一种等离子设备制造技术

本实用新型专利技术实施例提供了一种等离子设备，包括：反应腔室，反应腔室的一端设有进气口，另一端设有排气口；反应托盘，反应托盘位于反应腔室中用于承载基片，其盘面与反应腔室中气体流动的方向平行；连接轴，连接轴的一端固定在反应托盘的中轴点上，另一端穿过反应腔室的侧壁与动力装置连接；动力装置，动力装置用于驱动连接轴旋转，连接轴旋转带动反应托盘旋转。改进后的等离子设备中反应托盘能够在动力装置和连接轴的驱动下旋转，在刻蚀中反应托盘以一定的速率旋转，使得反应托盘上承载的基片在各个位置附近的刻蚀气体浓度均匀，有效地避免靠近进气口位置的基片区域较远离进气口位置的刻蚀气体浓度更高，导致的刻蚀速率不相同的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种等离子设备


[0001]本技术涉及半导体加工制造设备
，尤其涉及一种等离子设备。

技术介绍

[0002]等离子体刻蚀设备在LED行业中通常使用于材料表面的残胶去除及表面活化。设备结构如图1所示，主要包含设备反应腔体，进气管路，排气管路及反应卡夹等部分组成。刻蚀气体从进气管路进入设备反应腔体，通过排气管路抽出排入尾气处理系统，刻蚀气体在反应腔体内平行流动。反应卡夹中待刻蚀晶圆垂直放置，可同时放置多片晶圆。刻蚀过程中刻蚀气体通过气体水平流动及扩散接触待刻蚀晶圆表面并进行刻蚀，由于受到刻蚀气体的流动及及待反应晶圆摆放位置的影响，会出现刻蚀气体的浓度梯度。靠近气体分流板位置反应气体浓度较高，远离气体分流板的位置浓度较低。导致待反应晶圆顶部较底部刻蚀速率更快，靠近气体分流板的晶圆较远离气体分流板的刻蚀速率更快，最终表现为晶圆的刻蚀均匀性差，产品良率低。
[0003]因此，如何提高等离子刻蚀设备中晶圆的刻蚀均匀性是亟需解决的问题。

