【技术实现步骤摘要】
半导体存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月22日提交的韩国专利申请No.10
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2020
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0180502的优先权，其公开内容通过引用整体合并于此。
[0003]本公开涉及半导体存储器件。半导体存储器件可以包括垂直沟道晶体管(VCT)。
技术介绍
[0004]为了满足消费者对优异性能和低价格的需求，提高半导体存储器件的集成度可能是有利的。在半导体存储器件的情况下，因为集成度是决定产品价格的重要因素，所以增加密度可能是特别有利的。
[0005]在二维或平面的半导体存储器件的情况下，集成度主要由单位存储单元所占据的面积确定，因此受精细图案形成技术水平的极大影响。然而，由于为了使图案小型化而会使用超昂贵的装置，因此二维半导体存储器件的集成度可以增加，但仍受到限制。因此，提出了包括其沟道在垂直方向上延伸的VCT的半导体存储器件。
技术实现思路
[0006]本专利技术构思的各方面提供了性能和可靠性改善的半导体存储器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：导电线，所述导电线在衬底上在第一方向上延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单元沟槽，并且位于所述衬底上；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极在所述第一方向上彼此间隔开并且均在所述第二方向上延伸，并且位于所述单元沟槽内部；沟道层，所述沟道层位于所述单元沟槽内部并电连接到所述导电线，并且位于所述第一栅电极和所述第二栅电极上；以及栅极绝缘层，所述栅极绝缘层介于所述第一栅电极和所述沟道层之间以及所述第二栅电极和所述沟道层之间。2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述沟道层包括氧化物半导体材料。3.根据权利要求2所述的半导体存储器件，其中，所述氧化物半导体材料包括氧化铟镓锌。4.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述第一栅电极和所述第二栅电极均介于所述层间绝缘膜和所述沟道层之间。5.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述沟道层包括：穿透部分，所述穿透部分穿透所述层间绝缘膜并电连接到所述导电线，并且位于所述第一栅电极和所述第二栅电极之间；第一延伸部分，所述第一延伸部分沿着所述第一栅电极的侧表面从所述穿透部分延伸；以及第二延伸部分，所述第二延伸部分沿着所述第二栅电极的侧表面从所述穿透部分延伸。6.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述第一延伸部分和所述第二延伸部分在所述单元沟槽内部彼此面对，其中，所述第一延伸部分包括具有所述第一栅电极的第一晶体管的第一沟道区，并且其中，所述第二延伸部分包括具有所述第二栅电极的第二晶体管的第二沟道区。7.根据权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述第一延伸部分还沿着所述第一栅电极的上表面延伸，并且其中，所述第二延伸部分还沿着所述第二栅电极的上表面延伸。8.根据权利要求5所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：绝缘膜，所述绝缘膜位于所述单元沟槽内部并具有比氧化硅的介电常数小的介电常数，并且位于所述第一延伸部分和所述第二延伸部分之间。9.根据权利要求5所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：空隙，所述空隙位于所述第一延伸部分和所述第二延伸部分之间。10.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：第一电容器结构，所述第一电容器结构电连接到所述沟道层的与所述第一栅电极相邻的第一端；以及第二电容器结构，所述第二电容器结构电连接到所述沟道层的与所述第二栅电极相邻并且与所述第一端相对的第二端。
11.根据权利要求10所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：第一定位焊盘，所述第一定位焊盘电连接所述沟道层的所述第一端和所述第一电容器结构；以及第二定位焊盘，所述第二定位焊盘电连接所述沟道层的所述第二端和所述第二电容器结构。12.根据权利要求1所述的半导体存储器件，所述半导体存储器件还包括：外围电路元件，所述外围电路元件电连接...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炅奂，金容锡，金一权，金熙中，赵珉熙，弘载昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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