一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置，该碳化硅晶片贴蜡方法包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对陶瓷盘进行加热；待陶瓷盘达到预设温度时，在碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，待涂蜡表面为碳化硅晶片远离陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将具有蜡层的碳化硅晶片置于达到预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与陶瓷盘的粘合；其中，蜡层朝向陶瓷盘。本发明专利技术采用辅助贴蜡装置手动对碳化硅晶片进行贴蜡，降低对工人贴蜡熟练度的要求，能够在手动贴蜡中消除气泡，实现手动贴蜡的高效以及提高贴片成品率。及提高贴片成品率。及提高贴片成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置


[0001]本专利技术涉及半导体晶片贴蜡
，特别涉及一种碳化硅晶片贴蜡方法和辅助贴蜡装置。

技术介绍

[0002]目前在碳化硅晶片的上游贴蜡加工领域，传统的贴蜡装置需经过加热、上蜡、贴片、压片、下蜡等多个步骤，效率低。尽管市面上也已有效率较高的自动贴片设备，但该设备价格高昂，且在前期研发阶段或在下游厂商测试产品性能的阶段，由于贴片数量不大，工程师在进行实验时仍无法避免手动贴蜡。
[0003]现有传统晶片手动贴蜡的工艺，需事先将陶瓷盘加热至一定温度，确保粘接蜡能够融化，在陶瓷盘外围需要贴蜡的位置完成蜡层的涂布，且该涂蜡面积大于晶片面积，然后将需要粘接的晶片置于液态蜡层之上，使晶片的表面最终全面覆盖蜡层，完成上蜡操作。蜡熔化后，利用贴蜡机气缸压力压实晶片时，鉴于蜡层的厚度和工人贴片熟练度的不同，晶片周围空气易造成上蜡气泡，如果压实晶片过程中无法及时排出空气就会在蜡层中间造成气泡残留。因此传统手动贴蜡方式不利于晶片贴蜡成品率，不仅降低了工作效率，还增加了企业成本。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，包括：利用辅助贴蜡装置将碳化硅晶片置于陶瓷盘上，并对所述陶瓷盘进行加热；待所述陶瓷盘达到预设温度时，在所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置进行涂蜡；其中，所述待涂蜡表面为所述碳化硅晶片远离所述陶瓷盘的一面；利用辅助贴蜡装置将涂蜡的碳化硅晶片从所述陶瓷盘上取下并进行冷却，得到具有蜡层的碳化硅晶片；利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合；其中，所述蜡层朝向所述陶瓷盘。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述预设温度为80～140℃。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述涂蜡采用固体粘接蜡。4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合，包括：将达到所述预设温度的陶瓷盘置于震动装置上，待所述蜡层融化后，以通过所述震动装置将所述蜡层铺展至整个碳化硅晶片，实现碳化硅晶片与所述陶瓷盘的粘合。5.根据权利要求1至4中任一所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述辅助贴蜡装置上设有通孔，且所述通孔与所述碳化硅晶片的待涂蜡表面的中心位置相对应。6.根据权利要求5所述的碳化硅晶片贴蜡方法，其特征在于，所述利用辅助贴蜡装置将所述具有蜡层的碳化硅晶片置于达到所述预设温度的陶瓷盘上，以实现碳化硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：张泽盛，张世博，
申请(专利权)人：北京晶格领域半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：