功率器件基本段交错连接的高压变频器制造技术

本发明专利技术涉及一种功率器件基本段交错连接的高压变频器，它主要由功率器件绝缘栅型双极型晶体管（ＩＧＢＴ）、桥型连接的箝位二极管筘位电路、续流二极管以及直流电容器组成功率器件基本段，以数个功率器件基本段交错连接组成变频器主回路，用空间电压矢量图的内在机理优化选择电压空间矢量及其电压输出状态，实现对变频器的输出电压三相同步调制和变频过程中的从旋转的极坐标到静止的平面三坐标的变换。变频器采用双脉宽调制接线，不设特殊的整流变压器，变频器整机结构大为简化，性能优于传统的高压变频器。变频器输出电压瞬时跳变只有一个电平，功率器件开关频度低，器件关断时的热损耗小，可靠性高。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及高压变频器，特别涉及一种功率器件基本段交错连接的多电平输出高压变频器。
技术介绍
目前，使用绝缘栅型双极型晶体管(IGBT，Insulation Gate Bipolar Transistor)作为功率器件的高压变频器均采用复杂的H桥型接线，其根本目的是解决绝缘栅型双极型晶体管(IGBT)器件耐受电压低的问题。H桥型接线的高压变频器输出电压在3.0kV～10.0kV范围内，输出功率可达数千kW。H桥型接线的高压变频器以罗宾康线路和富士线路为代表。它们均是将多个二电平输出或具有中性点箝位的三电平输出的单相逆变器首尾串联成为变频器的一相。图1所示，将输出电压的相位互相错开120°电角度的三相组成一台三相变频器。图1(a)是H桥型接线高压变频器主回路的基本结构，图中示出的是四单元串联。图1(b)是二电平输出的单相逆变单元。图1(c)是具有中性点箝位的三电平输出的单相逆变单元。图1中标号21是高压电源，22是单元，23是变压器，24是电机。H桥型接线的高压变频器存在着下列主要缺陷1.H桥型接线的高压变频器的结构复杂。它必须要有一台二次侧是多个绕组，且各个绕组之间互相错开一定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种功率器件基本段交错连接的高压变频器，其特征在于，它主要由功率器件绝缘栅型双极型晶体管ＩＧＢＴ、桥型连接的箝位二极管箝位电路、续流二极管以及直流电容器组成功率器件基本段，以数个功率器件基本段交错连接组成变频器主回路，用空间电压矢量图的内在机理优化选择电压空间矢量及其电压输出状态，实现对变频器的输出电压三相同步调制和变频过程中的从旋转的极坐标到静止的平面三坐标的变换。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钟述文，
申请(专利权)人：钟述文，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]