一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法技术

本发明专利技术公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤：(1)准备温度控片；(2)反应腔升温并进行HCL清洁；(3)冷却至室温，装入温度控片；(4)以恒定的升温速率升温至1150

【技术实现步骤摘要】
一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法


[0001]本专利技术涉及硅外延控制方法的
，具体是涉及一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法。

技术介绍

[0002]BCD(Bipolar CMOS DMOS)工艺是一种集成双极管、CMOS和DMOS器件的工艺技术。BCD工艺流程中经过多道高温、注入、光刻等多道工艺工序后，表面产生大量内生应力和缺陷，最终可能导致器件漏电、击穿而失效报废。通过外延一层单晶硅，不仅可以有效控制器件表面的质量，提升器件良率，同时还能增加期间的耐压等特性，全面提升器件的性能。目前，集成电路类常压外延工艺均采用超高温工艺，以降低外延过程对于图形畸变和漂移，同时绝大多数BCD工艺制程中均使用低掺B的硅片(电阻率：0.5
‑
100Ω
·
cm)作为基底。这类硅片热导率比较低，同时由于Si
‑
B晶体力学特征，在高温制程作用下会产生大量热应力无法释放，再次进入高温外延过程后，会发生位错滑移运动，特别是垂直方向上的攀移运动，从而产生滑移线。滑移线的一直是BCD本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)准备温度控片；采用轻掺B硅片进行干氧氧化，氧化后注入原子Ph形成温度控片；(2)外延炉反应腔升温至1160
‑
1200℃后，对反应腔进行HCL清洁；(3)清洁完毕，冷却外延炉反应腔至室温，装入温度控片；(4)反应腔以恒定的升温速率升温至预设烘烤温度，在H2氛围下进行恒温烘烤；(5)烘烤完成后，待反应腔自然冷却至室温取出温度控片进行化学处理获得去除氧化层的温度控片；(6)对去除氧化层的温度控片进行电阻率测试，分别获得温度控片各区域温度分布；计算温度控片其余区域与中心区域的温度差，对温度控片其余区域进行温度补偿；(7)清洗待外延的硅片并重复步骤(2)的操作后，待反应腔温度冷却至预设温度，将待外延的硅片放入反应腔；反应腔以步骤(4)中的升温速率升温至预设烘烤温度并同步进行步骤(6)中的温度补偿操作，在H2氛围下进行恒温烘烤；恒温烘烤完成后，调整反应腔温度至生长温度，通入SiHCl3、H2并掺杂，外延生长至目标厚度和目标电阻率。2.根据权利要求1所述的BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法，其特征在于，步骤(1)中进行干氧氧化之前使用清洗液对轻掺B硅片进行清洗；所述干氧氧化的氧化层厚度为：300
‑
600A；所述注入原子Ph的工艺包括：注入能量60
‑
100KeV，注入浓度5
‑
10E13 atoms/cm3，注入角度0
‑
10
°
。3.根据权利要求1所述的BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法，其特征在于，步骤(4)中升温速率为3
‑
8℃/s；恒温烘烤时间为60
‑
200s。...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢进，邓雪华，王银海，郭佳龙，
申请(专利权)人：南京盛鑫半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：