一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置制造方法及图纸

技术编号:33850833 阅读:86 留言:0更新日期:2022-06-18 10:37
本发明专利技术提供一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置。本发明专利技术包括装置壳体和设置于所述装置壳体内的声学产生及传播装置,本发明专利技术在保证高稳定性和高效率的条件下,将锡液体局部加热部分与声学产生装置分隔开,解决了声学产生装置无法在高温下工作的问题。本发明专利技术声学产生装置在锡滴产生装置内部独立安装,可以极大程度上保证外界的微扰减少至最小。此外,小孔的更换非常容易,可以快速在装置外部完成。利用此发明专利技术即可实现锡滴极高的空间稳定性极和好的高频重复性,从而为LPP光源提供良好的锡滴束源。从而为LPP光源提供良好的锡滴束源。从而为LPP光源提供良好的锡滴束源。

【技术实现步骤摘要】
一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置


[0001]本专利技术涉及EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外)光源领域,尤其涉及一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置。

技术介绍

[0002]半导体制造业发展迅速,现阶段主要光刻技术为EUVL(Extreme Ultraviolet Lithography,极紫外光刻)。EUVL技术利用极紫外波段13.5nm波长的光作为光刻机光源进行芯片刻蚀。由于使用的13.5nm波长的光波长很短,所以EUVL可以实现很高的芯片刻蚀精度。LPP(Laser Produced Plasma,激光产生等离子体)光源是目前业界内主流的的EUV光源,其原理为大功率二氧化碳激光聚焦后与液滴锡靶供应装置产生的连续锡滴相互作用,锡滴在激光的照射下气化进一步电离发射出13.5nm的EUV光。之后EUV光被大口径的反镜收集得到功率较高的EUV光。目前阶段商用的EUV光刻光源焦点处的峰值功率可达150W及以上。EUV光源在芯片制造时,需要在高频(~kHz量级)下稳定工作。这就要求锡靶供应装置产生的锡滴的空间稳定性极高,而且高频重复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种极紫外光源的液滴锡靶供应装置,其特征在于,包括装置壳体和设置于所述装置壳体内的声学产生及传播装置,所述装置壳体包括主壳体和设置在上的第一端盖板、第二端盖板,所述第一端盖板上集成有存储液态锡的腔室以及与该腔室相连的小孔盖板,所述存储液态锡的腔室连接有供料管,所述小孔盖板上设有供锡液滴流流动的小孔,第一端盖板上还连接有集成加压装置和温度调节装置,所述集成加压装置用于向存储液态锡的腔室中加压,得到连续的锡喷射流,所述温度调节装置用于调节第一端盖板的温度,所述声学产生及传播装置的输出端与所述存储液态锡的腔室相连,其用于将连续的锡喷射流变为稳定的锡液滴流,所述声学产生及传播装置配套有主动制冷装置,所述第二端盖板上设有供主动制冷装置连接的通道。2.根据权利要求1所述的极紫外光源的液滴锡靶供应装置,其特征在于,所述温度调节装置包括加热棒和温度探头,通过读取温度探头处温度,反馈调节各个加热棒两端的电压。3.根据权利要求1所述的极紫外光源的液滴锡靶供应装置,其特征在于,所述声学产生及传播装置的输出端通过特制件与第一端盖板上的存储液态锡的腔室相连,所述特制件包括薄膜和尾杆,所述特制件一侧为第一端盖板,另一侧为特制件盖板,声学产生及传播装置的输出端与特制件尾杆进行连接,将产生的声学振动传到特制件薄膜上,从而驱动锡滴产生装置产生稳定的锡滴。4.根据权利要求3所述的极紫外光源的液滴锡靶供应装置,其特征在于,所述第二端盖板上集成有气压平衡管路,所述气压平衡管路用于平衡薄膜两侧的压力。5.根据权利要求1或3所述的极紫外...

【专利技术属性】
技术研发人员:焦志润王黑龙
申请(专利权)人:中国科学院大连化学物理研究所
类型:发明
国别省市:

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