本实用新型专利技术提供一种晶体生长装置，涉及晶体生产技术领域，包括生长舱体和舱门，生长舱体内部底面设有升降气缸，升降气缸活动端设有反应装置，生长舱体内部设有加热装置，加热装置包括加热铜管和固定垫圈，生长舱体内壁设有一对固定垫圈，相邻固定垫圈之间设有调节磁杆，调节磁杆表面开设有调节螺槽，加热铜管通过调节螺槽缠绕于调节磁杆表面，生长舱体顶面嵌入设有温度计和压力表，加热铜管通过调节螺槽调节在调节磁杆表面热缠绕匝数和间距，进行不同竖直方向的温度梯度的控制，便于温度的调节，温度计和压力表插入生长舱体内部进行温度和压力的实时监控测量，对生长舱体内部温度和压力环境进行调节控制，便于晶体生长反应的进行。行。行。
【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长装置
[0001]本技术涉及晶体生产
，尤其涉及一种晶体生长装置。
技术介绍
[0002]根据专利号为CN211522370U公开的一种单晶生长炉，包括炉本体和提拉控制机构，炉本体包括耐高压外壳、保温盒体，保温盒体内具有晶体生长内腔，耐高压外壳套设于保温盒体外，耐高压外壳和保温盒体之间以及保温盒体内部充有高压气体，高压气体连通有耐高压气体进气管；提拉控制机构包括穿过耐高压外壳和保温盒体用于与位于晶体生长内腔内的籽晶连接的提拉杆。该单晶生长炉可有效抑制熔体挥发，提高晶体生长质量，适合用于生长具有高挥发性材料以及易与空气或空气中的水蒸气发生反应的材料，如金属、合金等化合物。
[0003]上述晶体生长炉在对晶体进行生长使用时，生长炉内部的温度无法进行有效控制和测量，同时针对生长炉生长晶体所用的压力和温度环境无法进行实时监控，从而无法提供最优生长环境，不利于晶体生长使用。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种晶体生长装置。
[0005]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：一种晶体生长装置，包括生长舱体和舱门，生长舱体内部底面设有升降气缸，所述升降气缸活动端设有反应装置，所述生长舱体内部设有加热装置，所述加热装置包括加热铜管和固定垫圈，所述生长舱体内壁设有一对固定垫圈，相邻所述固定垫圈之间设有调节磁杆，所述调节磁杆表面开设有调节螺槽，所述加热铜管通过调节螺槽缠绕于调节磁杆表面，所述加热装置缠绕位于反应装置外壁，所述生长舱体顶面嵌入设有温度计和压力表，且温度计的探针和压力表的探针均位于生长舱体内部，所述温度计的探针底端设有铂铑热电偶，所述生长舱体顶面插入设有提拉杆。
[0006]优选的，所述反应装置包括陶瓷底座和陶瓷坩埚，所述陶瓷底座底面中心位置与升降气缸的活动端螺纹连接，所述陶瓷底座内部底面与陶瓷坩埚底面相抵，所述陶瓷底座内部底面设有铂金坩埚，所述铂金坩埚顶面边缘设有保温盖，所述保温盖正面中心位置开设有观察口。
[0007]优选的，所述提拉杆的竖直中线与生长舱体的竖直中线重合，所述提拉杆底端螺纹连接设有籽晶杆，所述籽晶杆底面设有籽晶夹头。
[0008]优选的，所述生长舱体顶面贯穿设有进气管，所述进气管远离生长舱体的一端垂直方向设有流量计，所述生长舱体侧面靠近底面处贯穿设有抽气管，所述抽气管远离生长舱体的一端连接设有直联泵。
[0009]优选的，所述生长舱体正面与舱门边缘处铰接，所述舱门正面设有石英观察窗，且
石英观察窗两侧与舱门螺栓连接。
[0010]优选的，所述加热铜管正面一端垂直方向贯穿设有导水管，所述导水管端部设有密封盖，且密封盖与导水管端部螺纹连接。
[0011]优选的，所述铂金坩埚底面与陶瓷坩埚底面相抵，所述铂金坩埚侧面与陶瓷坩埚内壁之间填充设有氧化铝粉末。
[0012]有益效果
[0013]本技术中，采用生长舱体内通过加热装置的调节磁杆和加热铜管进行磁感应加热提供温度环境，加热铜管通过调节螺槽调节在调节磁杆表面热缠绕匝数和间距，进行不同竖直方向的温度梯度的控制，便于温度的调节，同时通过温度计和压力表插入生长舱体内部进行温度和压力的实时监控测量，便于对生长舱体内部温度和压力环境进行调节控制，便于晶体生长反应的进行。
附图说明
[0014]图1为一种晶体生长装置的立体结构示意图；
[0015]图2为图1的A处放大图；
[0016]图3为一种晶体生长装置的正面剖视图；
[0017]图4为一种晶体生长装置的侧面剖视图。
[0018]图例说明：
[0019]1、生长舱体；2、舱门；3、石英观察窗；4、进气管；5、流量计；6、抽气管；7、直联泵；8、温度计；9、铂铑热电偶；10、压力表；11、提拉杆； 12、籽晶杆；13、籽晶夹头；14、加热装置；1401、加热铜管；1402、导水管；1403、固定垫圈；1404、调节磁杆；1405、调节螺槽；1406、密封盖；15、升降气缸；16、反应装置；1601、陶瓷底座；1602、陶瓷坩埚；1603、铂金坩埚； 1604、保温盖；1605、观察口。
