评估晶片与静电吸盘之间的接触制造技术

一种方法、非瞬态计算机可读介质和设备。该方法可包括：(a)引入在静电吸盘的负极的绝对值与静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差，该引入在晶片由静电吸盘支撑并且被静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；(b)在开始电压差的引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及(c)基于监测结果来确定晶片与静电吸盘之间的接触的电参数。参数。参数。

【技术实现步骤摘要】
评估晶片与静电吸盘之间的接触
交叉引用
[0001]本申请要求于2020年12月8日提交的美国申请第17/115,656号的优先权。所述美国申请的公开内容出于所有目的通过引用以其整体并入本文。

技术介绍

[0002]晶片可由评估系统进行评估，所述评估系统诸如但不限于扫描电子显微镜(SEM)。
[0003]理想地，一旦由静电吸盘支撑，晶片的正面就应该被均匀地充电。实际上，晶片的正面可能被不均匀地充电。不均匀的电荷可能引入测量误差。典型的测量误差可涉及扫描晶片的电子束的不想要的偏转。
[0004]对晶片的正面的电荷的评估应该在不接触晶片且不污染晶片的情况下进行。
[0005]越来越需要提供一种用于评估晶片正面的充电的无接触且无污染的方法。
[0006]晶片可由机械台、由静电吸盘或由支撑元件支撑。支撑元件可以不属于机械台，并且可以不属于静电吸盘。
[0007]在对晶片的评估期间，晶片可由静电吸盘支撑。静电吸盘可由机械台支撑。
[0008]在(例如，对晶片的评估之后的)各个时间点，可将晶片从机械台移开。在一些情况下，晶片可能以如下方式充电：当机械台距离晶片足够远时，晶片将跳动。跳动可能损坏晶片。
[0009]越来越需要预测跳动，甚至防止跳动。
[0010]晶片一旦被静电吸盘支撑就可以被应该使晶片接地的多个销接触。由于各种原因(包括在晶片背面处形成的绝缘层)，接地可能失效。
[0011]越来越需要评估晶片与销之间的接触的质量。

