采用标准CMOS晶体管实现高耐压的整流器制造技术

技术编号:3386250 阅读:298 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种采用标准CMOS晶体管实现的高耐压桥式全波整流器,包括四个MOS晶体管(103,104,105,106)。在需承受高压的晶体管和整流器的输入端之间串接额外的晶体管(107,108),来减小该晶体管栅极上的电压。同时,还通过串接其他额外晶体管(109,110)的方式,对其栅极和源极之间的电压进行分压,从而在不增加额外工艺复杂性的情况下,采用标准的低压CMOS晶体管来实现高耐压整流器,降低了制造和工艺成本。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员:王兼明曹玉升毛军华巫向东
申请(专利权)人:上海凯路微电子有限公司
类型:发明
国别省市:31

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