技术实现思路

[0004]鉴于上述相关技术的不足，本申请的目的在于提供一种等离子设备，旨在解决目前的等离子设备在蚀刻过程中由于气体浓度差导致的蚀刻不均匀的问题。
[0005]一种等离子设备，包括：
[0006]反应腔室，所述反应腔室的一端设有进气口，另一端设有排气口；
[0007]反应托盘，所述反应托盘位于所述反应腔室中用于承载基片，其盘面与所述反应腔室中气体流动的方向平行；
[0008]连接轴，所述连接轴的一端固定在所述反应托盘的中轴点上，另一端穿过所述反应腔室的侧壁与动力装置连接；
[0009]动力装置，所述动力装置用于驱动所述连接轴旋转，所述连接轴旋转带动所述反应托盘旋转。
[0010]上述等离子设备，在等离子设备中增加了反应托盘、连接轴和动力装置，其中反应托盘位于反应腔室中用于承载基片，其盘面与反应腔室中气体流动的方向平行，这样保证了反应托盘上的基片的放置方向与气体流动的方向平行，减少对气体流动的阻碍，降低了反应腔室中的气体浓度差，同时反应托盘还可以被连接轴和动力装置带动在反应腔室中旋转，让反应托盘上的基板在反应腔室内刻蚀的更加均匀。
[0011]可选地，所述反应托盘包括至少两层重叠的托盘，各层托盘之间的间距相同，各层托盘之间通过支撑柱连接固定。
[0012]反应托盘包括多层托盘可以增加一次刻蚀的基板数目，提高生产效率。
[0013]可选地，反应托盘的每一层托盘上均匀的放置所承载的基片。
[0014]基片均匀的放置在每一层托盘上，在托盘旋转的过程中可以让基片更加均匀的与
刻蚀气体接触，从而进一步的提高刻蚀的均匀度。
附图说明
[0015]图1为现有的等离子刻蚀设备的结构示意图；
[0016]图2为本技术实施例提供的一种等离子设备的结构示意图；
[0017]附图标记说明：
[0018]110
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反应腔室、111
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进气口、112
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排气口、120
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反应托盘、121
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基片、122
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托盘、123
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支撑盘、130
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连接轴、140
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动力装置和A
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气体流动方向。
具体实施方式
[0019]为了便于理解本申请，下面将参照相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的较佳实施方式。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本申请的公开内容理解的更加透彻全面。
[0020]除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本申请。
[0021]目前的等离子刻蚀设备，在刻蚀过程中刻蚀气体通过气体水平流动及扩散接触待刻蚀晶圆表面并进行刻蚀，由于受到刻蚀气体的流动及及待反应晶圆摆放位置的影响，会出现刻蚀气体的浓度梯度，靠近气体分流板位置反应气体浓度较高，远离气体分流板的位置浓度较低，导致待反应晶圆顶部较底部刻蚀速率更快，靠近气体分流板的晶圆较远离气体分流板的刻蚀速率更快，最终表现为晶圆的刻蚀均匀性差，产品良率低。
[0022]基于此，本申请希望提供一种能够解决上述技术问题的方案，其详细内容将在后续实施例中得以阐述。
[0023]本专利技术实施例提供了一种等离子设备，该等离子设备用于进行基片的等离子刻蚀，等离子设备的结构示意图可参见图2。等离子设备包括：反应腔室110，反应腔室110的一端设有进气口111，另一端设有排气口112；反应托盘120，反应托盘120位于反应腔室110中用于承载基片121，其盘面与反应腔室110中气体流动的方向A平行；连接轴130，连接轴130的一端固定在反应托盘120的中轴点上，另一端穿过反应腔室110的侧壁与动力装置140连接；动力装置140，动力装置140用于驱动连接轴130旋转，连接轴130旋转带动反应托盘旋转120。
[0024]本实施例提供的等离子设备主要是用于进行基片的等离子刻蚀，其是在基片上进行刻蚀，本实施中的基片包括但不限于晶圆、各种衬底的LED芯片。可以理解的是，本实施例中采用的刻蚀介质为等离子刻蚀气体，但是在另一些实施例中还可以将刻蚀气体替换为刻蚀液。
[0025]本实施例中，反应腔室100的形状除了图2中的圆柱体以外，其形状还可以是正方体、长方体、椭圆体和圆锥体等，在本实施例中不做限定。反应腔室100所选用的材料，以及其所包括的具体结构组成在本实施例中不做限定。
[0026]本实施例中，连接轴130是用于传递动力装置140的扭矩，让反应托盘120旋转的连
接组件，连接轴130的具体结构和选用的材料在本实施了中也不做限定。
[0027]本专利技术另一可选实施例中，所述反应托盘120包括至少两层重叠的托盘122，各层托盘122之间的间距相同，各层托盘122之间通过支撑柱连接固定。
[0028]参见图2，图2中的托盘122有三层，各层托盘122之间通过边缘的支撑柱连接在一起，为了保证各层托盘122上的基板121能够被均匀的蚀刻，需要让各层托盘122之间的间距相同，以保证各层通过的蚀刻气体的流量相同，同理在图2中托盘122最上面一层空白并没方式基片121就是为了避免其上放置基片121出现蚀刻不均匀的问题。
[0029]可以理解的是，图2中各层托盘122之间通过边缘的支撑柱连接，但是在实际应用中，支撑柱的设置方式并不限于设置在各层托盘122的边缘，还可以设置在各层托盘122的中心，以及其他的可以设置的位置。图2中，各层图片122的形状为相同的圆形，在实际应用中，托盘122的形状并不限于圆形，例如还可以做成正方形和三角形等，各层托盘122的形状和大小也不限于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种等离子设备，其特征在于，包括：反应腔室，所述反应腔室的一端设有进气口，另一端设有排气口；反应托盘，所述反应托盘位于所述反应腔室中用于承载基片，其盘面与所述反应腔室中气体流动的方向平行；连接轴，所述连接轴的一端固定在所述反应托盘的中轴点上，另一端穿过所述反应腔室的侧壁与动力装置连接；动力装置，所述动力装置用于驱动所述连接轴旋转，所述连接轴旋转带动所述反应托盘旋转。2.如权利要求1所述的等离子设备，其特征在于，所述反应托盘包括至少两层重叠的托盘，各层托盘之间的间距相同，各层托盘之间通过支撑柱连接固定。3.如权利要求2所述的等离子设备，其特征在于，所述反应托盘的每一层托盘上均匀的放置所承载的基片。4.如权利要求3所述的等离子设备，其特征在于，所述反应托盘的每一层托盘上还包括定位槽，所述定位槽均匀的分布在所述反应托盘的每一层托盘上。5.如权利要求2所述的等离子设备，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：苟先华，张彬彬，肖峰，王鹏鹏，苏财钰，
申请(专利权)人：重庆康佳光电技术研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：