一种IPD新型电感制造技术

本实用新型专利技术涉及电子通信技术领域，具体涉及一种IPD新型电感。该IPD新型电感包括屏蔽罩，屏蔽罩两侧的输入端、输出端和塑封在屏蔽罩内部的电感器，其中电感器包括设置在衬底基板的之形电感本体和SMT贴片封装的输出引脚、输入引脚,输出引脚、输入引脚通过金丝绑定的方式与输出端和输入端对应连接。本实用新型专利技术的IPD新型电感能够比传统平面螺旋电感在相同电感量的情况下具有更高的Q值，提高了电感谐振特性效率和电感品质。特性效率和电感品质。特性效率和电感品质。

【技术实现步骤摘要】
一种IPD新型电感


[0001]本技术涉及电子通信
，具体涉及一种IPD新型电感。

技术介绍

[0002]电感器(Inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件。电感器的结构类似于变压器，但只有一个绕组。电感器具有一定的电感，它只阻碍电流的变化。如果电感器在没有电流通过的状态下，电路接通时它将试图阻碍电流流过它；如果电感器在有电流通过的状态下，电路断开时它将试图维持电流不变。电感Q值也叫电感的品质因数，是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。
[0003]现在半导体的高Q(High
‑
Q
TM
)集成无源器件(IPD)工艺，非常适合生产无线及射频应用中所用的无源器件；IPD工艺支持精密电感、精密电容及精密电阻的制造。在IPD工艺的设计中传统的平面螺旋电感在同一频率的交流电下工作时，所呈现的Q值太低；因此我们对此做出改进，提出一种IPD之形的新型电感。

技术实现思路

[0004]本技术针对现有技术的不足，提供一种性能可靠的IPD新型电感，能够在相同电感量的情况下具有更高的Q值，提高电感谐振特性。
[0005]本技术的技术方案是这样实现的：一种IPD新型电感，包括屏蔽罩、屏蔽罩两侧的输入端、输出端和塑封在屏蔽罩内部的电感器，其特征在于，所述电感器包括设置在衬底基板的之形电感本体和SMT贴片封装的输入引脚、输出引脚,所述输入引脚、输出引脚通过金丝绑定的方式与输入端和输出端对应连接，所述之形电感本体表面设有保护层。
[0006]所述之形电感本体包括设置在衬底基板上、下表面的若干有序排列的带状线和TSV硅通孔；上、下表面的各带状线依次通过对应的TSV硅通孔电连接形成所述的之形电感本体，各带状线表面通过沉积工艺制出一层厚度为10微米～ 20微米的氮化硅保护层。
[0007]较优的，所述屏蔽罩由塑料或环氧树脂制成，在屏蔽罩两端设置有输入电极和输出电极。
[0008]所述衬底基板为玻璃、硅、氧化铝、砷化镓或氮化镓半导体材料。
[0009]本技术解决了
技术介绍
中存在的缺陷,具有以下有益效果：
[0010]本技术通过TSV封装结构，将衬底基板上的带状线通过硅通孔连接为之形电感本体，使得该IPD新型电感能够比传统平面螺旋电感在相同电感量的情况下具有更高的Q值，提高了电感谐振特性和电感品质。
附图说明
[0011]为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅
是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0012]图1为IPD新型电感的整体示意图；
[0013]图2为图1中电感器的示意图；
[0014]图3为IPD新型电感衬底基板上表面电路示意图；
[0015]图4为IPD新型电感衬底基板下表面电路示意图；
[0016]图5为电感器的带状线连接示意图；
[0017]图6为IPD新型电感的电感Q值参数仿真结果；
[0018]图7为IPD新型电感的电感量值参数仿真结果。
[0019]图中：1
‑
输入端，2
‑
输出端，3
‑
金丝，4
‑
屏蔽罩，5
‑
电感器，51
‑
衬底基板， 52
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输入引脚，53
‑
输出引脚，54
‑
带状线，55
‑
TSV硅通孔，56
‑
氮化硅保护层。
具体实施方式
[0020]如图1至图5所示，本技术的IPD新型电感包括屏蔽罩4、屏蔽罩两侧的输入端1、输出端2和塑封在屏蔽罩4内部的电感器5，其特征在于，所述电感器5包括设置在衬底基板51的之形电感本体和SMT贴片封装的输入引脚52、输出引脚53,所述输入引脚52、输出引脚53通过金丝3绑定的方式与输入端1和输出端2对应连接，所述之形电感本体表面设有保护层。之形电感本体包括设置在衬底基板51上、下表面的若干有序排列的带状线54和TSV硅通孔55；上、下表面的各带状线54依次通过对应的TSV硅通孔55电连接形成所述的之形电感本体，各带状线54表面通过沉积工艺制出一层厚度为10微米～20微米的氮化硅保护层56。屏蔽罩4由塑料或环氧树脂制成，在屏蔽罩4两端设置有输入电极和输出电极，输入电极和输出电极与输入端1和输出端2对应连接。衬底基板51为玻璃、硅、氧化铝、砷化镓或氮化镓半导体材料制成。
[0021]如图6和图7所示，本技术小型化高性能的IPD的电感Q值和电感量值的值参数仿真结果。图6中电感的Q值44，图7中电感量为6.8nH，电感自谐振频率为8GHz。可见，本技术通过TSV封装结构，将衬底基板51上的带状线54通过TSV硅通孔55连接为之形电感本体，使得该IPD新型电感能够比传统平面螺旋电感在相同电感量的情况下具有更高的Q值，提高了电感谐振特性和电感品质。
[0022]以上所述仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种IPD新型电感，包括屏蔽罩(4)、屏蔽罩(4)两侧的输入端(1)、输出端(2)和塑封在屏蔽罩(4)内部的电感器(5)，其特征在于，所述电感器(5)包括设置在衬底基板(51)上的之形电感本体和SMT贴片封装的输入引脚(52)、输出引脚(53),所述输入引脚(52)、输出引脚(53)通过金丝(3)绑定的方式与输入端(1)和输出端(2)对应连接，所述之形电感本体表面设有保护层。2.根据权利要求1所述的IPD新型电感，其特征在于：所述之形电感本体包括设置在衬底基板(51)上、下表面的若干有...

【专利技术属性】
技术研发人员：刑孟江，代传相，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：新型
国别省市：