【技术实现步骤摘要】
一种电致变色专用镀膜设备
[0001]本专利技术属于电致变色材料加工
,尤其涉及一种电致变色专用镀膜设备。
技术介绍
[0002]电致变色材料的科研和制作设备种类繁多,有溅射法、热蒸发法、溶胶
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凝胶法、化学气相沉积法、电沉积法等方式;其中专利技术本专利设备是其中的一种为溅射法,溅射法原理是采用高能量的惰性气体(一般都是Ar)的离子轰击靶材,飞溅出来的靶材原子(或分子)沉积到基板上形成薄膜的方式。溅射法对于高熔点和低气压的元素材料同样能适应,使用范围广。制作出来的薄膜均匀性好,致密性高,和基板贴合紧密,不易脱落而且适用于各种尺寸基板需求。溅射法的溅射设备种类、外观形状也存在多样化,有立式、卧式,垂直单桶式以及垂直多桶式结构,且功能配置上也有较多可选择性。
[0003]已有技术对于电致变色的技术要求存在欠缺及制程不够专业,导致响应速度偏慢(10秒左右),无法实现并维持在亚秒量级的反应,产品寿命有限,容易发生性能降低,或功能失效,无法实现5~10年甚至更长的产品寿命,特别是制程设备十分昂贵,进行批 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于包括:制程室组:包括依次真空密封联接并相互独立的进片室、离子储存层制程室、第一搬运室、离子交换层制程室、第二搬运室、阴极变色层制程室和出片室,每个腔室均设有相对独立的门阀和真空泵等真空系统;基片架:用于放置待处理的基板;搬运系统:包括依次穿过生产线的导轨、真空升降机构、真空泵、门阀、夹紧机构、传感器与动力组件;中央控制系统:用于控制整条生产线运行。2.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于:所述离子储存层制程室内部设有用于沉积第一透明导电层ITO薄膜与NiW薄膜的阴极系统、ICP氧化源和加热系统,所述离子交换层制程室内部设有用于沉积Li薄膜的阴极系统,所述阴极变色层制程室内部设有用于沉积WO3薄膜、第二透明导电层ITO薄膜和SiOx薄膜的阴极系统、氧化源和加热系统;3.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于:所述进片室与出片室设有用于抽真空的粗抽泵组,所述离子储存层制程室、第一搬运室、离子交换层制程室、第二搬运室与阴极变色层制程室均设有数量不少于一个的TMP分子泵,所述TMP分子泵与前级泵组连接,所述第一搬运室与第二搬运室设有用于水汽凝结和吸附杂质气体的装置,包括但不限于冷阱、水汽吸收器。4.根据权利要求2所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于:所述离子储存层制程室的阴极系统包括0~3对圆柱旋转的ITO阴极系统与0~3对圆柱旋转的NiW阴极系统;所述离子交换层制程室的阴极系统为0~6对Li阴极系统,所述离子交换层制程室内还包括用于吸附真空腔室的残余气体缩短抽气时间、洁净真空腔室环境的装置,包括但不限于冷阱、水汽吸收器;所述阴极变色层制程室的阴极系统为0~4对W阴极系统、0~3对圆柱旋转的Si阴极系统和0~3对圆柱旋转的ITO阴极系统。5.根据权利要求4所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于:所述离子储存层制程室、离子交换层制程室与阴极变色层制程室内部均设有真空升降挂片机构、可旋转伞架、进气反应气体系统与真空计,所述可旋转伞架可放置数量不少于1个基板。6.根据权利要求1所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在于:所述搬运系统还包括装片站、第一平移台、第二平移台、卸片站。7.根据权利要求1~6任一所述的一种电致变色专用镀膜设备,其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐旻生,张永胜,庄炳河,张晓鹏,伍发根,杨凤鸣,
申请(专利权)人:深圳奥卓真空设备技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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