【技术实现步骤摘要】
射频功率封装和射频功率器件
[0001]本专利技术涉及一种射频(radiofrequency,RF)功率封装和射频功率器件。更 特别地,本专利技术涉及一种RF功率封装,其中静电释放(electrostatic discharge, ESD)器件布置在封装主体或壳体内部。该RF功率器件包括此RF功率封装。
技术介绍
[0002]RF功率封装是本领域已知的。这些RF功率封装配置为对在从100kHz至 40GHz的频率上、处于1W和5kW范围内的各水平上的功率进行传递。这些封 装包括多个端子,通过这些端子输入或输出电信号,并且通过这些端子提供功 率或接地。
[0003]RF功率封装安装在印刷电路板(printed circuit board,PCB)上。此板是更 大的RF功率器件的一部分。此器件包括电触点,从器件的外部可以到达这些 电触点。这些触点可以暴露在静电释放事件中。这些释放事件的结果是,RF功 率器件的诸如RF功率封装之类的组件可能被损坏。
[0004]器件在高静电电压应力下的性能能够使用诸如充电器件模型或人体模型之 类的模型来确定。使用人体模型,可以对人接触器件时发生的静电释放ESD进 行模拟。例如,根据JEDEC JS
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001标准,人体可以被建模为100pF的电容器和 1500Ohm的放电电阻器。在测试期间,将电容器充电至放电电压,例如2kV, 并且之后通过布置为与期间的一端子串联的放电电阻器对电容器放电。
[0005]通常,器件应当满足特定ESD要求,此ESD要求与 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种射频RF功率封装(1A
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1G;100),包括:封装主体(110)或壳体;导电基底(10),其至少部分布置在所述封装主体或壳体中;半导体裸片(30),其安装在所述导电基底上且布置在所述封装主体或壳体中,所述半导体裸片包括放大电路,所述放大电路具有用于输入或输入电信号的静电放电ESD感测触点;多个端子(20),其与所述导电基底物理分离,并且每个端子包括在所述封装主体或壳体外部提供的第一端子表面以及在所述封装主体或壳体内部提供的第二端子表面,其中,所述多个端子中的一端子构成RF端子(RF1,RF2),所述RF端子配置用于输入待所述放大电路放大的信号或输出经所述放大电路放大的信号,所述RF端子通过RF端子连接线电连接至所述ESD感测触点;其特征在于,所述RF功率封装还包括ESD器件(60),所述ESD器件用于保护所述放大电路免受由静电放电引起的损坏,其中,所述ESD器件包括第一ESD触点(61)和第二ESD触点(62),其中,所述多个端子中的一端子构成其上安装有所述ESD器件的安装MNT端子(MNT);其中,所述MNT端子是所述RF端子,并且其中,所述多个端子中的一端子构成接地GND端子(GND),即在使用中电接地,其中,所述GND端子布置为邻近所述MNT端子,并且其中,所述第二ESD触点至少在使用时通过在所述第二ESD触点和所述GND端子之间延伸的键合线电接地,并且其中,所述第一ESD触点采用第一ESD连接线至少通过所述RF端子连接线的一部分电连接至所述ESD感测触点;或者其中,所述MNT端子是邻近所述RF端子的端子,其中,所述第一ESD触点采用第一ESD连接线至少通过所述RF端子连接线的一部分以及对所述第一ESD触点和所述RF端子进行电连接的键合线电连接至所述ESD感测触点,并且其中,所述第二ESD触点至少在使用时电接地。2.根据权利要求1所述的RF功率封装,其中,所述放大电路包括场效应晶体管FET,例如基于氮化镓的FET或基于硅的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS晶体管。3.根据权利要求2所述的RF功率封装,其中,所述放大电路的所述ESD感测触点电连接至所述FET的栅极或漏极,或者由所述FET的栅极或漏极形成。4.根据权利要求2或3所述的RF功率封装,其中,所述放大电路的所述ESD感测触点是电连接至所述FET的所述栅极或漏极处的键合焊盘或键合条,并且其中,所述RF端子连接线包括其一端键合至所述键合焊盘或键合条处的RF键合线。5.根据权利要求4所述的RF功率封装,其中,所述RF键合线的另一端键合至所述RF端子。6.根据权利要求4所述的RF功率封装,其中,所述RF端子连接线包括阻抗匹配网络,所述阻抗匹配网络包含所述RF键合线,所述阻抗匹配网络包括分流电容器,所述分流电容器具有非接地端子和接地端子,所述接地端子配置为至少在使用时电接地;其中,所述RF键合线的另一端键合至所述分流电容器的所述非接地端子,所述RF端子连接线包括位于所述分流电容器的所述非接地端子和所述RF端子之间的进一步的RF键合线。7.根据权利要求1至6中任一项所述的RF功率封装,其中,所述MNT端子是GND端子,或其中,所述MNT是所述多个端子中构成非连接NC端子的端子;其中,所述ESD器件包括ESD半导
体裸片,所述ESD半导体裸片上集成有ESD线路,并且所述ESD半导体裸片包括具有后表面的半导体基底,所述ESD半导体裸片经由所述后表面固定连接至所述MNT端子的所述第二表面,所述第一ESD触点和所述第二ESD触点布置在所述ESD半导体裸片的前表面,所述前表面与所述半导体基底的所述后表面相对。8.根据权利要求1至6中任一项所述的RF功率封装,其中,所述MNT端子是所述RF端子,其中,所述ESD器件包括ESD半导体裸片,所述ESD半导体裸片...
【专利技术属性】
技术研发人员:陶国桥,诸毅,约翰内斯,
申请(专利权)人:安普林荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:
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