滤波器元件制造技术

本实用新型专利技术提供一种滤波器元件。第1及第2线圈(L1、L2)在基材层的层叠方向上具有卷绕轴，相互进行磁场耦合，第1及第2电容器(C1、C2)在层叠方向上配置在层叠体的与第1及第2线圈(L1、L2)的形成层范围不同的层，第1及第2线圈(L1、L2)以彼此的卷绕方向相反的关系被串联连接，在第1及第2线圈(L1、L2)的串联电路并联连接第2电容器(C2)，第1电容器(C1)连接在第1与第2线圈(L1、L2)的连接位置和基准电位电极之间，由通过第1与第2线圈(L1、L2)的耦合而产生的互感(M)和第1电容器(C1)形成第1衰减极，由所述串联电路和第2电容器(C2)的并联连接电路形成第2衰减极。形成第2衰减极。形成第2衰减极。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤波器元件


[0001]本技术涉及在基材层的层叠体内具备线圈以及电容器而构成的滤波器元件。

技术介绍

[0002]以往，通过在基材层的层叠体内设置线圈导体以及电容器电极，从而构成了LC滤波器元件。
[0003]例如，在专利文献1中，示出了通过在层叠基材层而成的层叠体形成电感器以及电容器从而构成的滤波器元件。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开平10
‑
13180号公报

