【技术实现步骤摘要】
复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法
[0001]本专利技术涉及量子点领域,尤其涉及复合纳米颗粒、量子点发光二极管及制备方法。
技术介绍
[0002]由于量子点具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调以及量子产额高等优点,加上可利用印刷工艺制备,所以基于量子点的发光二极管(QLED)进来受到人们的普遍关注,其器件性能指标也发展迅速。在QLED器件中,N型氧化物纳米颗粒因为具有高透过率、高电子迁移率、低成本、环境兼容和制备工艺简单等优势,因而被广泛应用于电致发光器件的电子传输层材料,使器件效率得到大幅度提高,但仍不能解决器件使用寿命较短的问题。因为大部分N型氧化物纳米颗粒表面还有大量的羟基,这些羟基在长时间的通电条件以及周围环境的影响下很容易被氧化,生成氧化性很高的OH自由基,活泼的OH自由基可以把很多有机物氧化,导致量子点表面配体脱落、氧化物纳米颗粒表面缺陷增加、载流子传输势垒提高等问题,从而严重降低了QLED器件的使用寿命。
[0003]因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合纳米颗粒,其特征在于,包括表面含有羟基的氧化物纳米颗粒以及含有磷氧双键的钝化剂,所述氧化物纳米颗粒表面的羟基与所述钝化剂中的磷氧双键形成氢键。2.根据权利要求1所述的复合纳米颗粒,其特征在于,所述钝化剂为三苯基氧化膦。3.根据权利要求1所述的复合纳米颗粒,其特征在于,所述钝化剂为三苯基氧化膦衍生物,所述三苯基氧化膦衍生物为物,所述三苯基氧化膦衍生物为中的一种,其中,R1、R2和R3为大π键基团;所述大π键基团直接与所述三苯基氧化膦连接,或者所述大π键基团通过含有π键的基团与所述三苯基氧化膦连接。4.根据权利要求3所述的复合纳米颗粒,其特征在于,所述大π键基团为苯环或丁二乙烯基团中的一种;和/或,所述含有π键的基团为乙烯基团或乙炔基团中的一种。5.根据权利要求1所述的复合纳米颗粒,其特征在于,所述氧化物纳米颗粒为ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、ZnMgO、ZnAlO和SnInO中的一种或多种。6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:李龙基,
申请(专利权)人:TCL科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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