用于处理基板的装置和温度控制方法制造方法及图纸

本发明专利技术构思提供一种温度控制方法。用于控制储存被输送至腔室的处理流体的罐的温度的温度控制方法包括：将处理流体供应至罐的内部空间；在内部空间加热处理流体；和将加热的处理流体传送至腔室，其中基于内部空间的测量压力来控制内部空间的温度。力来控制内部空间的温度。力来控制内部空间的温度。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和温度控制方法


[0001]本文描述的本专利技术构思的实施方式涉及一种用于处理基板的装置和一种温度控制方法，更具体地，涉及一种用于使用高压处理流体处理基板的装置以及一种在储存被传送至基板处理装置的腔室的处理流体的罐内的温度控制方法。

技术介绍

[0002]执行各种工艺，例如光刻工艺、蚀刻工艺、灰化工艺、离子注入工艺和薄膜沉积工艺以制造半导体器件。在每个工艺中，使用各种处理液体和处理气体，并且在工艺期间产生颗粒和工艺副产物。在每个工艺之前和之后执行清洁工艺以从基板去除这些颗粒和工艺副产物。
[0003]在传统的清洁工艺中，在干燥处理之前用化学品和冲洗液处理基板。作为干燥处理的示例，存在使基板高速旋转并去除残留在基板上的冲洗液的旋转干燥工艺。然而，这种旋转干燥方法可能会破坏形成在基板表面上的图案。
[0004]因此，最近正在使用如下超临界干燥工艺：在基板上供应诸如异丙醇(IPA)的有机溶剂以用具有低表面张力的有机溶剂替换残留在基板上的冲洗液，然后在基板上供应处于超临界状态的处理液以去除残留在基板上的有机溶剂。在超临本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于控制储存被转移至腔室的处理流体的罐内的温度的方法，所述方法包括：将所述处理流体供应至所述罐的内部空间；在所述内部空间处加热所述处理流体；和将加热的处理流体传送至所述腔室，并且其中基于所述内部空间的测量压力来控制所述内部空间的所述温度。2.根据权利要求1所述的方法，其中控制所述内部空间的所述温度，使得所述内部空间的所述压力达到预定压力。3.根据权利要求2所述的方法，其中当所述内部空间的所述压力低于所述预定压力时，增加所述内部空间的所述温度，使得所述内部空间的所述压力达到所述预定压力。4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述内部空间的所述温度由第一温度控制构件或第二温度控制部件中的至少一个控制，所述第一温度控制构件通过从所述罐的外部产生热量来控制所述内部空间的所述温度，所述第二温度控制部件通过在所述内部空间处产生热量来控制所述内部空间的所述温度。5.根据权利要求4所述的方法，其中安装双金属部以接触所述罐并使所述双金属部连接至向所述第一温度控制构件或所述第二温度控制构件供电的电源线，使得当所述罐的温度上升到预定温度上时阻止供电。6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述内部空间的所述压力由压力测量构件测量，所述压力测量构件安装在与所述内部空间连通并且将所述处理流体供应至所述内部空间的供应管线处或安装在所述内部空间处的所述供应管线处。7.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中所述处理流体以气态被供应至所述内部空间，并且其中所述处理流体的至少一部分在所述内部空间中相变至超临界状态并被转移至所述腔室。8.一种基板处理装置，包括：腔室，所述腔室具有用于处理基板的处理空间；流体供应单元，所述流体供应单元被配置为向所述处理空间供应处理流体；和控制器，其中所述流体供应单元包括：罐，所述罐具有内部空间；第一供应管线，所述第一供应管线将所述处理流体供应至所述内部空间；第二供应管线，所述第二供应管线将所述处理流体从所述内部空间传送至所述处理空间；温度控制部件，所述温度控制部件控制所述内部空间的温度；和压力测量构件，所述压力测量构件测量所述内部空间的压力，其中，所述控制器基于由所述压力测量构件测量的所述内部空间的测量压力来控制所述温度控制构件以控制所述内部空间的所述温度。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述控制器控制所述温度控制构件来调节所述内部空间的所述温度，使得所述内部空间的所述压力达到预定压力。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中当所述内部空间的所述压力低于所述预定压力时，所述控制器控制所述温度控制构件以升高所述内部空间的所述温度，使得所述

【专利技术属性】
技术研发人员：李相旼，李暎熏，车铭硕，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：