一种曝光方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种曝光方法及装置，其中所述曝光装置包括光源、照明系统、支架系统、掩模台、扫描运动台、物镜系统以及切换运动台，所述切换运动台用于实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，以实现曝光场位置的切换。本发明专利技术通过设置切换运动台可以实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，同时采用倍率为1：1的物镜，进而可以满足掩模图形小于硅片尺寸的情况下进行投影曝光，由于采用了比硅片或基板尺寸更小的掩模版，有效减少了设备的使用成本，满足制造高分辨率产品的条件。造高分辨率产品的条件。造高分辨率产品的条件。

【技术实现步骤摘要】
一种曝光方法及装置


[0001]本专利技术涉及曝光设备
，尤其涉及一种曝光方法及装置。

技术介绍

[0002]光刻是将掩模版上的图形转移到涂覆有光致抗蚀剂(或称光刻胶)的硅片上，通过一系列生产步骤将硅片表面薄膜的特定部分除去的一种图形转移技术。其可被广泛用于集成电路(IC)及其封装、平板显示(FPD)、LED照明、微机电系统器件(MEMS)和其他精密器件的制造。
[0003]而光刻技术中的光刻设备是实现预期图形转移到基板或硅片目标区域上的一种工具。上述光刻设备具有接触式、接近式、1：1投影式和微缩投影式等多种工作方式，但不管采用上述任意一种工作方式的光刻设备均需要使用掩模版。
[0004]目前，为了在良率、分辨率和制造成本之间取得平衡，在显示面板、先进封装、LED等领域大量采用1:1投影式光刻设备，这种1:1投影式光刻设备可以分为非拼接投影式光刻机以及拼接投影式光刻机，但是这两种结构形式的光刻设备存在问题如下：
[0005](一)非拼接投影式光刻机由于每个曝光场之间往往不需要拼接，因此单个曝光视场面积比较大，镜头成本比较高，增加了设备的使用成本。
[0006](二)拼接投影式光刻机的运动台和镜头的成本均可大幅降低，但因为掩模版图形尺寸必须大于或等于硅片图形尺寸，造成掩模版尺寸大，掩模版加工成本高。例如生产6寸的硅片往往要用到7寸的掩模版，生产8寸的硅片需要用到9寸或10寸的掩模版，生产12寸的硅片需要用到14寸的掩模版。特别是目前掩模版制造厂商生产的高分辨率掩模版主要是6寸的，造成该类型光刻机无法制造高分辨率的产品。

