一种新型电源电路可控硅控制器，包括一控制电路，一遥控接收电路，一电源电路。其特点是，所述的电源电路由双向可控硅构成的执行元件，阻容和二极管构成的供电元件，阻容构成的同步元件组成。双向可控硅的Ｔ２端直接连接市电负载，同时连接一电阻，此电阻为控制电路提供同步信号用于移相等应用。一个或几个二极管串联成组，另外一个或几个二极管串联成组，两组反向并联，串联在双向可控硅Ｔ１端回路中，当双向可控硅导通时，在此二极管组两端取得电源。一电容和一电阻串联后，并联在双向可控硅Ｔ１，Ｔ２极上，当双向可控硅关断时此阻容限流供电，在二极管组两端取得电源。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术属于电子
，系关于一种新式电源电路的双向可控硅电子控制器。
技术介绍
目前公知的可控硅控制器都要较为复杂的电源电路供电，成本较高，限制了进一步普遍应用。
技术实现思路
本技术的主要目的是提供一种简单，价廉，稳定的可控硅电子控制器。本技术包括一控制电路，一遥控接收电路，和一新型的电源电路。为实现前述目的，本技术提供一种新型电源电路，由双向可控硅构成的执行元件，阻容和二极管构成的供电元件，阻容元件构成的同步元件组成。双向可控硅的T2端直接连接市电负载，同时连接一电阻，此电阻为控制电路提供同步信号用于移相等应用。一电容和一电阻串联后，并联在双向可控硅T1，T2极上，当双向可控硅关断时此阻容限流供电。一个或几个二极管串联成组，另外一个或几个二极管串联成组，两组反向并联，串联在可控硅控制回路中，当双向可控硅导通时，在此二极管组两端取得电源。以此达到简单，价廉，稳定的目标。附图说明图1是本技术电源电路原理图。图2是本技术的模块原理图。具体实施方式下面进一步详细说明本技术的结构，特征，兹以较佳实施例与附图说明如下 请参阅附图1所见，交流市电E端通过负载连接到由C、R构成的限流供电电路、电阻RR构成的同步电路和执行元件双向可控硅TR的T2极上。D端输出同步信号，C端输入控制信号并通过电阻进入双向可控硅TR的G极。当双向可控硅导通时，由D1、D2、D3、D4、D5、D6组成的二极管组上的压降通过A、B端输出；当双向可控硅截止时，C、R供电，二极管组上的压降亦通过A、B端输出，供给受方控制部分(图未示)低压交流电源，经控制电路整流滤波后使用。与发光管串联的电阻和二极管共同组成市电指示。二极管组的另一端通过熔断器和开关连接交流市电F端形成回路。根据等效变换，所述负载也可连接在F端和本技术的电源电路A端之间。请参阅附图2所见，电源电路的A、B、C、D端与控制电路相连，与电源电路连接的控制电路由电源电路供电，并接受遥控接收电路的指令和电源电路的同步信号进行处理，输出移相触发信号控制电源电路中的执行元件对所接市电负载进行功率调节，完成控制功效。上述遥控接收电路的电源也由电源电路提供。根据等效变换，电源电路也可为温控、时控等电路供电。在此说明书中，本技术已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可作出各种修改和变换而不背离本技术的本质和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。权利要求1.一种新型电源电路可控硅控制器，由遥控接收电路，控制电路，电源电路组成，其中电源电路由双向可控硅构成的执行元件，阻容和二极管组构成的供电元件，阻容元件构成的同步元件组成，其特征在于一电容和一电阻串联后，并联在双向可控硅T1、T2极上，一个或几个二极管同向串联成组，另外一个或几个二极管同向串联成组，两组反向并联，然后一端连接于双向可控硅T1极和控制电路一电源端上，另一端连接控制电路另一电源端。专利摘要一种新型电源电路可控硅控制器，包括一控制电路，一遥控接收电路，一电源电路。其特点是，所述的电源电路由双向可控硅构成的执行元件，阻容和二极管构成的供电元件，阻容构成的同步元件组成。双向可控硅的T2端直接连接市电负载，同时连接一电阻，此电阻为控制电路提供同步信号用于移相等应用。一个或几个二极管串联成组，另外一个或几个二极管串联成组，两组反向并联，串联在双向可控硅T1端回路中，当双向可控硅导通时，在此二极管组两端取得电源。一电容和一电阻串联后，并联在双向可控硅T1，T2极上，当双向可控硅关断时此阻容限流供电，在二极管组两端取得电源。文档编号H02M5/02GK2819625SQ200520108568公开日2006年9月20日 申请日期2005年6月6日 优先权日2005年6月6日专利技术者李成 申请人:李成本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种新型电源电路可控硅控制器，由遥控接收电路，控制电路，电源电路组成，其中电源电路由双向可控硅构成的执行元件，阻容和二极管组构成的供电元件，阻容元件构成的同步元件组成，其特征在于：一电容和一电阻串联后，并联在双向可控硅Ｔ１、Ｔ２极上，一个或几个二极管同向串联成组，另外一个或几个二极管同向串联成组，两组反向并联，然后一端连接于双向可控硅Ｔ１极和控制电路一电源端上，另一端连接控制电路另一电源端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李成，
申请(专利权)人：李成，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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