基于存储器装置的使用调整预编程电压制造方法及图纸

本申请涉及基于存储器装置的使用而调整预编程电压。描述一种方法，其包含：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数，及基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压。所述方法进一步包含将所述预编程电压施加到所述页块，及在将所述预编程电压施加到所述页块之后对所述页块执行擦除操作。页块执行擦除操作。页块执行擦除操作。

【技术实现步骤摘要】
基于存储器装置的使用调整预编程电压


[0001]本公开总体上涉及调整预编程电压，且更确切地说，涉及基于存储器装置的使用调整预编程电压。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置及易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统将数据存储在存储器装置处并且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]在一个方面中，本申请提供一种方法，其包括：通过与存储器装置相关联的存储器子系统控制器确定与所述存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；通过所述存储器子系统控制器基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；通过所述存储器子系统控制器将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，通过所述存储器子系统控制器对所述页块执行擦除操作。
[0004]在另一方面中，本申请进一步提供一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理装置执行时使所述处理装置执行以下操作的指令：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，对所述页块执行擦除操作。
[0005]在又另一方面中，本申请进一步提供一种系统，其包括：存储器装置；及处理装置，其与所述存储器装置可操作地耦合以：确定已在所述存储器装置的页块中进行编程的页数；基于在擦除操作之前施加到所述页块的已在所述页块中进行编程的所述页数而确定预编程电压；通过所述存储器子系统控制器将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，通过所述存储器子系统控制器对所述页块执行擦除操作。
附图说明
[0006]根据下文给出的详细描述及本公开的各种实施例的附图，将更充分地理解本公开。然而，图式不应视为将本公开限制于具体实施例，而是仅用于解释及理解。
[0007]图1说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2是根据本公开的一些实施例的确定用于施加到存储器装置中的页块的预编程电压的实例方法的流程图。
[0009]图3示出根据本公开的一些实施例的展现与施加到页块的编程及擦除操作/循环数相关的预编程电压的曲线图。
[0010]图4展示根据本公开的一些实施例的展现与页块中的编程/写入页数相关的预编
程电压的曲线图。
[0011]图5是根据本公开的一些其它实施例的确定用于施加到存储器装置中的页块的预编程电压的实例方法的流程图。
[0012]图6是本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0013]本公开的方面涉及基于以下项中的一或多个确定用于施加到存储器装置中的页块的预编程电压：(1)施加到页块的编程及擦除操作/循环数；及(2)在存储器子系统中的块中编程/写入的页数(例如，在页块中的最后一个写入页)。存储器子系统可为存储装置、存储器模块，或存储装置及存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置及存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件(例如，存储数据的存储器装置)的存储器子系统。主机系统可提供将存储在存储器子系统处的数据，且可请求将从存储器子系统检索的数据。
[0014]存储器装置可为非易失性存储器装置。非易失性存储器装置是一或多个裸片的封装。非易失性存储器装置的一个实例是与非(NAND)存储器装置。下文结合图1描述非易失性存储器装置的其它实例。可将封装中的裸片指派到一或多个信道以用于与存储器子系统控制器通信。每一裸片可由一或多个平面组成。平面可分组为逻辑单元(LUN)。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器装置)，每一平面由一组物理块组成，所述物理块是用于存储数据的存储器单元的群组。单元是存储信息的电子电路。
[0015]取决于单元类型，单元可存储一或多个二进制信息位，且具有与所存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由二进制值(例如，“0”及“1”)或此类值的组合表示。存在各种类型的单元，例如单层级单元(SLC)、多层级单元(MLC)、三层级单元(TLC)及四层级单元(QLC)。举例来说，SLC可存储一个信息位且具有两个逻辑状态。