具体实施方式
[0020]为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体实施例和附图，进一步阐述本技术，但下述实施例仅仅为本技术的优选实施例，并非全部。基于实施方式中的实施例，本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例，都属于本技术的保护范围。
[0021]下面结合附图描述本技术的具体实施例。
[0022]具体实施例：
[0023]参照图1
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4，一种晶体生长装置，包括生长舱体1和舱门2，生长舱体1 内部底面设有升降气缸15，升降气缸15活动端设有反应装置16，升降气缸 15通过活动端的数字化方向伸缩，带动反应装置16上下位置调整，便于对反应装置16内部的晶体的生长环境进行竖直方向的位置变化，生长舱体1内部设有加热装置14，加热装置14缠绕位于反应装置16外壁，加热装置14包括加热铜管1401和固定垫圈1403，生长舱体1内壁设有一对固定垫圈1403，相邻固定垫圈1403之间设有调节磁杆1404，调节磁杆1404表面开设有调节螺槽1405，加热铜管1401通过调节螺槽1405与陶瓷坩埚1602表面相抵进行温度控制，加热铜管1401正面一端垂直方向贯穿设有导水管1402，导水管1402 端部设有密封盖1406，且密封盖1406与导水管
1402端部螺纹连接，通过打开密封盖1406通过导水管1402向加热铜管1401内部注入冷却水，防止解热铜管温度过高时变形，对加热铜管1401进行保护，密封盖1406在使用时从导水管1402表面拆卸，加热铜管1401不使用对导水管1402端部进行密封，加热铜管1401表面两侧设有两个导水管1402，在使用时，通过一个导水管1402 进行加热铜管1401内部注水，另一导水管1402进行外部放水，形成加热铜管 1401内部冷却水的循环，防止加热铜管1401温度过高而损坏，加热铜管1401 在缠绕时，可按照调节螺槽1405均匀相邻缠绕，形成温度均匀且集中的温度环境，同时可采用每隔一圈调节螺槽1405的方式进行均匀缠绕，同时可采用相邻加热铜管1401之间间隔不同间距的调节螺槽1405进行不均匀的缠绕，由此形成竖直方向不同位置的不同温度梯度，生长舱体1顶面嵌入设有温度计8 和压力表10，且温度计8的探针和压力表10的探针均位于生长舱体1内部，便于实时监测生长舱体1内部的温度环境和压力环境，温度计8的探针底端设有铂铑热电偶9，生长舱体1顶面插入设有提拉杆11，采用生长舱体1内通过加热装置14的调节磁杆1404和加热铜管1401进行磁感应加热提供温度环境，加热铜管1401通过调节螺槽1405调节缠绕匝数和间距，进行不同竖直方向的温度梯度的控制，便于温度的调节，同时通过温度计8和本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶体生长装置，包括生长舱体(1)和舱门(2)，其特征在于：生长舱体(1)内部底面设有升降气缸(15)，所述升降气缸(15)活动端设有反应装置(16)，所述生长舱体(1)内部设有加热装置(14)，所述加热装置(14)包括加热铜管(1401)和固定垫圈(1403)，所述生长舱体(1)内壁设有一对固定垫圈(1403)，相邻所述固定垫圈(1403)之间设有调节磁杆(1404)，所述调节磁杆(1404)表面开设有调节螺槽(1405)，所述加热铜管(1401)通过调节螺槽(1405)缠绕于调节磁杆(1404)表面，所述加热装置(14)缠绕位于反应装置(16)外壁，所述生长舱体(1)顶面嵌入设有温度计(8)和压力表(10)，且温度计(8)的探针和压力表(10)的探针均位于生长舱体(1)内部，所述温度计(8)的探针底端设有铂铑热电偶(9)，所述生长舱体(1)顶面插入设有提拉杆(11)。2.根据权利要求1所述的一种晶体生长装置，其特征在于：所述反应装置(16)包括陶瓷底座(1601)和陶瓷坩埚(1602)，所述陶瓷底座(1601)底面中心位置与升降气缸(15)的活动端螺纹连接，所述陶瓷底座(1601)内部底面与陶瓷坩埚(1602)底面相抵，所述陶瓷底座(1601)内部底面设有铂金坩埚(1603)，所述铂金坩埚(1603)顶面边缘设有保温盖(1604)，所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王文，王威，祝志刚，
申请(专利权)人：光奥科技武汉有限公司，
类型：新型
国别省市：
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