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本公开涉及具有交叉区的半导体装置。一种半导体装置，包括：半导体衬底；第一载流电极；第二载流电极；安置在所述第一载流电极与所述第二载流电极之间的第一控制电极；电耦合到所述第一载流电极的第三载流电极；以及邻近于所述第三载流电极的第四载流电极。所...
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