包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统制造方法及图纸

一种电子装置包括含有一或多个材料堆叠的堆叠结构及邻近于所述材料堆叠的金属氧化物材料。所述堆叠的所述材料包括一或多种硫属化物材料。所述金属氧化物材料包括氧化铝、硅酸铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆、硅酸锆或其组合且所述金属氧化物材料从所述一或多个材料堆叠的上部连续延伸到所述一或多个材料堆叠的下部。公开额外电子装置，以及相关系统及形成电子装置的方法。电子装置的方法。电子装置的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统
[0001]优先权主张
[0002]本申请案主张2019年10月28日申请的“包括金属氧化物材料的电子装置及相关方法及系统(ELECTRONIC DEVICES COMPRISING METAL OXIDE MATERIALS AND RELATED METHODS AND SYSTEMS)”的序列号为16/665,679的美国专利申请案的申请日期的权益。


[0003]本文中公开的实施例涉及电子装置及电子装置制造。更特定来说，本公开的实施例涉及包括具有经改进势垒性质的密封材料的电子装置且涉及相关方法及系统。

技术介绍

[0004]电子装置(例如，半导体装置、存储器装置)设计者通常期望通过减小个别特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分开距离而增大电子装置内的特征(例如，组件)的集成水平或密度。电子装置设计者还期望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。减小特征的尺寸及间隔对用于形成电子装置的方法提出越来越高的要求。一个解决方案是形成三维(3D)电子装置，例如3D交叉点存储器装置，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子装置，其包括：堆叠结构，其包括一或多个材料堆叠，所述一或多个堆叠的所述材料包括一或多种硫属化物材料；及金属氧化物材料，其邻近于所述一或多个材料堆叠，所述金属氧化物材料包括氧化铝、硅酸铝、氧化铪、硅酸铪、氧化锆、硅酸锆、或其组合且所述金属氧化物材料从所述一或多个材料堆叠的上部连续延伸到所述一或多个材料堆叠的下部。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料与所述一或多个堆叠直接接触。3.根据权利要求2所述的电子装置，其进一步包括与所述金属氧化物材料的第一表面上的罩盖直接接触的填充材料及与所述金属氧化物材料的第二表面直接接触的所述一或多个堆叠。4.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料与所述一或多个堆叠上的衬里直接接触。5.根据权利要求4所述的电子装置，其进一步包括与所述金属氧化物材料的第一表面上的罩盖直接接触的填充材料及与所述金属氧化物材料的第二表面直接接触的所述衬里。6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的电子装置，其中邻近堆叠以从约10nm到约30nm的一半节距间隔。7.一种电子装置，其包括：堆叠结构，其包括一或多个材料堆叠，所述一或多个堆叠的所述材料包括一或多种硫属化物材料；及金属氧化物材料，其邻近于所述一或多个堆叠，所述金属氧化物材料包括硅酸铝、过渡金属硅酸盐、或其组合。8.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料包括从约1.0nm到约2.5nm的厚度。9.根据权利要求7所述的电子装置，其中所述一或多个堆叠进一步包括一或多种碳材料。10.根据权利要求7到9中任一权利要求所述的电子装置，其中所述金属氧化物材料包括从约20原子百分比到约80原子百分比的硅。11.一种电子装置，其包括：存储器单元阵列，所述存储器单元包括：材料堆叠，其包括一或多种硫属化物材料；及密封结构，其直接邻近于所述材料堆叠，所述密封结构包括邻近于所述堆叠的氮化硅材料及邻近于所述氮化硅材料的金属氧化物材料；及存取线及位线，其电耦合到所述存储器单元。12.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述堆叠包括从约10:1到约50:1的宽高比。13.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述堆叠包括单一硫属化物材料。14.根据权利要求11所述的电子装置，其中所述氮化硅材料与所述堆叠的侧壁直接接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：