技术实现思路

[0007]针对上述现有技术的缺点，本专利技术的目的是提供一种曝光方法及装置，以解决现有技术中的一个或多个问题。
[0008]为实现上述目的，本专利技术的技术方案如下：
[0009]一种曝光方法，包括步骤如下：
[0010]上载掩模版以及上载硅片；
[0011]对所述掩模版对准；
[0012]对所述硅片调焦调平及对准；
[0013]还包括以下步骤：
[0014]将掩模版投影至硅片或基版的当前曝光场，使所述掩模版视场图案与当前曝光场的视场对应；
[0015]曝光完成硅片或基板当前曝光场的视场；
[0016]完成当前曝光场视场的曝光之后，切换至下一曝光场，使所述掩模版视场图案与下一曝光场的视场对应；
[0017]曝光完成硅片或基板下一曝光场的视场；
[0018]判断全部曝光场的视场是否都实现掩模版视场图案的曝光，若否，切换至未曝光曝光场的视场完成曝光；若是，取出硅片或更换未曝光硅片。
[0019]进一步的，每个所述曝光场的切换包括改变硅片相对掩模版的位置，使所述硅片曝光场的视场位置与所述掩膜版视场图案位置一致。
[0020]进一步的，每个所述曝光场的切换包括改变掩模版相对硅片的位置，使所述掩模版视场图案位置与所述硅片曝光场的视场位置一致。
[0021]进一步的，每个所述曝光场的曝光包括改变掩模版相对硅片的位置和/或改变硅片相对掩模版的位置，使所述硅片曝光场的视场位置切换至与掩模版视场图案位置一致和/或使所述掩模版视场图案位置切换至与硅片曝光场的视场位置一致。
[0022]进一步的，每个所述曝光场之间的切换按照预设切换顺序或按照非预设切换顺序进行切换。
[0023]所述预设切换顺序包括沿列方向切换和/或沿行方向切换。
[0024]相应的，本专利技术还提供一种使用上述曝光方法的曝光装置，所述曝光装置包括光源、照明系统、支架系统、掩模台、扫描运动台及物镜；
[0025]进一步的，所述曝光装置还包括切换运动台，所述切换运动台用于实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，以实现曝光场位置的切换。
[0026]进一步的，所述切换运动台与所述扫描运动台连接，以用于实现硅片相对于掩模版位置可变。
[0027]进一步的，所述切换运动台与所述掩模台连接，以用于实现掩模版相对于硅片位置可变。
[0028]进一步的，所述切换运动台具有一部分与所述扫描运动台连接，所述切换运动台具有另一部分与掩模台连接，以用于实现硅片相对于掩模版位置可变和/或实现掩模版相对于硅片位置可变。
[0029]进一步的，所述切换运动台的具体结构如下：所述切换运动台包括
[0030]第一切换机构，所述第一切换机构用于实现第一方向的运动；
[0031]第二切换机构，所述第二切换机构用于实现第二方向的运动；
[0032]旋转机构，所述旋转机构用于实现旋转运动。
[0033]进一步的，所述物镜的倍率为1：1。
[0034]与现有技术相比，本专利技术的有益技术效果如下
[0035]本专利技术通过设置切换运动台可以实现硅片与掩模版之间相对位置的改变，具体的，所述切换运动台与所述扫描运动台连接，以用于实现硅片相对于掩模版位置可变。所述切换运动台与所述掩模台连接，以用于实现掩模版相对于硅片位置可变。所述切换运动台具有一部分与所述扫描运动台连接，所述切换运动台具有另一部分与掩模台连接，以用于实现硅片相对于掩模版位置可变和/或实现掩模版相对于硅片位置可变。同时采用倍率为1：1的物镜，进而可以满足掩模图形小于硅片尺寸的情况下进行投影曝光，由于采用了比硅片或基板尺寸更小的掩模版，有效减少了设备的使用成本，满足制造高分辨率产品的条件。
附图说明
[0036]图1示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中曝光装置的结构示意图。
[0037]图2示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中掩模台的俯视图。
[0038]图3示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中掩模台的主视图。
[0039]图4示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中切换运动台的主视图。
[0040]图5示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中切换运动台的轴侧图。
[0041]图6示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中承载平台与第二垂向运动模组的连接示意图。
[0042]图7示出了本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中测量机构的结构示意图。
[0043]图8为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中光源通过照明系统形成照明光、物镜视场以及曝光场的示意图。
[0044]图9为本专利技术实施例一一种曝光方法的流程示意图。
[0045]图10为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中将掩模版图案投影光刻至硅片曝光场的过程示意图。
[0046]图11为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中使用六边形曝光场的拼接曝光过程示意图。
[0047]图12为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中使用的六边形曝光场的结构示意图。
[0048]图13为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中使用的梯形曝光场的结构示意图。
[0049]图14为本专利技术实施例一一种曝光方法及装置中使用的三角形曝光场的结构示意图。
[0050]图15为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种曝光方法，包括步骤如下：上载掩模版以及上载硅片；对所述掩模版对准；对所述硅片调焦调平及对准；其特征在于还包括以下步骤：将掩模版投影至硅片或基版的当前曝光场，使所述掩模版视场图案与当前曝光场的视场对应；曝光完成硅片或基板当前曝光场的视场；完成当前曝光场视场的曝光之后，切换至下一曝光场，使所述掩模版视场图案与下一曝光场的视场对应；曝光完成硅片或基板下一曝光场的视场；判断全部曝光场的视场是否都实现掩模版视场图案的曝光，若否，切换至未曝光曝光场的视场完成曝光；若是，取出硅片或更换未曝光硅片。2.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：每个所述曝光场的切换包括改变硅片相对掩模版的位置，使所述硅片曝光场的视场位置与所述掩膜版视场图案位置一致。3.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：每个所述曝光场的切换包括改变掩模版相对硅片的位置，使所述掩模版视场图案位置与所述硅片曝光场的视场位置一致。4.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：每个所述曝光场的曝光包括改变掩模版相对硅片的位置和/或改变硅片相对掩模版的位置，使所述硅片曝光场的视场位置切换至与掩模版视场图案位置一致和/或使所述掩模版视场图案位置切换至与硅片曝光场的视场位置一致。5.如权利要求1所述的曝光方法，其特征在于：每个所述曝光场之间的切换按照预设切换顺序或按照非预...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：上海度宁科技有限公司，
类型：发明
国别省市：