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提供了性能和可靠性改善的半导体存储器件。所述半导体存储器件包括：导电线，所述导电线在衬底上在第一方向上延伸；层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的单元沟槽，并且位于所述衬底上；第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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