[0016]NAND存储器装置包含串联连接的晶体管串。举例来说，NAND存储器装置可包含148,000串晶体管。每一串晶体管与相关联地面及耦合在电源与晶体管系列之间的电容器共享公共电源。来自每一串晶体管的晶体管分组在一起以形成晶体管页(有时称为“存储器单元”)。举例来说，在具有148,000串晶体管且每一串晶体管包含串联连接的四个晶体管的NAND存储器装置中，NAND存储器装置可包含四个晶体管页(尽管其它配置是可能的)。具体来说，每一页包含148,000个晶体管，其中单个晶体管选自每一页的每一串晶体管并且页组可被分组为块及/或子块。此外，每一页晶体管中的晶体管共享可对其施加电压(例如，擦除电压)的控制栅极。存储器子系统控制器可对NAND存储器装置中的页组执行擦除操作，以尝试将每个晶体管/存储器单元移动到擦除状态(例如，对应于设定/导通状态或逻辑状态“1”的电压)。具体来说，存储器子系统控制器将擦除电压施加到页组/块中的晶体管，以使那些晶体管具有低于阈值的电压。在施加擦除电压之后，存储器子系统控制器执行验证操作以确定擦除操作是否成功。验证操作按晶体管串进行且包含(1)经由控制栅极向晶体管的每一页施加验证电压(例如，0伏特)，及(2)将来自公共电源的电流施加到每个对应的晶体管系列。当先前的擦除操作成功且每个晶体管处于擦除/导通状态(即，晶体管的电压低于验证电压)时，电流将移动/汇入每一串晶体管的公共地。这将导致所述串的电容器上的低电压，所述电容器耦合在电源与晶体管系列之间。因此，此电容器上的低电压(例如，低于擦除
验证电压)将指示成功的擦除操作。然而，当一系列晶体管中的至少一个晶体管未能进入擦除/导通状态并且晶体管处于编程/断开状态(例如，高于与未设定/断开状态或逻辑状态“0”相对应的擦除验证电压的电压)时，来自公共电源的电流将无法到达公共地并且会在公共电容器上积聚，从而导致公共电容器上的电压更高。因此，此电容器上的高电压(例如，高于阈值成功值)将指示不成功的擦除操作。
[0017]然而，在一些情况下，电压低于擦除验证电压的电容器可能错误地指示所述串/系列的晶体管的成功擦除操作。具体来说，当将擦除电压施加到已处于擦除状态的晶体管(即，晶体管的电压低于擦除验证电压)时，晶体管的电压将更深地移动到擦除状态(即，进一步低于擦除验证电压)，使得晶体管处于深擦除/导通状态。此深擦除/导通状态在串上提供高导电性，这将很容易允许电流传递到地面。相反地，当将擦除电压施加到尚未处于擦除状态的晶体管(即，晶体管高于擦除验证电压，使得晶体管处于编程/断开状态)时，晶体管的电压可移动到晶体管几乎不处于编程/断开状本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种方法，其包括：通过与存储器装置相关联的存储器子系统控制器确定与所述存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；通过所述存储器子系统控制器基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；通过所述存储器子系统控制器将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，通过所述存储器子系统控制器对所述页块执行擦除操作。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：通过所述存储器子系统控制器确定已在所述页块中进行编程的页数，其中所述存储器控制器进一步基于已在所述页块中进行编程的所述页数而确定所述预编程电压。3.根据权利要求2所述的方法，其中确定所述预编程电压包含：确定与所述编程及擦除循环数相关联的第一值；确定与已在所述页块中进行编程的所述页数相关联的第二值；及从默认预编程电压减去所述第一值及所述第二值以生成所述预编程电压。4.根据权利要求3所述的方法，其中随着所述编程及擦除循环数增加，所述第一值增加，及其中随着已在所述页块中进行编程的所述页数增加，所述第二值增加。5.根据权利要求3所述的方法，其中确定所述第一微调值包含将所述编程及擦除循环数乘以第一比率以生成所述第一微调值；及其中确定所述第二微调值包含将已在所述页块中进行编程的所述页数乘以第二比率以生成所述第二微调值。6.根据权利要求3所述的方法，其中所述第一微调值在0与4伏特之间，并且所述第二微调值在0与1.5伏特之间。7.根据权利要求1所述的方法，其中所述存储器装置是与非NAND存储器装置。8.一种非暂时性计算机可读存储媒体，其包括在由处理装置执行时使所述处理装置执行以下操作的指令：确定与存储器装置的页块相关联的编程及擦除循环数；基于在擦除操作之前施加到所述页块的所述编程及擦除循环数而确定预编程电压；将所述预编程电压施加到所述页块；及在将所述预编程电压施加到所述页块之后，对所述页块执行擦除操作。9.根据权利要求8所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中所述处理装置进一步用于：确定已在所述页块中进行编程的页数，其中所述存储器控制器进一步基于已在所述页块中进行编程的所述页数而确定所述预编程电压。10.根据权利要求9所述的非暂时性计算机可读存储媒体，其中确定所述预编程电压包含：
确定与所述编程及擦除循环数相关联的第一微调值；确定与已在所述页块中进行编程的所述页数相...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：