晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调技术方案

本申请涉及空调技术领域，提供一种晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调，该晶振驱动电路包括电源、外围应用电路以及gm自反馈调节电路；所述电源产生基准电流输出到外围应用电路的放大器，所述gm自反馈调节电路产生额外一路随晶体振荡幅度变化的补偿电流，补偿所述基准电流后驱动所述放大器。本申请能满足在各种条件下，自行调节放大器gm直至晶振稳定起振，从而实现优异的可靠性及非常宽泛的适用条件。条件。条件。

【技术实现步骤摘要】
晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调


[0001]本申请涉及变频空调
，尤其涉及一种晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调。

技术介绍

[0002]作为芯片的心跳，时钟的精度和可靠性，直接影响芯片的可靠性及性能。晶体振荡器以其优越的精度性能和寿命优势，一直是芯片的时钟的主要来源。
[0003]但是随着行业的发展，芯片的应用范围日益广泛，其极限的工况要求亦日益严苛。传统晶体振荡器电路在极限电压、极限温度、极限湿度等条件下的可靠性非常难保证。
[0004]现有技术采用的是INV作为放大器来驱动外部晶体振荡器。使用恒定驱动能力的电流源为INV供电，并使用OTA与基准实时监测晶体振荡器的振幅，最终实现驱动外部振荡器的同时兼具限幅功能。但是类似上述结构存在应用条件的限制，放大器INV的跨导gm来源于组成INV的MOS器件，而MOS器件一方面在工艺制造过程存在一致性偏差，另一方面在极限温度应用条件下，gm亦会产生较大偏移。因此在极限应用条件下，晶体振荡器容易停振。

