IGBT全桥逆变电源的主电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种ＩＧＢＴ全桥逆变电源的主电路，包括由四个ＩＧＢＴ管Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４构成的四个桥臂，低阻驱动源ｑ１、ｑ２、ｑ３、ｑ４，输出主变压器，ＩＧＢＴ管Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４的栅极分别串联有驱动电阻Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４，其特征在于所述相邻或对角桥臂的ＩＧＢＴ驱动电阻不等，且驱动电阻较大的２个ＩＧＢＴ管源、漏极两端旁路有同等容量的电容Ｃ，即Ｒ１＝Ｒ３＝ａ；Ｒ２＝Ｒ４＝ｂ或Ｒ１＝Ｒ２＝ａ；Ｒ３＝Ｒ４＝ｂ；参数选取ａ＝（１＋β）ｂ或ｂ＝（１＋β）ａ，β＝２０％～４００％；电容Ｃ＝２００ｐＦ～１００００ｐＦ。本实用新型专利技术采用全桥逆变电源的主电路结构，独特的参数设计，与主输出主变压器，电气性能配合最佳，极大地提高了ＩＧＢＴ开关器件工作的可靠性。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种逆变电源，具体是一种改进IGBT全桥驱动和相关变换 电源的主电路。
技术介绍
IGBT逆变电源作为大功率工业电源可广泛应用于各种行业，如电镀、电解 行业，焊割行业等，已成为我们社会发展的基础。传统的工业电源多为可控硅整 流，或自耦变压器调整输出。与之比较，IGBT逆变电源具有体积小，重量轻，输出 效率高以及节能节材的优势，为传统的工业电源行业带来了革命性的变化，称 为"明天的电源"。但是，IGBT逆变电源电路复杂，各元器件参数设计若不合 理，会导致IGBT易误触发而损坏。因此，工作的可靠性是制约目前IGBT逆变电 源推广应用的一个重要因素。
技术实现思路
本技术的目的是改进一种IGBT全桥逆变电源的主电路，并合理配合其 相关IGBT栅极驱动参数，依据主变压器的漏感大小，设计电容C的参数。可有 效降低IGBT电应力，大大提高了 IGBT触发的可靠性，减少了 IGBT在开关过程 失效的可能。提高了逆变电源的安全性能与使用寿命。本技术的技术方案如下IGBT全桥逆变电源的主电路，包括由四个IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4构成的 四个桥臂，低阻驱动源ql、 q2、 q3、 q4，输出主变压器，IGBT管T1、 T2、 T3、 T4的栅极分别串联有驱动电阻R1、 R2、 R3、 R4，其特征在于所述相邻或对角桥 臂的IGBT驱动电阻不等，且驱动电阻较大的2个IGBT管源、漏极两端旁路有同 等容量的电容C，即R一R3:a; R2 = R4=b或Rl=R2=a; R3二R4:b;参数选取a= (l+e )b或b二(l+e )a，a= 1 Q 500Q，b= 1 Q 500Q, P =20% 400%; 电容0= 200 pF 10000pF。 .所述的驱动电阻较小的一个或二个IGBT管源、漏极两端旁路有电容。本IGBT全桥逆变电源的主电路的技术适用于IGBT器件，也适用于其他类型的大功率开关元器件。本技术采用改进全桥驱动和相关变换电源的主电路，独特的参数设计，与主输出主变压器电气性能配合最佳，极大地提高了 IGBT开关器件工作的可靠性。附图说明图1为本技术电路结构之一示意图。 图2为本技术电路结构之二示意图。 图3为本技术电路结构之三示意图。 图4为本技术电路结构之四示意图。 图5为本技术电路结构之五示意图。 图6为本技术电路结构之六示意图。具体实施方式例l:参见附图1。IGBT全桥逆变电源的主电路包括由四个IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4构成的四 个桥臂，低阻驱动源ql、 q2、 q3、 q4，输出主变压器，IGBT管Tl、 T2、 T3、 T4 的栅极分别串联有驱动电阻R1、 R2、 R3、 R4，两个IGBT管源漏极旁路电容C。 即Rl二R3二a; R2=R4=b;参数选取a=l. 2 5b， a=1.2Q 500Q， b= 1 Q 100Q， 2个IGBT管T1、 T3的源、漏极分别旁路电容C，电容C= 200 pF 10000pF。 例2:参见图2。