【技术实现步骤摘要】
用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法
[0001]本专利技术涉及集成电路封装
,更具体地说,本专利技术涉及用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法。
技术介绍
[0002]随着无线通信技术的快速发展,无线网络已经成为人们生活中不可或缺的一部分,为了增强无线网络信号的强度,目前多采用信号放大器来实现,例如,用于对wifi信号进行增强的wifi信号放大器。而信号放大器在使用过程中需要使用集成电路对设备进行控制。而集成电路是由IC芯片和引线框架经封装而成。引线框架起到了支撑芯片、连接外部电路以及在工作时散热等作用。随着大规模、超大规模集成电路的不断发展,对于引线框架的导电性能、力学性能、抗软化性能等的要求也越来越高。
[0003]随着微电子工业的不断发展,智能家居、穿戴设备的推陈出新,以及高性能计算机更迭日趋加快,现代电子行业不仅对集成电路的线路优化、制程工艺有较高要求,作为集成电路封装不可或缺的引线框架材料,因其承担着固定芯片、信息输出和电路散热等多重任务,在信号放大器半导体引线框架使用过程中,由于引线框架的耐热性能不足,引线框架常常发生软化现象,导致集成电路的使用寿命降低。
技术实现思路
[0004]为了克服现有技术的上述缺陷,本专利技术的实施例提供用于信号放大器的耐热型半导体引线框架及其制备方法,本专利技术所要解决的问题是:如何提高用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的耐热性能,提高用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的使用寿命。
[0005]为实现上述目的, ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.用于信号放大器的耐热型半导体引线框架,其特征在于:包括以下重量百分比的原料:铁0.25
‑
0.65%、磷0.005
‑
0.015%、铬0.5
‑
1.5%、钒0.1
‑
0.6%、镍0.3
‑
0.6%、铈0.1
‑
0.5%、锡1.2
‑
2.6%、镁0.2
‑
0.6%、铍0.2
‑
0.6%,余量为铜和不可避免的杂质。2.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架,其特征在于:包括以下重量百分比的原料:铁0.35
‑
0.55%、磷0.008
‑
0.012%、铬0.8
‑
1.2%、钒0.3
‑
0.4%、镍0.4
‑
0.5%、铈0.2
‑
0.4%、锡1.7
‑
2.1%、镁0.3
‑
0.5%、铍0.3
‑
0.5%,余量为铜和不可避免的杂质。3.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架,其特征在于:包括以下重量百分比的原料:铁0.45%、磷0.01%、铬1%、钒0.35%、镍0.45%、铈0.3%、锡1.9%、镁0.4%、铍0.4%,余量为铜和不可避免的杂质。4.根据权利要求1所述的用于信号放大器的耐热型半导体引线框架,其特征在于:所述不可避免的杂质≤0.005,所述铍和铈的含量分别为锡含量的(0.15
‑
0.2%)与(0.1
‑
0.5)。5.用于信号放大器的耐热型半导体引线框架的制备方法,其特征在于:具体制备步骤如下:步骤一:按照上述重量百分比称取各原料,将称取的原料投入到真空非自耗电极电弧熔炼炉内进行熔炼,向真空非自耗电极电弧熔炼炉内充入氩气至压强为40
‑
46KPa,将真空非自耗电极电弧熔炼炉内部的温度升高至1350
‑
1420℃,得到液态合金液;步骤二:将步骤一中的液态合金液取样测量各元素的百分含量,使得液态合金液中各元素配比准确后将液态合金液浇注于模具中,然后冷却至室温得到合金铸锭;步...
【专利技术属性】
技术研发人员:殷华强,
申请(专利权)人:江苏恒盈电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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