电子功能层的制备方法、量子点发光二极管、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及量子点发光二极管材料技术领域，提供了一种电子功能层的制备方法、量子点发光二极管、显示装置。本发明专利技术通过将第一有机溶剂与第二有机溶剂共同作为氧化物半导体纳米颗粒材料的溶剂，在热处理时具有更高的挥发速率，可在较低的热处理温度下达到充分挥发的效果，既避免了残留溶剂对器件带来的负面影响，又可避免热处理温度过高对电子功能层造成热损害的问题，有益于提升器件的性能。有益于提升器件的性能。有益于提升器件的性能。

【技术实现步骤摘要】
电子功能层的制备方法、量子点发光二极管、显示装置


[0001]本专利技术属于量子点发光二极管材料
，尤其涉及一种电子功能层的制备方法，一种量子点发光二极管，以及一种显示装置。

技术介绍

[0002]量子点发光二极管的典型结构是“三明治”结构，主要有ITO玻璃基板、空穴注入层、电子功能层、量子点发光层和电极组成。其中，基于电子功能层所用材料的特性以及工业上追求的经济型，电子功能层的制备方法多采用溶液法，具体是将相应材料溶解在合适的溶剂中，通过旋涂或喷墨打印等方式制备相应的薄膜。目前，用于溶解电子功能层材料的溶剂多为乙醇，在制备薄膜时，需要采用退火的方式将薄膜中的乙醇挥发掉，以免影响器件的性能。然而，由于乙醇极性较强，与电子功能层材料具有较强的相互作用，仅通过退火难以将乙醇彻底挥发掉，进而对所得器件的性能带来不利影响。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种电子功能层的制备方法、量子点发光二极管、显示装置，旨在解决现有电子功能层在制备时所用的溶剂难以充分挥发的技术问题。
[0004]为实现上述申请目的，本专利技术采用的技术方案如下：
[0005]一方面，本专利技术提供一种电子功能层的制备方法，其包括如下步骤：
[0006]提供氧化物半导体纳米颗粒材料；
[0007]提供第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂为醇类溶剂，且在常温常压下，所述第二有机溶剂的沸点低于所述第一有机溶剂的沸点；
[0008]将所述氧化物半导体纳米颗粒材料、所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂进行混合处理，得到混合液；
[0009]对所述混合液进行处理，得到电子功能层。
[0010]另一方面，本专利技术提供一种量子点发光二极管，包括电子功能层，所述电子功能层是由本专利技术提供的所述电子功能层的制备方法制备得到。
[0011]最后一方面，本专利技术提供一种显示装置，所述显示装置包括本专利技术提供的所述量子点发光二极管。
[0012]本专利技术提供的电子功能层的制备方法，通过将第一有机溶剂与第二有机溶剂共同作为氧化物半导体纳米颗粒材料的溶剂，由于第二有机溶剂的沸点低于第一有机溶剂，使所得混合溶剂的露点温度得到降低，在处理得到电子功能层时具有更高的挥发速率，因此可在较低的处理温度下达到充分挥发的效果，既避免了残留溶剂对器件带来的负面影响，又可避免处理温度过高对电子功能层造成热损害的问题，有益于提升器件的性能。
[0013]本专利技术提供的电子功能层，由于其在制备过程中采用了在较低热处理温度下挥发速率更高的第一有机溶剂和第二有机溶剂作为氧化物半导体纳米颗粒材料的溶剂，因此该电子功能层中残留的有机溶剂更少甚至零残留，且制备过程中未受到热损害，具有更好的
性能。
[0014]本专利技术提供的量子点发光二极管，其电子功能层在制备过程中采用了在较低热处理温度下挥发速率更高的第一有机溶剂和第二有机溶剂作为氧化物半导体纳米颗粒材料的溶剂，因此该电子功能层中残留的有机溶剂更少甚至零残留，且制备过程中未受到热损害，具有更好的性能，因此包括该电子功能层的量子点发光二极管具有更好的光电效率和总体性能。
[0015]本专利技术提供的显示装置，其所包括的量子点发光二极管具有更好的光电效率和总体性能，因此本专利技术提供的显示装置也具有良好的光电效率和总体性能。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0017]图1是本专利技术提供的电子功能层的制备流程图；
[0018]图2是本专利技术一实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
[0019]图3是本专利技术另一实施例提供的量子点发光二极管的结构示意图；
[0020]图2和图3中的标记如下：
[0021]10
‑
底电极；20
‑
空穴注入层；30
‑
空穴传输层；40
‑
量子点发光层；50
‑
电子功能层；60
‑
顶电极。
具体实施方式
[0022]为使本专利技术实施例的目的、技术方案和技术效果更加清楚，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，以下所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。结合本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例中未注明具体条件者，按照常规条件或制造商建议的条件进行；所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市售购买获得的常规产品。
[0023]在本专利技术的描述中，术语“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况。其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
[0024]在本专利技术的描述中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，“a,b,或c中的至少一项(个)”，或，“a,b,和c中的至少一项(个)”，均可以表示：a、b、c、a
‑
b(即a和b)、a
‑
c、b
‑
c、或a
‑
b
‑
c，其中a、b、c分别可以是单个，也可以是多个。
[0025]需要理解的是，本专利技术实施例中所提到的相关成分的重量不仅仅可以指代各组分的具体含量，也可以表示各组分间重量的比例关系，因此，只要是按照本专利技术实施例相关组分的含量按比例放大或缩小均在本专利技术公开的范围之内。具体地，本专利技术实施例中所述的
重量可以是μg、mg、g、kg等化工领域公知的质量单位。
[0026]术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，用来将目的如物质、界面、消息、请求和终端彼此区分开，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。例如，在不脱离本专利技术实施例范围的情况下，第一XX也可以被称为第二XX，类似地，第二XX也可以被称为第一XX。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
[0027]另外，除非上下文另外明确地使用，否则词的单数形式的表达应被理解为包含该词的复数形式。术语“包括”或“具有”旨在指定特征、数量、步骤、操作、元件、部分或者其组合的存在，但不用于排除存在或可能添加一个或多个其它特征、数量、步骤、操作、元件、部分或者其组合。
[0028]本专利技术实施例提供一种电子功能层的制备方法，其包括如下步骤：
[0029]S1、提供氧化物半导体纳米颗粒材料；
[0030]S本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子功能层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供氧化物半导体纳米颗粒材料；提供第一有机溶剂和第二有机溶剂，所述第一有机溶剂为醇类溶剂，且在常温常压下，所述第二有机溶剂的沸点低于所述第一有机溶剂的沸点；将所述氧化物半导体纳米颗粒材料、所述第一有机溶剂和所述第二有机溶剂进行混合处理，得到混合液；对所述混合液进行处理，得到电子功能层。2.根据权利要求1所述电子功能层的制备方法，其特征在于，所述第二有机溶剂在常温常压下的沸点为40℃
‑
60℃。3.根据权利要求2所述电子功能层的制备方法，其特征在于，所述第二有机溶剂选自丙酮、乙醚、乙醛、丙醛中的至少一种。4.根据权利要求1所述电子功能层的制备方法，其特征在于，所述第一有机溶剂选自甲醇、乙醇、丁醇、异丙醇、三氟乙醇中的至少一种。5.根据权利要求1所述电子功能层的制备方法，其特征在于，所述氧化物半导体纳米颗粒材料选自ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZrO2、NiO、TiLiO、ZnAlO、ZnMgO、ZnSnO、ZnLiO、InSnO中的至少一种。6.根据权利要求1

【专利技术属性】
技术研发人员：姚振垒，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：