]图12的(a)是升降板位于上升位置的状态的搬送构件的立体图，图12的(b)是升降板位于下降位置的状态的搬送构件的立体图。
[0025]图13是图1所示的锭贮存器的立体图。
[0026]图14是图1所示的锭交接单元的立体图。
[0027]图15是将图13所示的锭贮存器和图14所示的锭交接单元组合的状态的立体图。
[0028]图16是示出联结器部的变形例的立体图。
[0029]图17的(a)是示出利用图1所示的品质检查单元对锭的品质进行检查的状态的立体图，图17的(b)是示出利用图1所示的品质检查单元对锭的品质进行检查的状态的侧视图，图17的(c)是利用图17的(a)所示的拍摄单元进行拍摄而得的锭上表面的图像的示意
图。
[0030]图18的(a)是示出利用图1所示的品质检查单元对晶片的品质进行检查的状态的立体图，图18的(b)是示出利用图1所示的品质检查单元对晶片的品质进行检查的状态的侧视图，图18的(c)是利用图18的(a)所示的拍摄单元进行拍摄而得的晶片上表面的图像的示意图。
[0031]图19的(a)是锭的主视图，图19的(b)是锭的俯视图，图19的(c)是锭的立体图。
[0032]图20是示出将锭搬送至激光照射单元的第二保持工作台的状态的立体图。
[0033]图21的(a)是示出实施剥离层形成工序的状态的立体图，图21的(b)是示出实施剥离层形成工序的状态的主视图。
[0034]图22的(a)是形成有剥离层的锭的俯视图，图22的(b)是图22的(a)中的B
‑
B线剖视图。
[0035]图23的(a)是示出液槽体位于晶片剥离单元的第三保持工作台的上方的状态的立体图，图23的(b)是示出液槽体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片制造装置，其从半导体锭制造晶片，其中，该晶片制造装置具有：锭磨削单元，其包含第一保持工作台和磨削构件，该第一保持工作台对该半导体锭进行保持，该磨削构件对该第一保持工作台所保持的该半导体锭的上表面进行磨削而进行平坦化；激光照射单元，其包含第二保持工作台和激光照射构件，该第二保持工作台对该半导体锭进行保持，该激光照射构件将对于该半导体锭具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于距离该第二保持工作台所保持的该半导体锭的上表面相当于要制造的晶片的厚度的深度，对该半导体锭照射激光光线而形成剥离层；晶片剥离单元，其包含第三保持工作台和晶片剥离构件，该第三保持工作台对该半导体锭进行保持，该晶片剥离构件对该第三保持工作台所保持的该半导体锭的上表面进行保持而从剥离层剥...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本凉兵，平田和也，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：