复位电路制造技术

一种复位电路，包括：偏置电流产生单元、电压检测单元、电压生成单元、比较单元以及输出单元，其中：偏置电流产生单元，其输出端与电压生成单元、电压检测单元以及比较单元耦接，适于根据预设的电源电压生成偏置电流并输出；电压检测单元，其输出端与电压生成单元耦接，适于在检测到电源电压变化时，控制电压生成单元的第一输出端的输出电压发生相应变化；电压生成单元，其第一输出端与比较单元的第一输入端耦接，其第二输出端与比较单元的第二输入端耦接；电压生成单元的第二输出端适于输出参考电压；比较单元，其输出端与输出单元的输入端耦接；输出单元，其输出端输出复位信号。上述方案能够实现电路系统的快速复位。能够实现电路系统的快速复位。能够实现电路系统的快速复位。

【技术实现步骤摘要】
复位电路


[0001]本技术涉及电子电路
，尤其涉及一种复位电路。

技术介绍

[0002]复位电路是现代集成电路芯片必备的一个模块电路，是一种用来使得电路恢复到起始状态的电路。复位电路的类型众多，能够独立运行且直接影响初始状态的复位电路主要是上电复位和掉电复位。上电复位和掉电复位能够使芯片在复杂电磁环境下实现芯片可靠复位，在整个电路系统中起到关键作用。
[0003]传统的复位电路，一般覆盖快速上电复位、慢速上电复位、快速掉电复位、慢速掉电复位中的一种或两种，很难兼顾各种上电、掉电应用场景，且无法解决掉电不完全再上电的复位可靠性问题。上电复位是指从无供电到供电正常过程中，产生的复位；掉电复位是指电源电压跌落、电压振荡等过程中，产生复位。

