零电压开关半桥直流-直流变换器拓扑制造技术

技术编号:3379082 阅读:222 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种由工作周期变化的脉宽调制控制的半桥零电压开关直流-直流变换器,具有初级侧、次级侧和将初级侧连接到次级侧上的变压器。初级侧具有连接到变压器初级绕组上的第一和第二初级开关;和辅助支路,其具有连接到第一和第二初级开关的结上的一侧和连接到公共端上的第二侧。辅助支路包括接地辅助开关,当第一和第二初级开关之一导通时其导通以便在该初级开关关断时俘获变压器中的漏电感能量,然后关断以便释放俘获的漏电感能量来为另一个初级开关提供零电压开关条件。在辅助开关导通时导通的第一和第二初级开关之一可由工作周期变化的脉宽调制控制以便为该初级开关提供零电压开关条件。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及直流-直流变换器,更特别涉及高密、高频和高效的零电压开关(“ZVS”)半桥直流-直流变换器。
技术介绍
由于对功率密度更高的功率变换(power conversion)和对更好动力性能需求的日益增加,因此需要进一步增大直流-直流变换器中的开关频率以便减少无源元件的尺寸和成本。增大的开关频率增大了元件的电流应力、电压应力和脉宽调制(“PWM”)控制的直流-直流变换器中的开关损耗(switching loss)。零电压开关直流-直流变换器因为是零电压开关,而具有较低的开关损耗,因而具有较高的效率。在ZVS直流-直流变换器当中,移相的ZVS全桥是较具有吸引力的,因为其通过利用变压器的漏电感和MOSEFT(金属氧化物半导体场效应晶体管)开关的结电容(junction capacitance)就能够允许所有开关在零电压开关下工作,而无需增加辅助开关来实现零电压开关。但是全桥的复杂性对其广泛应用而言是个阻碍,对于低功率电平而言尤其如此。对于低功率电平来说,相对于全桥而言半桥由于其简单性而更具有吸引力。常规的对称PWM半桥直流-直流变换器是在硬开关条件下工作。也就是说,当选通时无本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半桥直流-直流变换器,包括:初级侧、次级侧和将所述初级侧连接到所述次级侧的变压器;所述初级侧包括连接到所述变压器初级绕组上的第一和第二初级开关;辅助支路,其具有连接到所述第一和第二初级开关的结上的一侧和连接到公共 端上的第二侧,所述辅助支路包括辅助开关,其能够转换到第一状态以俘获所述变压器中的漏电感能量,和转换到第二状态以释放所述变压器的漏电感能量,以为所述第一和第二初级开关之一提供零电压开关条件。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:I巴塔尔塞H毛JA卡欧克
申请(专利权)人:雅达电子国际有限公司
类型:发明
国别省市:HK[中国|香港]

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