技术实现思路

[0012]本专利技术的一些实施例涉及用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法、非瞬态计算机可读介质和系统。
附图说明
[0013]在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下详细描述可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点，在附图中：
[0014]图1示出了方法的示例；
[0015]图2示出了晶片和带电粒子系统的示例；
[0016]图3示出了的静电传感器的示例；
[0017]图4示出了方法的示例；
[0018]图5示出了晶片和带电粒子系统的一些部分的示例；
[0019]图6示出了电压差的引入的示例；
[0020]图7示出了方法的示例；
[0021]图8示出了电压相对距离的关系的示例；以及
[0022]图9示出了在晶片与机械台之间引入距离的示例。
具体实施方式
[0023]在以下详细描述中，阐述了众多具体细节以便提供对本公开的实施例的透彻理解。
[0024]然而，本领域技术人员将理解，可以在没有这些特定细节的情况下实践本公开的当前实施例。在其他实例中，未详细地描述公知的方法、程序和部件，以免混淆本公开的当前实施例。
[0025]在说明书的结论部分中特别指出并明确要求保护被视为本公开实施例的主题。然而，当结合附图阅读时，通过参考以下具体实施方式可以最好地理解本公开的关于操作的组织和方法的实施例及其目的、特征和优点。
[0026]将领会，为了说明的简单和清楚，附图中示出的要素不一定按比例绘制。例如，为清楚起见，要素中的一些要素的尺寸可能相对于其他要素被放大。此外，在认为适当的地方，在附图间可重复附图标记以指示相应或类似的要素。
[0027]由于本公开的所示实施例的大部分可使用本领域技术人员已知的电子部件和电路来实现，因此将不会为了理解和领会本公开的当前实施例的基本概念而以比如上说明的认为必要的程度更大的程度来阐释细节，以便不混淆或分散本公开的当前实施例的教导。
[0028]说明书中对方法的任何提及应在经必要修改后应用于能够执行该方法的系统，并且应在经必要修改后应用于非瞬态且存储用于执行该方法的指令的计算机可读介质。
[0029]说明书中对系统的任何提及应在经必要修改后应用于可由该系统执行的方法，并且应在经必要修改后应用于非瞬态且存储由该系统执行的指令的计算机可读介质。
[0030]说明书中对计算机可读介质的任何提及应在经必要修改后应用于在执行存储在该计算机可读介质中的指令时可应用的方法，并且应在经必要修改后应用于被配置成执行存储在该计算机可读介质中的指令的系统。
[0031]提供了可使用静电传感器的方法、设备和非瞬态计算机可读介质。
[0032]静电传感器可包括感测元件。感测元件可以是开尔文(Kelvin)探针，或可以与开尔文探针不同。为了阐释的简单，以下文本可涉及开尔文探针。可使用其他类型的静电传感器。
[0033]评估晶片的正面的区域的电荷分布
[0034]可以提供用于评估晶片的正面的区域的电荷分布的方法。该区域可覆盖整个晶片或仅晶片的部分。该方法可应用在晶片的多个区域上。
[0035]电荷分布可包括在晶片的两个或更多个点处的电荷值，以及附加地或替代地，在晶片的两个或更多个点之间的电荷值。两个或更多个点可形成点阵列。点可以彼此相距厘米范围内(例如，可在0.1厘米与10厘米之间的范围内)的距离。
[0036]距离可以在低于0.1厘米的范围内，以及附加地或替代地，可以超过10厘米。点可以均匀地分布在该区域上，或可以非均匀地分布在该区域上。
[0037]带电粒子系统是被配置成评估晶片(或晶片的部分)的系统，而评估包括用一个或
多个带电粒子束(诸如电子束)照亮该晶片(或该晶片的该部分)。带电粒子系统的非限制性示例包括电子束成像器，以及电子显微镜，诸如但不限于扫描电子显微镜。
[0038]评估可包括以下各项中的至少一项：缺陷审查、检查、计量(例如，关键尺寸测量)等。
[0039]为了阐释的简单，附图和文本中的一些是指扫描电子显微镜(SEM)，诸如审查SEM。
[0040]图1示出了用于评估区域的电荷分布的方法100。
[0041]方法100可通过初始化步骤105开始。
[0042]初始化步骤105可包括将晶片放置在带电粒子系统的静电吸盘上。
[0043]步骤105之后可以是使用静电传感器来评估电荷分布的步骤110。
[0044]静电传感器包括感测元件，该感测元件相对带电粒子系统的真空腔室的内部空间密封。该密封防止感测元件污染内部空间。
[0045]感测元件可以是可移动开尔文探针。在电荷测量期间，开尔文探针可在不同位置之间移动。该移动可包括振动、振荡等。
[0046]步骤110可包括在区域内的不同位置处执行电荷测量。
[0047]电荷测量可涉及通过移动(例如，振动，以及附加地或替代地，振荡)可移动开尔文探针来在区域内的特定位置处执行电压测量。该移动相对较小，例如为几毫米。电压测量值指示特定点的电荷。
[0048]在该特定位置处，开尔文探针可以沿任何路径移动。路径可以是水平的，可以是垂直的，可以是倾斜的，可以是弯曲的，等等。
[0049]在该特定位置处，开尔文探本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种评估晶片与静电吸盘之间的接触的方法，所述方法包括：在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时，引入在所述静电吸盘的负极的绝对值与所述静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差；在开始所述电压差的所述引入之后的不同时间点处，由包括感测元件的静电传感器监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，以提供监测结果；以及基于所述监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。2.如权利要求1所述的方法，其中所述电参数的所述确定包括：确定所述接触的电阻。3.如权利要求2所述的方法，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述监测结果表示的电荷分布图近似为电阻器
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电容器电路的放电曲线。4.如权利要求1所述的方法，其中所述电压差的所述引入包括：以至少每1毫秒1伏的速率引入电压差。5.如权利要求1所述的方法，其中所述感测元件是开尔文探针，其中所述静电传感器包括用于在所述电荷测量期间移动所述开尔文探针的机械单元。6.如权利要求1所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括密封所述感测元件的导电密封元件。7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中所述静电传感器进一步包括能移动的接地元件，所述能移动的接地元件被配置成在所述能移动的接地元件电耦合到所述感测元件的接地位置与所述能移动的接地元件不电耦合到所述感测元件的断开位置之间移动。8.一种用于评估晶片与静电吸盘之间的接触的设备，所述设备包括：处理电路；以及静电传感器，所述静电传感器包括感测元件；其中所述静电传感器被配置成在开始所述静电吸盘的负极的绝对值与所述静电吸盘的正极的绝对值之间的电压差的引入之后的不同时间点处，监测位于所述晶片的正面的测量点处的电荷，其中所述引入在所述晶片由所述静电吸盘支撑并且被所述静电吸盘的一个或多个导电接触销接触时发生；以及其中所述处理电路被配置成基于对所述电荷的监测结果来确定所述晶片与所述静电吸盘之间的所述接触的电参数。9.如权利要求8所述的设备，其中所述处理电路被配置成通过确定所述接触的电阻来确定所述接触的电参数。10.如权利要求9所述的设备，其中所述接触的所述电阻的确定包括：将由所述电荷的所述监测结果表示的电荷分布图近...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：应用材料以色列公司，
类型：发明
国别省市：