改良式电荷帮浦电路制造技术

一种改良式电荷帮浦电路包含：一电荷帮浦电路，由上而下包含一第二ＰＭＯＳ晶体管、第一ＰＭＯＳ晶体管、第一ＮＭＯＳ晶体管及第二ＮＭＯＳ晶体管Ｎ２顺序迭接于一电源和接地参考点之间，其中，第一ＰＭＯＳ晶体管与第一ＮＭＯＳ晶体管的连接端是输出端，第一ＰＭＯＳ晶体管以第一固定偏压控制、第二ＰＭＯＳ晶体管由周期性第一脉波信号控制，两者形成充电段以对一低通滤波电路充电，第一ＮＭＯＳ晶体管以第二固定偏压控制，第二ＮＭＯＳ晶体管由周期性第二脉波信号控制，两者形成放电段以提供一低通滤波电路放电路径；一快速拉低电位电路及一快速拉高电位电路。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种电荷帮浦电路，特别是指一种应用于锁相回路中的电 荷帮浦电路。
技术介绍
电荷帮浦是一种可调节输出电压的大小，以使其提供一输出大于输入电 压的目的的电路。因此，常被广泛用以提供闪存存储器各种模式的电压。尽管，升压也可以使用DC-DC转换器来替代，但代价是成本和印刷电路板所占 的面积都会比电荷帮浦高。电荷帮浦电路(charge pump circuit)的另一用途是用于锁相回路，如图la 所示，包含一参考信号产生器1输出一参考电压Vref至相位频率比较器3。 而一振荡频率除法器6则是输出一(振荡频率/N)的信号至相位频率比较器3， 再与Vref进行比较，并据此控制电荷帮浦电路10的输出至两者相位差(phase difference)为0。电荷帮浦电路10通过一低通滤波器5以供应电压控制振荡器 4一电压以输出一振荡频率，此振荡频率也同时馈入频率除法器6而形成反馈。图lb为一典型的电荷帮浦本身的电路。电荷帮浦电路10是在电源VDD 与地之间，由上而下迭接第二 PMOS晶体管P2、第一 PMOS晶体管Pl、第 一 NMOS晶体管Nl及第二 NMOS晶体管N2。第一 PMO本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良式电荷帮浦电路，至少包含：　一电荷帮浦电路，由上而下包含一第二ＰＭＯＳ晶体管、第一ＰＭＯＳ晶体管、第一ＮＭＯＳ晶体管及第二ＮＭＯＳ晶体管依序迭接，其中，所述的第一ＰＭＯＳ晶体管与所述的第一ＮＭＯＳ晶体管的连接端是输出端，且所述的第一ＰＭＯＳ晶体管以第一固定偏压控制、所述的第二ＰＭＯＳ晶体管由周期性第一脉波信号控制，两者形成充电段，以对一低通滤波电路充电，所述的第一ＮＭＯＳ晶体管以第二固定偏压控制，所述的第二ＮＭＯＳ晶体管由周期性第二脉波信号两者形成放电段以提供一低通滤波电路放电路径；及　一电荷帮浦电路每阶段充电或放电切换时暂态现象消除电路，所述的暂态现象消除电路包含由一快速拉低电位电路...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈政宏，谢明宏，
申请(专利权)人：达盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]