用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法技术

提供了一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。也提供使计算机设备执行上述方法的计算机程序、和其上存储有这种计算机程序的计算机程序产品，正如具有适于执行上述方法或运行上述程序的处理器的设备，诸如光刻设备。所述方法和设备可以导致临界尺寸均匀性的改善。致临界尺寸均匀性的改善。致临界尺寸均匀性的改善。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月7日提交的欧洲申请19207681.8的优先权，并且所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。


[0003]本专利技术涉及用于在光刻过程中改善衬底的均匀性的方法。特别地，但非排他性地，本专利技术涉及改善衬底上的特征的临界尺寸(CD)均匀性和/或增加曝光宽容度。本专利技术可以被用于所有形式的光刻设备。

技术介绍

[0004]光刻设备是一种被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(通常也称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
[0005]光刻设备用于将图案投影到衬底上的辐射的波长确定了能够在所述衬底上形成的特征的最小大小。使用EUV辐射(所述EUV辐射是具有在4nm
‑
20nm范围内的波长的电磁辐射)的光刻设备可以用于在衬底上形成比使用DUV辐射(例如具有193nm的波长)的光刻设备更小的特征。
[0006]一些光刻设备，特别是那些使用EUV辐射的光刻设备，使用具有金属氧化物光致抗蚀剂或光刻胶(MOR)的衬底作为光敏感层或感光层。这些衬底通过单次曝光EUV而被图案化，然后被后处理，这可能包括曝光后焙烤和显影，以及可能的硬焙烤。作为这种处理的结果，所产生的CD均匀性可能低于期望值。

技术实现思路

[0007]本专利技术的目的是提供处理衬底的方法，所述方法改善所述衬底的临界尺寸均匀性。
[0008]在本专利技术的实施例中，提供了一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。
[0009]在本专利技术的另外的实施例中，提供了一种包括计算机可读指令的计算机程序，所述计算机可读指令当在适当的计算机设备上运行时促使所述计算机设备执行上述实施例的方法，以及提供了一种在其上存储有这种计算机程序的计算机可读介质。
[0010]在本专利技术的另一个实施例中，提供了一种具有处理器的设备，所述处理器专门适于执行上述第一实施例的方法的步骤和/或运行上述实施例的计算机程序。
附图说明
[0011]现在将仅以示例的方式，参考附图来描述本专利技术的实施例，其中相对应的附图标记指示相对应的部分或部件，并且在附图中：
[0012]图1是包括光刻设备和辐射源的光刻系统的示意性图示；和
[0013]图2是示出根据本专利技术实施例的方法对曝光宽容度的影响的曲线图。
具体实施方式
[0014]图1是光刻系统的示意性图示。所述光刻系统包括辐射源SO和光刻设备LA。所述辐射源SO配置成产生极紫外(EUV)辐射束B。所述光刻设备LA包括照射系统IL、配置成支撑图案形成装置MA的支撑结构MT、投影系统PS、以及配置成支撑衬底W的衬底台WT。照射系统IL被配置成在辐射束B入射到图案形成装置MA上之前调节辐射束B。投影系统被配置为将辐射束B(现在由图案形成装置MA图案化)投影到衬底W上。衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，光刻设备将被图案化的辐射束B与先前形成于衬底W上的图案对准。
[0015]辐射源SO、照射系统IL和投影系统PS全部可以被构造和布置成使得它们能够与外部环境隔离。可以在辐射源SO中提供在低于大气压的压力下的气体(例如氢气)。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供真空。可以在照射系统IL和/或投影系统PS中提供在远低于大气压的压力下的少量气体(例如氢气)。
[0016]图1中示出的辐射源SO是可以被称为激光产生的等离子体(LPP)源的类型。激光器1(例如可以包括CO2激光器)被布置成经由激光束2将能量沉积到燃料(诸如从燃料发射器3提供的锡(Sn))中。虽然在下文的描述中提到锡，但是可以使用任何合适的燃料。所述燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿朝向等离子体形成区4的轨迹引导例如呈液滴形式的锡。激光束2在等离子体形成区4处被入射到锡上。激光能量沉积到锡中，从而在等离子体形成区4处产生等离子体7。在等离子体的离子的去激励期间和复合期间，从等离子体7发射包括EUV辐射的辐射。
[0017]EUV辐射由近正入射式辐射收集器5(有时更通常地称为正入射式辐射收集器)收集和聚焦。收集器5可以具有多层结构，其被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的期望波长的EUV辐射)。收集器5可以具有椭圆形配置，所述椭圆形配置具有两个椭圆焦点。如下文所论述的，第一焦点可以位于等离子体形成区4处，第二焦点可以位于中间焦点6处。
[0018]在激光产生的等离子体(LPP)源的其它实施例中，收集器5可以是所谓的掠入射收集器，其被配置为以掠入射角接收EUV辐射且将EUV辐射聚焦在中间焦点处。例如，掠入射收集器可以是巢式收集器，其包括多个掠入射反射器。掠入射反射器可以在光轴O周围轴向对称地设置。
[0019]辐射源SO可以包括一个或更多个污染物陷阱(未示出)。例如，污染物陷阱可以位于等离子体形成区4与辐射收集器5之间。污染物陷阱可以例如是旋转翼片阱，或可以是任何其它合适形式的污染物陷阱。
[0020]激光器1可以与辐射源SO分立。在这种情况下，激光束2可以借助于束传递系统(未示出)从激光器1传递到辐射源SO，所述束传递系统包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器、和/或其它光学器件。激光器1和辐射系统SO可以一起被认为是辐射系统。
[0021]由收集器5反射的辐射形成辐射束B。辐射束B在点6处被聚焦以形成等离子体形成
区4的图像，其用作用于所述照射系统IL的虚拟辐射源。辐射束B被聚焦于的点6可以被称为所述中间焦点。辐射源SO被布置成使得中间焦点6位于辐射源的封闭结构9中的开口8处或附近。
[0022]辐射束B从辐射源SO传递进入照射系统IL中，所述照射系统IL被配置成调节辐射束。照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为辐射束B提供期望的横截面形状和期望的角分布。辐射束B从照射系统IL传递并且被入射到由支撑结构MT保持的图案形成装置MA上。图案形成装置MA(例如，可以是掩模)反射所述辐射束B并且对辐射束B进行图案化。除了琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11之外、或代替琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11，照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。
[0023]在从图案形成装置MA反射之后，被图案化的辐射束B进入投影系统PS。投影系统包括多个反射镜13、14，所述多个反射镜13、14被配置成将辐射束B投影到由衬底台本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种处理衬底的方法，所述衬底具有形成在其上的金属氧化物抗蚀剂层，所述方法包括以下步骤：将所述衬底曝光于图案化辐射以形成包括位于所述金属氧化物抗蚀剂层中的多个特征的图案；将所述衬底的包括至少一个所述特征的一部分曝光于调节辐射，由此引起所述金属氧化物抗蚀剂层在所述部分中收缩。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述调节辐射是电磁辐射。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述调节辐射是电子束辐射。4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中将所述衬底的一部分曝光于调节辐射的步骤包括将所述衬底的多个部分曝光于调节辐射。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述多个部分中的至少两个部分被曝光于不同剂量的调节辐射。6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述调节辐射遍及被曝光的部分是均匀的。7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述调节辐射的强度遍及被...

【专利技术属性】
技术研发人员：J，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：