技术实现思路

[0007]技术要解决的课题
[0008]在专利文献1记载的滤波器元件中，线圈(变压器)和电容器配置在层叠方向上，变压器的初级线圈和次级线圈反向耦合，电容器的一端连接于初级线圈和次级线圈之间的接点，另一端连接为接地。通过该结构，作为整体，作为低通滤波器而发挥作用。此外，由在从初级线圈和次级线圈的连接点分流地连接的路径产生的互感M和电容器形成衰减极。
[0009]但是，在这样的以往的滤波器元件中，由互感M和电容器形成的衰减极的衰减量无法获取得较大，存在不充分的情况。此外，存在衰减带宽不充分的情况。
[0010]因此，本技术的目的在于，提供一种确保了衰减带的衰减量或者确保了衰减带的带宽的滤波器元件。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本技术的滤波器元件，具备：
[0013]层叠体，层叠基材层而形成；内部元件，设置在该层叠体的内部；和第1端子电极、第2端子电极以及基准电位电极，设置在所述层叠体的外表面，
[0014]所述内部元件包含第1线圈、第2线圈、第1电容器以及第2电容器，
[0015]所述第1线圈以及所述第2线圈在所述基材层的层叠方向上具有卷绕轴，线圈开口相互重叠从而进行磁场耦合，
[0016]所述第1电容器以及所述第2电容器在所述层叠方向上配置在所述层叠体的与所述第1线圈以及所述第2线圈的形成层范围不同的层，
[0017]所述第1线圈以及所述第2线圈被差动连接，
[0018]在所述第1线圈和所述第2线圈的串联电路并联连接所述第2电容器，
[0019]所述第1电容器连接在所述第1线圈与所述第2线圈的连接位置和所述基准电位电极之间，
[0020]由通过所述第1线圈和所述第2线圈的耦合而产生的互感和所述第1 电容器形成
了第1衰减极，
[0021]由所述串联电路和所述第2电容器的并联连接电路形成了第2衰减极。
[0022]技术效果
[0023]根据本技术，不仅由通过第1线圈和所述第2线圈的耦合而产生的互感和第1电容器形成第1衰减极，还由第1线圈与第2线圈的串联电路和第2电容器的并联连接电路形成第2衰减极，因此可得到具有衰减量大或者衰减带较宽的衰减特性的滤波器元件。
附图说明
[0024]图1是第1实施方式涉及的滤波器元件101的立体图。
[0025]图2是示出在滤波器元件101的各基材层形成的绝缘基材图案以及导体图案的分解俯视图。
[0026]图3是滤波器元件101的在与X
‑
Z面平行的给定面处的剖视图。
[0027]图4(A)是滤波器元件101的电路图。图4(B)是滤波器元件101 的等效电路图。
[0028]图5是示出滤波器元件101的频率特性的图。
[0029]图6是示出在第2实施方式涉及的滤波器元件的各基材层形成的绝缘基材图案以及导体图案的分解俯视图。
[0030]图7(A)是第2实施方式涉及的滤波器元件102的电路图。图7(B) 是滤波器元件102的等效电路图。
[0031]图8是示出滤波器元件102的频率特性的图。
[0032]图9是示出一部分的结构不同的滤波器元件102的频率特性的图。
[0033]图10是第3电容器C3的连接位置与图7(A)不同的滤波器元件的电路图。
[0034]图11(A)、图11(B)、图11(C)、图11(D)是示出第3实施方式涉及的各滤波器元件的频率特性的图。
具体实施方式
[0035]《第1实施方式》
[0036]图1是第1实施方式涉及的滤波器元件101的立体图。该滤波器元件 101具备：层叠基材层而形成的长方体形状的层叠体1；设置在该层叠体1 的内部的内部元件；设置在层叠体1的外表面的第1端子电极E11、第2 端子电极E12、第3端子电极E13以及第4端子电极E14。第3端子电极 E13相当于本技术涉及的“基准电位电极”。上述内部元件包含连接在第1端子电极E11与第2端子电极E12之间的线圈以及电容器。滤波器元件101的安装面B安装于电路基板等。在图1中，将与层叠体1的各边平行的轴设为X、Y、Z轴来表示坐标轴。
[0037]图2是示出在滤波器元件101的各基材层形成的绝缘基材图案以及导体图案的分解俯视图。图3是滤波器元件101的在与X
‑
Z面平行的给定面处的剖视图。
[0038]基材层S1是最上层的基材层，基材层S13是最下层的基材层。基材层S2～S12是处于最上层的基材层S1与最下层的基材层S13之间的基材层。在基材层S13形成有第1端子电极E11、第2端子电极E12、第3端子电极E13以及第4端子电极E14。在基材层S2～S12形成有侧部端子电极E21、E22、E23、E24。形成于各基材层的侧部端子电极E21、E22、E23、E24通过相同附图标记的端子电极彼此导通。此外，侧部端子电极E21与形成于基材层S13的第1端子电极
E11导通，侧部端子电极E22与形成于基材层S13的第2端子电极E12导通，侧部端子电极E23与形成于基材层 S13的第3端子电极E13导通，侧部端子电极E24与形成于基材层S13的第4端子电极E14导通。
[0039]在基材层S6、S7、S8分别形成有第1线圈导体L11、L12、L13。此外，在基材层S2、S3、S4分别形成有第2线圈导体L21、L22、L23。在图2中虚线示出了基于过孔导体的连接关系。
[0040]第2线圈导体L21的第1端与侧部端子电极E22连接。在基材层S2 形成有将第2线圈导体L21的第2端和第2线圈导体L22的第1端连接的过孔导体。此外，在基材层S3形成有将第2线圈导体L22的第2端和第 2线圈导体L23的第1端连接的过孔导体。第2线圈导体L23的第2端与侧部端子电极E24连接。由上述第2线圈导体L21、L22、L23以及过孔导体构成第2线圈L2。
[0041]第1线圈导体L11的第1端与侧部端子电极E24连接。在基材层S6 形成有将第1线圈导体L11的第2端和第1线圈导体L12的第1端连接的过孔导体。此外，在基材层S7形成有将第1线圈导体L12的第2端和第 1线圈导体L13的第1端连接的过孔导体。第1线圈导体L13的第2端与侧部端子电极E21连接。由上述第1线圈导体L11、L12、L13以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种滤波器元件，其特征在于，具备：层叠体，层叠基材层而形成；内部元件，设置在该层叠体的内部；和第1端子电极、第2端子电极以及基准电位电极，设置在所述层叠体的外表面，所述内部元件包含第1线圈、第2线圈、第1电容器以及第2电容器，所述第1线圈以及所述第2线圈在所述基材层的层叠方向上具有卷绕轴，线圈开口相互重叠从而进行磁场耦合，所述第1电容器以及所述第2电容器分别配置在所述层叠体的与所述第1线圈以及所述第2线圈的形成层范围不同的层，所述第1线圈以及所述第2线圈被差动连接，在所述第1线圈和所述第2线圈的串联电路并联连接所述第2电容器，所述第1电容器连接在所述第1线圈与所述第2线圈的连接位置和所述基准电位电极之间，由通过所述第1线圈和所述第2线圈的耦合而产生的互感和所述第1电容器形成了第1衰减极，由所述串联电路和所述第2电容器的并联连接电路形成了第2衰减极。2.根据权利要求1所述的滤波器元件，其特征在于，所述第2衰减极处于比所述第1衰减极更靠高频侧。3.根据权利要求1或2所述的滤...

【专利技术属性】
技术研发人员：重松悟史，石塚健一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：新型
国别省市：