一种将DNA图案精确放置在基底表面的方法技术

本发明专利技术公开了一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，其包括以下步骤：利用DNAbrick法设计DNA折纸结构图，将所有链进行混合并退火，形成DNA图案。对基底表面处理呈疏水性，并利用等离子体刻蚀法形成掩膜版。将掩膜版置于基底上，用APTES处理表面形成带正电单分子层，将DNA图案沉积于基底上，带负电DNA结构会特异性吸附于带正电APTES区域，实现了DNA图案的精确放置。优点：实现了DNA图案的确定性沉积，提高了实验产率及精度，为电子芯片图案提供一种精确定位方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种高分辨率图案形成及精确放置方法，尤其是涉及一种将dna图案精确沉积在基底表面确定位置的方法。

技术介绍

1、纳米图案形成在半导体及芯片制造领域起到至关重要作用，目前最先进的光刻工艺能产生32nm分辨率，受曝光光学和高能光源的成本和复杂性影响，使用更短波长光源面临着重大的技术和经济挑战。因此发展一种成本低廉且分辨率高的纳米图案制造技术显得尤为重要。

2、近年来，随着dna技术的不断发展，dna已被当做一种建筑材料来构建需要的任意图形，dna砖块法(dnabrick)是用来形成纳米图案比较成熟的一种技术。

3、dna纳米结构是在溶液中退火形成，当将其沉积在基片表面时，图案会出现随机分布、重叠、卷曲等各种问题，大大降低了实验效果及产率形成。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题是提出一种将dna图案精确放置在基底表面的方法，基于dnabrick原理设计纳米图案，将图案所含的所有短链进行一步退火形成图案。对基片表面处理，使其表现为疏水性，用等离子体刻蚀形成掩膜版，将掩本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：DNAbrick法设计图案时，核心链每条链长为42碱基，边缘保护链链长为21碱基。

3.根据权利要求1所述的一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：每条链终浓度100nM,镁离子浓度15-30mM，退火温度从90-61℃，-1℃/5min，60-25℃，每度保持60min。

4.根据权利要求1所述的一种将DNA折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：凝胶电泳电泳液×0.5TBE(含1...

【技术特征摘要】

1.一种将dna折纸图案精确放置在基底表面的方法，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种将dna折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：dnabrick法设计图案时，核心链每条链长为42碱基，边缘保护链链长为21碱基。

3.根据权利要求1所述的一种将dna折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：每条链终浓度100nm,镁离子浓度15-30mm，退火温度从90-61℃，-1℃/5min，60-25℃，每度保持60min。

4.根据权利要求1所述的一种将dna折纸图案精确放置在基底表面的方法，其特征在于：凝胶电泳电泳液×0.5tbe(含10mm mg2+)。

5.根据权利要求1所述的一种将dna折纸图案精确放置在基底表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭小伟，王琦，郝仟禧，李若禺，杜黎，
申请(专利权)人：电子科技大学长三角研究院湖州，
类型：发明
国别省市：