技术实现思路

[0004]本技术实施例解决的是在多种上电和掉电应用场景下，未能有效产生复位的技术问题，尤其涉及掉电不完全再上电的复位可靠性问题。
[0005]为解决上述技术问题，本技术实施例提供一种复位电路，包括：偏置电流产生单元、电压检测单元、电压生成单元、比较单元以及输出单元，其中：所述偏置电流产生单元，其输出端与所述电压生成单元、所述电压检测单元以及所述比较单元耦接，适于根据预设的电源电压生成偏置电流并输出；所述电压检测单元，其输出端与所述电压生成单元耦接，适于在检测到所述电源电压变化时，控制所述电压生成单元的第一输出端的输出电压发生相应变化；所述电压生成单元，其第一输出端与所述比较单元的第一输入端耦接，其第二输出端与所述比较单元的第二输入端耦接；所述电压生成单元的第二输出端适于输出参考电压；所述比较单元，其输出端与所述输出单元的输入端耦接；所述输出单元，其输出端输出复位信号。
[0006]可选的，所述偏置电流产生单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：所述第一PMOS管，其栅极接地，其漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接，其源极接所述电源电压；所述第二 PMOS管，其栅极与所述偏置电流产生单元的第一输出端耦接，其漏极与其所述偏置电流产生单元的第一输出端、所述第二NMOS管的漏极耦接；所述第一NMOS管，其栅极与所述偏置电流产生单元的第二输出端、所述第一 NMOS管的漏极耦接，其源极接地；所述第二NMOS管，其栅极与所述第一 NMOS管的栅极耦接，其源极接地。
[0007]可选的，所述电压检测单元包括：第三NMOS管、第四NMOS管、第五 NMOS管、第三PMOS管以及第一电容，其中：所述第三NMOS管，其栅极与其漏极接所述电源电压，其源极接所述第一电容的上极板；所述第四NMOS 管，其栅极与所述电压检测单元的输入端耦接，其漏极与所述第三PMOS管的漏极耦接，其源极接地；所述第五NMOS管，其栅极与所述第三PMOS管的漏极耦接，其漏极与所述电压检测单元的输出端耦接，其源极接地；所述第三PMOS管，
其栅极接所述电源电压，其源极与所述第三NMOS管的源极耦接；所述第一电容，其下极板接地。
[0008]可选的，所述第三PMOS管的衬底与所述第三NMOS管的源极耦接。
[0009]可选的，所述电压生成单元包括：复位信号触发模块以及参考电压生成模块，其中：所述复位信号触发模块，其第一输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接，其第二输入端与所述电压生成单元的第二输入端耦接，其输出端与所述电压生成单元的第一输出端耦接；所述参考电压生成模块，其输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接，其输出端与所述电压生成单元的第二输出端耦接。
[0010]可选的，所述复位信号触发模块，包括：第四PMOS管、第五PMOS管以及第二电容，其中：所述第四PMOS管，其栅极与所述复位信号触发模块的第一输入端耦接，其漏极与所述第五PMOS管的源极耦接，其源极接所述电源电压；所述第五PMOS管，其栅极与其漏极耦接，且其漏极与所述复位信号触发模块的输出端、所述复位信号触发模块的第二输入端耦接；所述第二电容，其上极板与所述复位信号触发模块的第二输入端耦接，其下极板接地。
[0011]可选的，所述参考电压生成电路，包括：第六PMOS管、第六NMOS管以及第七NMOS管，其中：所述第六PMOS管，其栅极与所述参考电压生成电路的输入端耦接，其漏极与所述参考电压生成电路的第二输出端耦接，其源极接所述电源电压；所述第六NMOS管，其栅极与其漏极耦接，其漏极还与所述第六PMOS管的漏极耦接，其源极与所述第七NMOS管的漏极耦接；所述第七NMOS管，其栅极与其漏极耦接，其源极接地。
[0012]可选的，所述比较单元包括：比较模块以及放大模块，其中：所述比较模块，其第一输入端与所述比较单元的第一输入端耦接，其第二输入端与所述比较单元的第二输入端耦接，其输出端与所述放大模块的输入端耦接，其控制端与所述偏置电流产生单元的第二输出端耦接；所述放大模块，其输出端与所述比较单元的输出端耦接。
[0013]可选的，所述比较模块包括：第七PMOS管、第八PMOS管、第八NMOS 管、第九NMOS管以及第十NMOS管，其中：第七PMOS管，其栅极与其漏极耦接，其源极接所述电源电压，其漏极还与所述第八NMOS管的漏极耦接；所述第八PMOS管，其栅极与所述第七PMOS管的栅极耦接，其漏极与所述第九NMOS管的漏极、所述比较模块的输出端耦接；所述第八NMOS管，其栅极与所述比较模块的第一输入端耦接，其源极与所述第十NMOS管的漏极耦接；所述第九NMOS管，其栅极与所述比较模块的第二输入端耦接，其源极与所述第十NMOS管的漏接耦接；所述第十NMOS管，其栅极与所述比较模块的控制端耦接，其源极接地。
[0014]可选的，所述放大模块包括：第九PMOS管，其中：所述第九PMOS管，其栅极与所述放大模块的输入端耦接，其漏极与所述放大模块的输出端耦接，其源极接所述电源电压。
[0015]可选的，所述比较单元还包括：第十一NMOS管，其栅极与所述比较模块的控制端耦接，其漏极与所述第九PMOS管的漏极耦接，其源极接地。
[0016]可选的，所述输出单元包括：反相器，其输入端与所述输出单元的输入端耦接，其输出端与所述反相器的输出端耦接。
[0017]可选的，所述反相器包括：第十PMOS管以及第十二NMOS管，其中：所述第十PMOS管，其栅极与所述反相器的输入端耦接，其漏极与所述反相器的输出端耦接，其源极接所述电源电压；所述第十二NMOS管，其栅极与所述第十PMOS管的栅极耦接，其漏极与所述第十PMOS管的漏极耦接，其源极接地。
[0018]与现有技术相比，本技术实施例的技术方案具有以下有益效果：
[0019]通过电压检测单元检测电源电压发生变化，对电压生成单元的第一输出端的输出电压进行调整。由于电压生成单元的两个输出端分别与比较单元的两个输入端相连，因此，比较单元实质上是对电压生成单元的两个输出端的输出电压进行比较。当电压生成单元的第一输出端的输出电压发生变化时，比较单元输出的比较结果相应变化本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复位电路，其特征在于，包括：偏置电流产生单元、电压检测单元、电压生成单元、比较单元以及输出单元，其中：所述偏置电流产生单元，其输出端与所述电压生成单元、所述电压检测单元以及所述比较单元耦接，适于根据预设的电源电压生成偏置电流并输出；所述电压检测单元，其输出端与所述电压生成单元耦接，适于在检测到所述电源电压变化时，控制所述电压生成单元的第一输出端的输出电压发生相应变化；所述电压生成单元，其第一输出端与所述比较单元的第一输入端耦接，其第二输出端与所述比较单元的第二输入端耦接；所述电压生成单元的第二输出端适于输出参考电压；所述比较单元，其输出端与所述输出单元的输入端耦接；所述输出单元，其输出端输出复位信号。2.如权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述偏置电流产生单元包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管以及第二NMOS管，其中：所述第一PMOS管，其栅极接地，其漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接，其源极接所述电源电压；所述第二PMOS管，其栅极与所述偏置电流产生单元的第一输出端耦接，其漏极与其所述偏置电流产生单元的第一输出端、所述第二NMOS管的漏极耦接；所述第一NMOS管，其栅极与所述偏置电流产生单元的第二输出端、所述第一NMOS管的漏极耦接，其源极接地；所述第二NMOS管，其栅极与所述第一NMOS管的栅极耦接，其源极接地。3.如权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述电压检测单元包括：第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第三PMOS管以及第一电容，其中：所述第三NMOS管，其栅极与其漏极接所述电源电压，其源极接所述第一电容的上极板；所述第四NMOS管，其栅极与所述电压检测单元的输入端耦接，其漏极与所述第三PMOS管的漏极耦接，其源极接地；所述第五NMOS管，其栅极与所述第三PMOS管的漏极耦接，其漏极与所述电压检测单元的输出端耦接，其源极接地；所述第三PMOS管，其栅极接所述电源电压，其源极与所述第三NMOS管的源极耦接；所述第一电容，其下极板接地。4.如权利要求3所述的复位电路，其特征在于，所述第三PMOS管的衬底与所述第三NMOS管的源极耦接。5.如权利要求1所述的复位电路，其特征在于，所述电压生成单元包括：复位信号触发模块以及参考电压生成模块，其中：所述复位信号触发模块，其第一输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接，其第二输入端与所述电压生成单元的第二输入端耦接，其输出端与所述电压生成单元的第一输出端耦接；所述参考电压生成模块，其输入端与所述电压生成单元的第一输入端耦接，其输出端与所述电压生成单元的第二输出端耦接。6.如权利要求5所述的复位电路，其特征在于，所述复位信号触发模块，包括：第四PMOS管、第五PMOS管以及第二电容，其中：
所述第四PMOS管，其栅极与所述复位信号触发模块的第一输入端耦接，其漏极与所述第五PMOS管的源极耦接，其源极...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷宇超，吕洁洁，陈光胜，
申请(专利权)人：上海东软载波微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：