一种Al-Ti-C-N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用技术

技术编号:33794313 阅读:35 留言:0更新日期:2022-06-12 14:54
本发明专利技术公开了一种Al

【技术实现步骤摘要】
一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用


[0001]本专利技术涉及铝合金材料领域,具体涉及一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法及在铝合金中的应用。

技术介绍

[0002]铝合金具有比强度比刚度高、耐蚀性好等优点,广泛应用于航空航天、轨道交通、汽车、电子通讯等领域。尤其是可热处理强化超高强7XXX铝合金,通过大塑性变形及热处理后,其抗拉强度可到900MPa以上,成为一种理想的航空材料。在7XXX合金中加入一定量的Zr、Sc,可形成高热稳定性、微纳米尺寸的ZrAl3、ScAl3颗粒,有效地抑制晶粒在热处理过程长大,显著提高合金的综合性能,如7050、7075等合金。由于Sc的价格远高于Zr,因此Zr成为抑制晶粒长大最为常用的元素。但研究发现,Zr对Al

Ti

B细化剂之间存在“细化毒化”现象,即两种同时加入时,其细化效果较单独加入明显减弱。其原因尚不明确,可能的元素包括Z本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)衬底材料的安装:将衬底材料安装夹具上,并放置在真空镀膜室中;(2)预处理:依次开启抽真空系统、加热系统和机械传动系统,真空室抽真空并升温,随后充入高纯氩气,开启脉冲偏压,放电清洗;(3)多弧离子镀:充入反应气体,设置靶材,打开弧源,设置参数后进行镀膜,得到Al

Ti

C

N纳米晶。2.根据权利要求1所述的一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,真空室的气压抽至1~5
×
10
‑3Pa,真空室的温度为100~200℃;充入高纯氩气后调整氩气压力至1~5Pa。3.根据权利要求1所述的一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法,其特征在于,所述步骤(2)中,开启脉冲偏压后,调整占空比为10~30%,偏压为

600~

1500V,放电清洗1~3min。4.根据权利要求1所述的一种Al

Ti

C

N纳米晶的制备方法,其特征在于,所述步骤(3)中,充入反应气体前,调整氩气压力至1~3
×
10
‑1Pa;充入反应气体后,调整气压至5~9
×
10
‑1Pa。5.根据权利要求1所述的一种Al

Ti

...

【专利技术属性】
技术研发人员:赵愈亮宋东福乡家发卢剑玉贾义旺孙振忠黄石平
申请(专利权)人:肇庆南都再生铝业有限公司广东省科学院新材料研究所
类型:发明
国别省市:

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