【技术实现步骤摘要】
一种金属纳米线阵列的电化学制备方法
[0001]本专利技术涉及一种金属纳米线阵列的生长方法,涉及绝缘表面的电化学沉积工艺,尤其涉及一种金属纳米线阵列的电化学制备方法。
技术介绍
[0002]在现代器件制造技术中,越来越高的集成度带来了高密度的纳米线阵列的需求。纳米线阵列的线宽、周期等成为它应用的一个重要指标,这对纳米线阵列的制备方法提出了较高的要求。传统光刻法由于受到光学衍射极限的限制,分辨率与光源的波长相当,很难达到100nm以下。电子束曝光技术在分辨率上可以达到很高的要求,但是存在着成本过高、制备效率低等缺点。基于高分子线条或阳极氧化氧化铝模板,可以实现规则的纳米结构的制备,在成本方面比较有优势,但是该方法依赖于模板的机械支撑,一旦模板去除,有序纳米线结构将被破坏,且模板很难实现重复利用。因此,一种成本低廉、分辨率高、制备效率高、可控性强的微纳金属纳米线制备技术,是一项亟需解决的技术难题。
[0003]电化学生长方法(或称电化学沉积方法)成本低、操作简单、效率高。然而,电化学生长方法往往需要导电的表面作为阴极基底 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种金属纳米线阵列的电化学制备方法,其特征在于,包括以下步骤:提供一种电解池,所述电解池为三明治结构,包括均具有绝缘表面且绝缘表面相对布置的上下衬底,以及布置在上下衬底之间的阴阳电极和电解液;调节电解池内电解液的温度使电解液凝结;通过电源信号驱动电解池内阴阳电极之间发生电化学沉积,沉积物在电解液中自阴极向阳极进行电化学生长,生长结束后得到表面具有周期脊线结构的金属薄膜;所述电源信号由周期信号组成;断开电源信号后,连同衬底一起取出金属薄膜,并去除金属薄膜表面残余电解液;对所述金属薄膜进行表面刻蚀,直至刻蚀掉脊线之外的区域,以形成周期排布的脊线结构,即目标金属纳米线阵列。2.如权利要求1所述的电化学制备方法,其特征在于,通过所述周期信号的频率和振幅调节金属薄膜中脊线结构的周期、宽度和高度。3.如权利要求1所述的电化学制备方法,其特征在于,所述电解液为至少一种金属盐组成,电解液的浓度为0.01~0.1mol/L。4.如权利要求3...
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