一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质，包括：获取待测样品材料类型，其中，所述待测样品为半导体材料；基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度；基于二次谐波表征方法，对调整温度后的所述待测样品进行表征。述待测样品进行表征。述待测样品进行表征。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质。

技术介绍

[0002]二次谐波(SHG)作为一种新型的光学表征方法，由于其具有快速、无损、简便的优点，在半导体缺陷表征领域已经取得大量成果。对于Si材料，通过分析不同偏振条件下SHG强度随方位角的变化可以获得Si界面和体材料的信息，通过扫描可以获得Si表面损坏情况；对于GaN和SiC等宽禁带材料，分析不同偏振条件下SHG强度随方位角的变化可以获得材料中非均匀应变的信息，通过扫描可以获得材料表面不同晶型的缺陷；对于半导体材料上的电介质，通过时间相关的二次谐波(TD
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SHG)可以获得界面态密度Dit与固定氧化物电荷Qox的信息。
[0003]但是，在利用TD
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SHG对半导体材料进行表征时，从激光入射样品到探测器接收到饱和的SHG信号需要一定的时间，并且扫描表征需要测试大量的数据点，这会增加表征时间，不利于SHG表征技术集成到工艺线中。<br/>
技术实现思路
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体缺陷表征的方法，其特征在于，包括：获取待测样品材料类型，其中，所述待测样品为半导体材料；基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度；基于二次谐波表征方法，对调整温度后的所述待测样品进行表征。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度，包括：基于所述待测样品在不同温度条件下对应的二次谐波信号的饱和时间，确定所述待测样品需要调整到的温度。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整所述待测样品的温度，包括：基于如下公式确定调整所述待测样品的温度的调整时间：T＝T1+T2其中，T为调整时间；T1为加热时间，所述加热时间为所述待测样品调整到所述需要调整到的温度的时间；T2为维持时间，所述维持时间为使所述待测样品维持在所述需要调整到的温度的时间。4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，T2是T1的两倍。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述调整所述待测样品的温度，包括：使用温度控制器调整所述待测样品的温度，所述温度控制器在25℃
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500℃范围连续可调。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度包括：基于所述待测样品衬底的材料类型，调整所述待测样品的温度。7.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵泓达，李博，王磊，王然，张紫辰，张昆鹏，罗家俊，滕瑞，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：