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本申请涉及电阻性接口材料。存储器装置可以是使用包含通过以下项形成材料的堆叠的步骤的序列制造的：沉积第一金属层、在所述金属层上沉积第一电极层、在所述第一电极层上沉积存储器材料以形成一或多个存储器单元、在所述存储器材料上沉积第二电极层，以及在所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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