【技术实现步骤摘要】
电阻性接口材料
[0001]交叉参考
[0002]本专利申请主张2020年12月9日由戈蒂(Gotti)等人递交的标题为“电阻性接口材料(RESISTIVE INTERFACE MATERIAL)”的第17/116,559号美国专利申请的优先权，所述专利申请让与给本受让人，并且明确地以全文引用的方式并入本文中。
[0003]
涉及电阻性接口材料。
技术介绍
[0004]存储器装置广泛用于将信息存储在例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者的各种电子装置中。通过将存储器装置内的存储器单元编程到不同状态来存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一种，通常由逻辑1或逻辑0来标示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一个。为了存取所存储的信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个所存储的状态。为了存储信息，组件可在存储器装置中写入状态或对状态进行编程。
[0005]存在各种类型的存储器装置和存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：第一金属材料，其形成在衬底上并且对应于第一存取线；存储器材料，其形成在所述第一金属材料上方，其中所述存储器材料包括经配置为选择器材料的硫族化物材料；电极材料，其形成在所述存储器材料上方；薄层，其形成在所述存储器材料、所述电极材料的至少一部分或这两者上方，其中所述薄层包括具有大于所述第一金属材料、所述电极材料和第二金属材料的电阻率的氧化物材料；以及所述第二金属材料，其形成在所述薄层上方并且对应于第二存取线。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述薄层形成在所述电极材料上方并且在所述第二金属材料下方。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述薄层的第一部分接触所述第二金属材料，并且所述薄层的第二部分接触所述电极材料，其中所述薄层的所述第一部分或所述薄层的所述第二部分原本将接触氮化钨硅材料。4.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极材料包括：第一部分；以及第二部分，其中所述薄层形成在所述电极材料的所述第一部分与所述电极材料的所述第二部分之间。5.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：第二薄层，其形成在所述电极材料的所述第二部分上方，其中所述第二薄层包括具有大于所述第一金属材料、所述电极材料的所述第一部分、所述电极材料的所述第二部分和所述第二金属材料的电阻率的氧化物材料。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述电极材料包括第三部分，其中所述设备进一步包括形成在所述电极材料的所述第三部分上方的第三薄层，其中所述第三薄层包括具有大于所述第一金属材料、所述电极材料的所述第一部分、所述电极材料的所述第二部分、所述电极材料的所述第三部分和所述第二金属材料的电阻率的氧化物材料。7.根据权利要求4所述的设备，其进一步包括：氮化钨硅材料，其在所述电极材料的所述第二部分上方并且在所述第二金属材料下方。8.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：第二电极材料，其形成在所述存储器材料下方并且在所述第一金属材料上方；以及第四薄层，其形成在所述存储器材料与所述第一金属材料之间，其中所述第四薄层包括具有大于所述第一金属材料、所述电极材料和所述第二金属材料的所述电阻率的所述氧化物材料。9.根据权利要求1所述的设备，其中所述薄层具有小于或等于1nm的厚度。10.根据权利要求1所述的设备，其中所述薄层包括氧化铝、氧化铪、氧化锆、氮化硅，或其组合。11.一种方法，其包括：在衬底上沉积第一金属材料以形成对应于第一存取线的第一金属材料；
在所述第一金属材料上方沉积单元存储材料；在所述单元存储材料上方沉积氧化物材料以形成具有与所述第一金属材料、所述单元存储材料、电极材料和第二金属材料相比较大电阻率的薄层；在所述单元存储材料上方沉积所述电极材料以形成所述电极材料的至少一部分；以及在所述电极材料上方沉积所述第二金属材料以形成对应于第二存取线的第二金属材料。12.根据权利要求11所述的方法，其中所述氧化物材料沉积在所述电极材料的第一部分上方，所述方法进一步包括：在所述薄层上方沉积所述电极材料以形成所述电极材料的至少第二部分，其中所述薄层位于所述电极材料的所述第一部分与所述电极材料的所述第二部分之间。13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：在所述电极材料的所述第二部分上方沉积第二氧化物材料以形成具有与所述第一金属材料、所述单元存储材料、所述电极材料的所述第一部分、所述电极材料的所述第二部分和所述第二金属材料相比较大电阻率的第二薄层，其中所...
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