【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
0001使用绝缘栅双极晶体管(IGBT)和类似的开关器件的逆变桥的故障处理,诸如与三相交流电机一起使用的逆变桥。 相关技术描述 0002逆变桥提供受控的能量以驱动感性负载。逆变桥内的多个开关顺序地开关来改变逆变桥的输出电压。输出一般为三相交流电压。公布于2002年5月10日的PCT出版物WO 02/37654 A2和公布于2004年2月19日的WO 2004/015851 A2对逆变桥的拓扑结构、顺序开关方案、和电路及执行顺序开关方案的过程的一般背景进行了描述,这里以参考文献形式并入这些申请的内容。示例的三电平逆变桥的拓扑结构图解说明于图1。0003在常规的逆变桥中,故障状况(短路)的特征可分为两类。第一类为类型I故障。类型I故障一般为驱动器内部的故障(例如,IGBT损坏或低电感输出故障)。低阻抗造成通过IGBT的电流(di/dt)增加很大,驱使IGBT去饱和(desaturate)。0004当检测到类型I故障时,顺序地命令逆变桥的开关到断开状态。因为开关没有饱和,电流衰减很慢,不会产生可观的电压尖峰。因此,很容易处理两电平逆变桥的类型I故障,本领域已经 ...
【技术保护点】
一种控制具有三个支路的三相逆变桥的方法,每一支路作为三相输出中的一相驱动感性负载,所述逆变桥具有“L”个母线电压电平L≥2,其中,L个电平中的一个为最高负母线电压,L电平中的一个为最高正母线电压,每一支路包括两个半支路,第一二分之一 支路包括连接在所述最高正母线电压和各自的相输出之间的晶体管开关,和第二二分之一支路包括连接在所述最高负母线电压和相应的相输出之间的晶体管开关,其中,在半支路中,外面定义为指向所述最高正母线电压或最高负母线电压,里面定义为指向所述相输 出,其中对每一支路,所述方法包括:将所述逆变桥的三相输出中的一相的瞬时输出电流I↓[ ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员:G野岛,
申请(专利权)人:SMC电子产品有限公司,
类型:发明
国别省市:US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。