即Rl=R3=a; R2=R4=b;参数选取b = l. 2 5 a， a= 1 Q 100Q， b= 1 .2 Q 500Q，2个IGBT管T2、 T4的源、漏极分别旁路电容C，电容C= 200 pF 10000pF。 例3:参见图3。即Rl=R2=a; R3=R4=b;参数选取a=l. 2 5b， a= 1 .2Q 500Q， b= 1 Q 100 Q， 2个IGBT管Tl、T2的源、漏极分别旁路电容C，电容C二 200pF 1000.0pF。 例4:参见图4。即Rl=R2=a; R3=R4=b;参数选取b二1.2 5 a， a= 1 Q 100Q， b= 1 . 2 Q 500Q， 2个IGBT管T3、 T4的源、漏极分别旁路电容C，电容O 200 pF 10000pF。 例5:即Rl = R3=a; R2 = R4=b;参数选取a二1.2 5 b， a=1.2Q 500Q， b = 1 Q 100Q， 2个IGBT管T1、 T3的源、漏极分别旁路电容C, IGBT管T2的源、 漏极接旁路电容C1，电容0= 200 pF 10000pF。 例6:即Rl=R2=a; R3=R4=b;参数选取a=l. 2 5 b， a= 1 . 2Q 500Q ， b= 1 Q 100Q， 2个IGBT管T1、 T2的源、漏极分别旁路电容C， 2个IGBT管T3、 T4的源、漏极分别旁路电容C2、 C3，电容〔=200 pF 10000pF。权利要求1. IGBT全桥逆变电源的主电路，包括由四个IGBT管(T1、T2、T3、T4)构成的四个桥臂，低阻驱动源(q1、q2、q3、q4)，输出主变压器，IGBT管(T1、T2、T3、T4)的栅极分别串联有驱动电阻(R1、R2、R3、R4)，其特征在于所述相邻或对角桥臂的IGBT驱动电阻不等，且驱动电阻较大的2个IGBT管源、漏极两端旁路有同等容量的电容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；参数选取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，a＝1Ω～500Ω，b＝1Ω～500Ω，β＝20％～400％；电容C＝200pF～10000pF。2、 根据权利要求1所述的IGBT全桥逆变电源的主电路，其特征在于所述的驱 动电阻较小的一个或二个IGBT管源、漏极两端旁路有电容。专利摘要本技术公开了一种IGBT全桥逆变电源的主电路，包括由四个IGBT管T1、T2、T3、T4构成的四个桥臂，低阻驱动源q1、q2、q3、q4，输出主变压器，IGBT管T1、T2、T3、T4的栅极分别串联有驱动电阻R1、R2、R3、R4，其特征在于所述相邻或对角桥臂的IGBT驱动电阻不等，且驱动电阻较大的2个IGBT管源、漏极两端旁路有同等容量的电容C，即R1＝R3＝a；R2＝R4＝b或R1＝R2＝a；R3＝R4＝b；参数选取a＝(1+β)b或b＝(1+β)a，β＝20％～400％；电容C＝200pF～10000pF。本技术采用全桥逆变电源的主电路结构，独特的参数设计，与主输出主变压器，电气性能配合最佳，极大地提高了IGBT开关器件工作的可靠性。文档编号H02M7/5387GK201122909SQ20072004069公开日2008年9月24日 申请日期2007年7月14日 优先权日2007年7月14日专利技术者袁忠杰 申请人:袁忠杰本文档来自技高网...

【技术保护点】
ＩＧＢＴ全桥逆变电源的主电路，包括由四个ＩＧＢＴ管（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）构成的四个桥臂，低阻驱动源（ｑ１、ｑ２、ｑ３、ｑ４），输出主变压器，ＩＧＢＴ管（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）的栅极分别串联有驱动电阻（Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４），其特征在于所述相邻或对角桥臂的ＩＧＢＴ驱动电阻不等，且驱动电阻较大的２个ＩＧＢＴ管源、漏极两端旁路有同等容量的电容Ｃ，即Ｒ１＝Ｒ３＝ａ；Ｒ２＝Ｒ４＝ｂ或Ｒ１＝Ｒ２＝ａ；Ｒ３＝Ｒ４＝ｂ；参数选取ａ＝（１＋β）ｂ或ｂ＝（１＋β）ａ，ａ＝１Ω～５００Ω，ｂ＝１Ω～５００Ω，β＝２０％～４００％；电容Ｃ＝２００ｐＦ～１００００ｐＦ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：袁忠杰，
申请(专利权)人：袁忠杰，
类型：实用新型
国别省市：34[中国|安徽]