【技术实现步骤摘要】
一种IBC电池的制备方法以及IBC电池
[0001]本专利技术属于电池
，涉及一种IBC电池的制备方法以及IBC电池。
技术介绍
[0002]IBC(Interdigitated back contact)电池是全背电极接触晶硅太阳电池的简称，其正面无栅线，背面正负金属栅线呈指状交叉排列。为了提升IBC电池的效率，研究人员通常将其与HJT电池结合制成HBC电池或者与Pascon电池结合制成polo
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IBC电池。
[0003]现有polo
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IBC电池的制备方法涉及多步掩膜及清洗步骤，制程复杂且容易引入污染。磷扩与硼扩需要分两次高温运行，两次高温会降低硅片的质量，且高温过程容易引入金属杂质污染。
[0004]因此，在本领域中期望开发一种过程简单可控并且能够保证硅片质量的IBC电池的制备方法。
技术实现思路
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种IBC电池的制备方法以及IBC电池，所述制备方法过程简单，有利于提升开压与FF，降低串阻...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：(1)双面制绒、(2)磷扩吸杂、(3)双面去PSG、(4)双面制绒、(5)双面磷扩、(6)背面抛光、(7)背面生长本征非晶硅层、(8)背面离子注入、(9)激光开窗和(10)后处理；其中所述磷扩吸杂为在磷扩管中，通入磷源和氧气，800℃～920℃运行10min～20min，对硅片进行吸杂处理；所述背面离子注入为在硅片背面的本征非晶硅层表面用离子注入的方式引入硼元素，随后用图案掩膜，在图案镂空区域离子注入磷元素；所述激光开窗为利用激光在离子注入硼区域和离子注入磷区域的交界处开窗，将P区与N区隔离开。2.根据权利要求1所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，所述磷扩吸杂步骤中磷源为POCl3、PH3或PO(CH3O)3中的任意一种，优选POCl3；优选地，所述通入磷源是由载气载带磷源而实现的，所述载气优选氮气；优选地，所述背面离子注入时磷元素浓度为硼元素浓度的2～2.5倍；优选地，所述磷扩吸杂时运行温度为900℃，运行时间为15min。3.根据权利要求1或2所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述双面制绒为使用碱液对N型单晶硅片进行双面碱制绒，所述碱液优选KOH溶液、NaOH溶液或四甲基氢氧化铵溶液；优选地，所述碱液的浓度为0.5％～3％，优选2％；优选地，所述N型单晶硅片的电阻率0.3～7Ω
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cm，优选电阻率1～3Ω
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cm；优选地，步骤(1)所述双面制绒的金字塔大小为2～4μm；在本发明中，步骤(1)所述的双面制绒为粗抛；优选地，步骤(1)所述双面制绒后进行清洗。4.根据权利要求1
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3中任一项所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述双面去PSG在链式去PSG机台上进行；优选地，步骤(4)所述双面制绒为使用碱液对去除PSG后的硅片进行双面碱制绒，所述碱液优选KOH溶液、NaOH溶液或四甲基氢氧化铵溶液；优选地，所述碱液的浓度为0.5％～3％，优选2％；优选地，步骤(4)所述双面制绒的金字塔大小为0.5～5μm，优选1～3μm；优选地，步骤(4)所述双面制绒后进行清洗。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤(5)所述双面磷扩为利用磷源在磷扩管中进行双面磷扩散；优选地，所述磷源为POCl3、PH3或PO(CH3O)3中的任意一种，优选POCl3；优选地，所述磷源在磷扩管中进行双面磷扩散是由载气载带磷源而实现的，所述载气优选氮气。6.根据权利要求1
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5中任一项所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤(6)所述背面抛光为利用酸液对双面磷扩后的硅片进行背面酸抛处理或者利用碱液对双面磷扩后的硅片进行背面碱抛处理；优选地，所述酸液为氢氟酸或者硝酸，浓度为20％～33％，优选25％；优选地，所述碱液为KOH溶液，浓度为8％～16％，优选14％；优选地，步骤(6)所述背面抛光后进行清洗。7.根据权利要求1
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6中任一项所述的IBC电池的制备方法，其特征在于，步骤(7)所述背
面生长本征非晶硅层为利用LPCVD设备生长热氧化层与本征非晶硅；优选地，所述生长热氧化层为在578℃生长1nm～2nm...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨慧，邓伟伟，蒋方丹，
申请(专利权)人：阿特斯阳光电力集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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