一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置制造方法及图纸

一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置，包括炉台主体，炉台主体包括上侧的刚玉承烧板、支柱架设结构和下侧的保温层，保温层底部连接设有气室，气室内部设有气室中间隔板，气室中间隔板将气室分隔为气室上层和气室下层，气室中间隔板四角处分别设有隔板气孔，气室下侧壁中部连接设有外部氧气进口，气室上侧壁均匀连接设有若干组进气套管，进气套管与气室上层相连通，进气套管另一端插接设有进气支管。本实用新型专利技术与现有技术相比优点在于：本专利提供的大型ITO平面靶烧结炉进气方法，区别于行业内通常采用的侧壁进气方式，采用了炉底气室快速预热，并分配至炉台进气支管均匀柔和进入炉膛。提高了能源利用率；减少了靶材变形开裂的风险，采用低流速整体氧气使用量节省30%。采用低流速整体氧气使用量节省30%。采用低流速整体氧气使用量节省30%。

【技术实现步骤摘要】
一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置


[0001]本技术涉及靶材制造
，特别涉及一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置。

技术介绍

[0002]ITO(氧化铟锡)半导体薄膜具有优异的电学和光学性能，电阻率可达10
‑
4Ω
•
cm，可见光透过率高达85%~90%以上，紫外光吸收率85%以上，红外光的反射率80%以上，并且膜层强度高，加工性好，因此被广泛的应用于液晶显示器 ( LCD) 、高触摸屏 ( Touch Panel) 、等离子管显示器 ( PDP) 等产品，所以对ITO靶材的需求量与日俱增。
[0003]在ITO靶材的生产中，烧结对靶材质量起着关键性作用，尤其是烧结过程中的气均匀性，流速流场的稳定性等。

技术实现思路

[0004]针对现有技术中的上述不足，本技术提供了一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置，包括炉台主体，所述炉台主体包括上侧的刚玉承烧板、支柱架设结构和下侧的保温层，所述保温层底部连接设有气室，所述气室内部设有气室中间隔板，所述气室中间隔板将气室分隔为气室上层和气室下层，所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置，包括炉台主体（1），其特征在于：所述炉台主体（1）包括上侧的刚玉承烧板、支柱架设结构（1.1）和下侧的保温层（1.2），所述保温层（1.2）底部连接设有气室（2），所述气室（2）内部设有气室中间隔板（5），所述气室中间隔板（5）将气室（2）分隔为气室上层（3）和气室下层（4），所述气室中间隔板（5）四角处分别设有隔板气孔（9），所述气室（2）下侧壁中部连接设有外部氧气进口（6），所述气室（2）上侧壁均匀连接设有若干组进气套管（7），所述进气套管（7）与气室上层（3）相连通，所述进气套管（7）另一端插接设有进气支管（8）。2.根据权利要求1所述的一种大型ITO平面靶烧结炉进气装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玉军，杨建新，刘洪福，刘志江，
申请(专利权)人：河北惟新科技有限公司，
类型：新型
国别省市：