利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备制造技术

本发明专利技术提供一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，用以对一晶圆进行电浆蚀刻，包括一真空腔体、一第一电极、一第二电极、一智能控制模组、一蚀刻气体模组及一监测模组。第一电极与第二电极对向设置于真空腔体内，蚀刻气体模组与监测模组分别与智能控制模组电性连接，蚀刻气体模组用以将蚀刻气体供应至第一电极与第二电极之间，监测模组用以监测蚀刻过程中的一特征参数；其中，智能控制模组能够根据特征参数所产生的变化，来控制蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。借此，本发明专利技术能够智能判断停止蚀刻的触发时点，具有提升再加工作业的效率。业的效率。业的效率。

【技术实现步骤摘要】
利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备


[0001]本专利技术是关于一种电浆蚀刻相关设备，特别是指一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备。

技术介绍

[0002]晶圆为半导体制作工艺中所必须使用到的材料，用以作为集成电路的载体。由于晶圆本身材料成本越来越贵，因此当晶片制作工艺中因缺陷产生而无法继续制作时，若直接报废或丢弃有缺陷的晶圆是相当的浪费与可惜。面对这样的情形，目前的作法是利用再加工处理(Rework)，以便晶圆再次的能够被利用与加工，减少成本与资源的浪费。
[0003]然而，传统的再加工处理(Rework)，以物理研磨将晶圆表面上经过溅镀、蚀刻、沉积等工艺的图案去除，使晶圆能够再次的进行图案制作，但是传统的方法容易损伤晶圆的表面，造成缺陷扩大，而且经过再加工处理(Rework)的晶圆的成品品级也不高。
[0004]并且，在研磨过程中，必须依赖人工经验判断，并进行多次的反复确认是否已经研磨至较佳程度，如此相当倚重人力，造成耗时，如果待再加工处理(Rework)的晶圆先前的工艺状况并非相同，还将造成处理上的不便与困扰。

