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一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法技术
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文档序号:33778982
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本发明公开了一种BCD工艺用超高温条件下滑移线的外延控制方法,包括步骤:(1)准备温度控片;(2)反应腔升温并进行HCL清洁;(3)冷却至室温,装入温度控片;(4)以恒定的升温速率升温至1150
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该专利属于南京盛鑫半导体材料有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过南京盛鑫半导体材料有限公司授权不得商用。
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