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本发明公开了一种半导体缺陷表征的方法、装置、系统、设备及介质，包括：获取待测样品材料类型，其中，所述待测样品为半导体材料；基于所述待测样品材料类型，调整所述待测样品的温度；基于二次谐波表征方法，对调整温度后的所述待测样品进行表征。述待测样品...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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