【技术实现步骤摘要】
具有交叉区的半导体装置
[0001]本文中所描述的主题的实施例大体上涉及包括RF晶体管的半导体装置。
技术介绍
[0002]射频晶体管和集成电路越来越多地用于大功率、高频率应用。这些大功率、高频率应用越来越需要更小的芯片大小，以实现更高的集成度和更低的成本。因此，需要芯片大小减小的半导体装置。
技术实现思路
[0003]根据本专利技术的第一方面，提供一种半导体装置，包括：
[0004]半导体衬底，所述半导体衬底包括上部表面和下部表面；
[0005]第一载流电极，所述第一载流电极形成于所述半导体衬底上方；
[0006]第二载流电极，所述第二载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第一载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极被配置成支持平行于第一方向的从所述第一载流电极到所述第二载流电极的电流；
[0007]第一控制电极，所述第一控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在第一载流电极与所述第二载流电极之间，其中所述第一控制电极被配置成控制电流从所述第一载流电极到所述第二载
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括上部表面和下部表面；第一载流电极，所述第一载流电极形成于所述半导体衬底上方；第二载流电极，所述第二载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第一载流电极，其中所述第一载流电极和所述第二载流电极被配置成支持平行于第一方向的从所述第一载流电极到所述第二载流电极的电流；第一控制电极，所述第一控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在第一载流电极与所述第二载流电极之间，其中所述第一控制电极被配置成控制电流从所述第一载流电极到所述第二载流电极的流动；第三载流电极，所述第三载流电极形成于所述半导体衬底上方且电耦合到所述第一载流电极；第四载流电极，所述第四载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第三载流电极，其中所述第三载流电极和所述第四载流电极被配置成支持平行于第二方向的从所述第三载流电极到所述第四载流电极的电流，并且其中所述第四载流元件电耦合到所述第二载流电极；第二控制电极，所述第二控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在所述第三载流电极与所述第四载流电极之间，其中所述第二控制元件被配置成控制电流从所述第三载流电极到所述第四载流电极的所述流动，并且其中所述第二控制电极电耦合到所述第一控制电极；第一交叉区，所述第一交叉区电耦合到所述第一控制电极；以及第二交叉区，所述第二交叉区电耦合到所述第四载流电极，其中所述第二交叉区与所述第一交叉区的一部分相交。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，另外包括：第一有源区域，所述第一有源区域形成于所述半导体衬底中，电耦合到所述第一载流电极、所述第二载流电极和所述第一控制电极；以及第二有源区域，所述第二有源区域形成于所述半导体衬底中，电耦合到所述第三载流电极、所述第四载流电极和所述第二控制电极。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，另外包括形成于所述半导体衬底中的使所述第一有源区域与所述第二有源区域电隔离的隔离区。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，另外包括所述第一有源区域与所述第二有源区域之间的连续电连接。5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，另外包括：第五载流电极，所述第五载流电极形成于所述半导体衬底上方，第六载流电极，所述第六载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第五载流电极，其中所述第五载流电极和所述第六载流电极被配置成支持平行于所述第一方向的从所述第五载流电极到所述第六载流电极的电流；第三控制电极，所述第三控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在第五载流电极与所述第六载流电极之间，其中所述第三控制电极被配置成控制电流从所述第五载流电极到所述第六载流电极的所述流动；
第七载流电极，所述第七载流电极形成于所述半导体衬底上方且耦合到所述第五载流电极；第八载流电极，所述第八载流电极形成于所述半导体衬底上方且邻近于所述第七载流电极，其中所述第七载流电极和所述第八载流电极被配置成支持平行于第三方向的从所述第七载流电极到所述第八载流电极的电流，并且其中所述第八载流元件电耦合到所述第六载流电极；第四控制电极，所述第四控制电极形成于所述半导体衬底上方且安置在所述第七载流电极与所述第八载流电极之间，其中所述第四控制元件被配置成控制电流从所述第七载流电极和所述第八载流电极的所述流动，并且其中所述第四控制电极电耦合到所述第三控制电极；并且其中所述第八载流电极电耦合到所述第二交叉区。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，另外包括：第一晶体管指，所述第一晶体管指包括所述第一载流电极、所述第二载流电极、所述第一控制电极、所述第三载流电极、所述第四载流电极和所述第二控制电极；以及第...
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