基于存储器装置的使用调整预编程电压制造方法及图纸

本申请涉及基于存储器装置的使用而调整预编程电压。描述一种方法，其包含：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数，及基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压。所述方法进一步包含将所述预编程电压施加到所述页块，及在将所述预编程电压施加到所述页块之后对所述页块执行擦除操作。页块执行擦除操作。页块执行擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
基于存储器装置的使用调整预编程电压


[0001]本公开总体上涉及调整预编程电压，且更确切地说，涉及基于存储器装置的使用调整预编程电压。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统将数据存储在存储器装置处并且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本申请提供一种方法，其包括：通过与存储器装置相关联的存储器子系统控制器确定与所述存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；通过所述存储器子系统控制器基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；通过所述存储器子系统控制器将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，通过所述存储器子系统控制器对所述页块执行擦除操作。
[0004]在另一方面中，本申请进一步提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理装置执行时使所述处理装置执行以下操作的指令：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：通过与存储器装置相关联的存储器子系统控制器确定与所述存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；通过所述存储器子系统控制器基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；通过所述存储器子系统控制器将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，通过所述存储器子系统控制器对所述页块执行擦除操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：通过所述存储器子系统控制器确定已在所述页块中进行编程的页数，其中所述存储器控制器进一步基于已在所述页块中进行编程的所述页数而确定所述预编程电压。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述预编程电压包含：确定与所述编程及擦除循环数相关联的第一值；确定与已在所述页块中进行编程的所述页数相关联的第二值；及从默认预编程电压减去所述第一值及所述第二值以生成所述预编程电压。4.根据权利要求3所述的方法，其中随着所述编程及擦除循环数增加，所述第一值增加，及其中随着已在所述页块中进行编程的所述页数增加，所述第二值增加。5.根据权利要求3所述的方法，其中确定所述第一微调值包含将所述编程及擦除循环数乘以第一比率以生成所述第一微调值；及其中确定所述第二微调值包含将已在所述页块中进行编程的所述页数乘以第二比率以生成所述第二微调值。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一微调值在0与4伏特之间，并且所述第二微调值在0与1.5伏特之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置是与非NAND存储器装置。8.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理装置执行时使所述处理装置执行以下操作的指令：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，对所述页块执行擦除操作。9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置进一步用于：确定已在所述页块中进行编程的页数，其中所述存储器控制器进一步基于已在所述页块中进行编程的所述页数而确定所述预编程电压。10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中确定所述预编程电压包含：
确定与所述编程及擦除循环数相关联的第一微调值；确定与已在所述页块中进行编程的所述页数相...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：