技术实现思路

[0005]本申请的主要目的在于克服上述现有技术的晶体振荡器容易停振的问题，提供一种能够提高晶振电路可靠性晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调。
[0006]根据本申请的一个方面，提供了一种晶振驱动电路，包括电源、外围应用电路以及gm自反馈调节电路；所述电源产生基准电流输出到外围应用电路的放大器，所述gm自反馈调节电路产生额外一路随晶体振荡幅度变化的补偿电流，补偿所述基准电流后驱动所述放大器。
[0007]可选的，所述gm自反馈调节电路包括耦合电容、第四MOS管、滤波电路、电流镜像电路以及电压偏置电路；
[0008]所述反馈电容接晶振，晶振的振荡交流信号经过所述滤波电路和所述电压偏置电路传输至所述第四MOS管的栅极，所述第四MOS管的栅极电压随着振荡幅度变化，经过所述电流镜像电路的自调节，对所述gm自反馈调节电路的输出电流进行调节。
[0009]可选的，所述电流镜像电路包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管的电流输出端接所述第三MOS管的电流输入端，所述第一MOS管接所述第四MOS管漏级，所述第三MOS管源极接所述外围应用电路。
[0010]可选的，所述第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管的镜像比例为1:1:1，流过所述第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS 管的电流比例为1:1:1。
[0011]可选的，所述滤波电路包括第一电阻和电容；所述第一电阻一端分别接所述第四MOS管栅级和所述电容，另一端接所述耦合电容,用于将所述耦合电容接入的交流电压信号进行滤波和累积。
[0012]可选的，所述电压偏置电路包括第二电阻和第五MOS管；所述第二电阻一端接第五
MOS管栅极，另一端接入所述电流镜像电路构成电压自偏置，用于阻碍削弱所述耦合电容接入的交流电压信号的影响；所述电阻一端还接入所述滤波电路，用于将所述第五MOS管的直流电压连通给所述第四MOS管提供直流电压偏置。
[0013]可选的，所述电源的输出电流为I0，其中，I0＝IREF；所述gm自反馈调节电路的输出电流为I1，I1＝k/R2，k＝2/(β*W/L)*(1
‑
1/√K) 2
；其中，β为工艺参数，W和L分别为第四MOS管和第五MOS管的设计参数，K为第四MOS管与第五MOS管的个数比值。
[0014]可选的，所述放大器上驱动电流为I
D
，I
D
＝I1+IREF。
[0015]可选的，所述放大器的跨导为gm；
[0016]其中，
[0017]可选的，所述外围应用电路还包括基准电流源模块，所述电源的电流输出端与所述基准电流源模块的电流输入端相连，所述基准电流源模块的电流输出端与所述放大器漏级相连。
[0018]可选的，所述晶振驱动电路还包括时钟翻译电路，所述时钟翻译电路接所述放大器漏级，将所述放大器漏级的信号输出。
[0019]根据本申请的另一方面，一种控制器，采用上述的晶振驱动电路。
[0020]根据本申请的另一方面，一种空调控制系统，包括上述的控制器。
[0021]根据本申请的另一方面，一种变频空调，包括上述的空调控制系统。
[0022]由上述技术方案可知，本申请的晶振驱动电路、控制器、空调控制系统及变频空调的优点和积极效果在于：
[0023]本申请提供的一种晶振驱动电路，采用外围应用电路结合gm自反馈调节电路来调节放大器的跨导gm，直到晶振顺利起振，从而大幅提高晶振电路的可靠性。
[0024]本申请提供的一种控制器，其有益效果与上述控制阀阀芯一致，在此不再赘述。
[0025]本申请提供的一种空调控制系统，其有益效果与上述控制器一致，在此不再赘述。
[0026]本申请提供的一种变频空调，其有益效果与上述空调控制系统一致，在此不再赘述。
附图说明
[0027]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本专利技术的实施例，并与说明书一起用于解释本专利技术的原理。
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1是根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第一种电路图；
[0030]图2是根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第二种电路图；
[0031]图3根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第三种电路图。
[0032]其中，附图标记说明如下：
[0033]100、外围应用电路；200、gm自反馈调节电路；210、滤波电路； 220、电流镜像电路；230、电压偏置电路；300、时钟翻译电路；4、基准电流源模块；5、晶振。
具体实施方式
[0034]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0035]参见图1
‑
图3，图1是根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第一种电路图；图2是根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第二种电路图；图3根据一示例性实施方式示出的一种晶振驱动电路的第三种电路图。
[0036]现有技术采用的是INV作为放大器来驱动外部晶体振荡器。使用恒定驱动能力的电流源为INV供电，并使用OTA与基准实时监测晶体振荡器的振幅，最终实现驱动外部振荡器的同时兼具限幅功能。但是类似上述结构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶振驱动电路，其特征在于，包括电源、外围应用电路(100)以及gm自反馈调节电路(200)；所述电源产生基准电流输出到所述外围应用电路(100)的放大器，所述gm自反馈调节电路(200)产生额外一路随晶体振荡幅度变化的补偿电流，补偿所述基准电流后驱动所述放大器。2.如权利要求1所述的一种晶振驱动电路，其特征在于，所述gm自反馈调节电路(200)包括耦合电容、第四MOS管、滤波电路(210)电流镜像电路(220)以及电压偏置电路(230)；所述反馈电容接晶振(5)，所述晶振(5)的振荡交流信号经过所述滤波电路(210)和所述电压偏置电路(230)传输至所述第四MOS管栅极，所述第四MOS管栅极电压随着振荡幅度变化，经过所述电流镜像电路(220)的自调节，对所述gm自反馈调节电路(200)的输出电流进行调节。3.如权利要求2所述的一种晶振驱动电路，其特征在于，所述电流镜像电路(220)包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管；所述第一MOS管、第二MOS管的电流输出端接所述第三MOS管的电流输入端，所述第一MOS管接所述第四MOS管漏级，所述第三MOS管源极接所述外围应用电路(100)。4.如权利要求3所述的一种晶振驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管、第二MOS管以及第三MOS管的镜像比例为1:1:1，流过所述第一MOS管、所述第二MOS管及所述第三MOS管的电流之比为1:1:1。5.如权利要求3所述的一种晶振驱动电路，其特征在于，所述滤波电路(210)包括第一电阻和电容；所述第一电阻一端分别接所述第四MOS管栅级和所述电容，另一端接所述耦合电容,用于将所述耦合电容接入的交流电压信号进行滤波和累积。6.如权利要求2所述的一种晶振驱动电路，其特征在于，所述电压偏置电路(230)包括第二电阻和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：冯玉明，张亮，马颖江，易冬柏，张永光，荣家敬，
申请(专利权)人：珠海零边界集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：