技术实现思路

[0005]为解决上述缺陷，本专利技术公开一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，其能够智能判断停止蚀刻的触发时点，使晶圆于电浆蚀刻过程中，无须人工反复判断是否已完成再加工作业，具有提升再加工作业的效率。
[0006]为达上述目的，本专利技术实施例中提供一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，用以对一晶圆进行电浆蚀刻，包括一真空腔体、一第一电极、一第二电极、一智能控制模组、一蚀刻气体模组及一监测模组。真空腔体具有一腔室；第一电极与第二电极设于腔室内；第二电极与第一电极对向设置，第二电极与第一电极之间具有一蚀刻间距，晶圆位于蚀刻间距；智能控制模组用以控制再加工处理设备；蚀刻气体模组与智能控制模组电性连接，用以将蚀刻气体供应至蚀刻间距；以及监测模组与智能控制模组电性连接，用以监测蚀刻过程中的一特征参数；其中，智能控制模组能够根据特征参数所产生的变化，来控制蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。
[0007]于另一实施例中，监测模组以电浆频率感测特征参数。
[0008]于另一实施例中，智能控制模组根据特征参数转换产生一频率时间波形，当频率时间波形的一斜率由正转变为负时，智能控制模组控制蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。
[0009]于另一实施例中，智能控制模组具有一时间单元，时间单元能够预设一秒数，智能控制模组能根据秒数进行辨识判定，当频率时间波形的斜率由正转变为负，且发生时间低于秒数时，智能控制模组不会使蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。
[0010]于另一实施例中，监测模组以光谱监测、气体监测、电射光监测、影像监测所组成的群组的方式监测特征参数。
[0011]于另一实施例中，智能控制模组具有一调控单元，调控单元能够依据特征参数的变化而判断产生一调控讯号，智能控制模组依据调控讯号，使再加工处理设备执行各项参数的调变。
[0012]于另一实施例中，还包括一判断模组，其与智能控制模组电性连接，判断模组能够判断晶圆的种类及厚度，并产生一判断讯号至智能控制模组。
[0013]于另一实施例中，蚀刻气体模组具有一气体分配单元，用以对应晶圆而输出预定的气体。
[0014]于另一实施例中，还包括一储存模组，其与智能控制模组电性连接，储存模组能够储存一比对参数，比对参数用以与特征参数比对，调控单元依据比对参数与特征参数的差值，而产生调控讯号。
[0015]借此，本专利技术能够智能判断停止蚀刻的触发时点，无须人工反复确认与判断，具有节省人力，以及避免作业耗时的问题。
[0016]并且，本专利技术能以判断模组作初步判断晶圆的种类，再配合智能调控工艺参数，提升再加工效率。
附图说明
[0017]图1为本专利技术再加工处理设备的结构示意图；图2为本专利技术再加工处理设备的控制架构示意图；图3为本专利技术依据特征参数所产生的频率时间波形示意图。
[0018]附图标记说明1、再加工处理设备；2、晶圆；10、真空腔体；11、第一电极；111、穿孔；12、第二电极；13、腔室；14、高频电源；20、智能控制模组；21、时间单元；22、调控单元；30、蚀刻气体模组；31、气体分配单元；40、监测模组；50、判断模组；60、储存模组；D、蚀刻间距；22、调控单元；A、位置；B、位置。
具体实施方式
[0019]以下参照各附图详细描述本专利技术的示例性实施例，且不意图将本专利技术的技术原理限制于特定公开的实施例，而本专利技术的范围仅由申请专利范围限制，涵盖了替代、修改和等同物。
[0020]请参阅图1至图3所示，为本专利技术为一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备1，用以对一晶圆2进行电浆蚀刻，使晶圆2经过再加工处理，而能够再次地被利用，免除直接报废的情形。本专利技术再加工处理设备1包括一真空腔体10、一第一电极11、一第二电极12、一智能控制模组20、一蚀刻气体模组30及一监测模组40。
[0021]真空腔体10具有一腔室13，第一电极11与第二电极12设于腔室13内，第二电极12与第一电极11呈对向设置，且第二电极12与第一电极11之间具有一蚀刻间距D，晶圆2位于蚀刻间距D内而进行电浆蚀刻。其中，第二电极12作为一保持平台用以承载晶圆2于其上，且第二电极12与一高频电源14电性连接。而第一电极11包括有多个穿孔111，以使蚀刻气体通过多个穿孔111而流入腔室13并流向蚀刻间距D内的晶圆2，同时通过高频电源14施加高频电压于蚀刻间距D，借此产生电浆并对晶圆2进行电浆蚀刻的再加工作业。于另一项实施例，
第一电极11与第二电极12都与高频电源14电性连接，或是其一电极接电，另一电极接地，本专利技术所采用的可为反应式离子蚀刻（Reactive
‑
Ion Etching, RIE）。此外本专利技术所述电浆包括但不限于，感应耦合电浆源(Inductively
‑
Coupled Plasma, ICP)、远端电浆源(Remote Plasma Source, RPS)、微波电浆源(Microwave Plasma Source)。
[0022]智能控制模组20用以控制再加工处理设备1。
[0023]蚀刻气体模组30，与智能控制模组20电性连接，用以控制蚀刻气体供应至蚀刻间距D。
[0024]监测模组40，与智能控制模组20电性连接，用以监测蚀刻过程中的一特征参数。其中，监测模组40在腔室13内监测蚀刻过程中的特征参数，但不以此为限制。例如是在腔室13监测晶圆2的特征参数、气体的特征参数或电浆的特征参数等。
[0025]其中，智能控制模组20能够根据特征参数所产生的变化，来控制蚀刻气体模组30停止供应蚀刻气体。借此，本专利技术的再加工处理设备1能够依据晶圆2的特征参数所产生的变化，经过智能判断而停止电浆蚀刻，如此无须人工经验反复确认晶圆2是否已达蚀刻标准，具有节省人力的优点，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，其特征在于，用以对一晶圆进行电浆蚀刻，该再加工处理设备包括：一真空腔体，其具有一腔室；一第一电极，其设于该腔室内；一第二电极，其设于该腔室内而与该第一电极对向设置，该第二电极与该第一电极之间具有一蚀刻间距，该晶圆位于该蚀刻间距；一智能控制模组，用以控制该再加工处理设备；一蚀刻气体模组，与该智能控制模组电性连接，用以将蚀刻气体供应至该蚀刻间距；以及一监测模组，与该智能控制模组电性连接，用以监测蚀刻过程中的一特征参数；其中，该智能控制模组能够根据该特征参数所产生的变化，来控制该蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。2.如权利要求1所述的利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，其特征在于：该监测模组以电浆频率感测该特征参数。3.如权利要求2所述的利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，其特征在于：该智能控制模组根据该特征参数转换产生一频率时间波形，当该频率时间波形的一斜率由正转变为负时，该智能控制模组控制该蚀刻气体模组停止供应蚀刻气体。4.如权利要求3所述的利用电浆蚀刻去除晶圆缺陷的再加工处理设备，其特征在于：该智能控制模组具有一时间单元，该时间单元能够预设一秒数，该智能控制模组能根据该秒数进行辨识判定，当该频率时间波形的斜率由正转变为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李原吉，刘品均，蔡明展，
申请(专利权)人：友威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：