一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本申请实施例公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板包括：衬底；第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交的侧壁以及与所述衬底接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板


[0001]本申请涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。

技术介绍

[0002]在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的专利技术人发现，随着AMOLED(英语：Active
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matrix organic light
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emitting diode，中译：有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)技术发展，Top Gate(顶栅)Self
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align(自对准)IGZO TFT(铟镓锌氧化物阵列基板)广泛应用于大尺寸OLED背板，该结构通常会先做一层金属遮光层，随后的栅极电极和源/漏电极会在遮光层上有搭接爬坡，搭接处有裂痕风险造成后续制程异常。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可以解决现有技术中金属走线对应遮光层处存在搭接异常的技术问题。
[0004]本申请实施例提供一种阵列基板，包括：衬底；第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；第一金属层，设于所述衬底的一侧表面上，所述第一金属层包括与所述衬底相交的侧壁以及与所述衬底接触的底面，所述侧壁与所述底面的夹角为30
°
～50
°
；绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层，所述绝缘层对应所述第一金属层处设有一凸起，所述凸起的侧壁与所述凸起底面的夹角为30
°
～50
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；第二金属层，覆盖所述凸起的外表面并延伸至所述绝缘层远离所述第一金属层的一侧表面。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层包括第一绝缘层，设于所述衬底的所述表面上，且覆盖所述第一金属层；第二绝缘层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括间隔设置的第一金属单元和第二金属单元，所述第二金属层对应设于所述第一金属单元上方。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括有源层，设于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧表面，且对应第二金属单元；栅极，设于所述有源层远离所述第二金属单元的一侧表面，所述栅极的侧壁与所述栅极的底面的夹角为30
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～50
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；栅极绝缘层，设于所述栅极远离所述有源层的一侧表面，第二绝缘层覆盖所述栅极绝缘层、所述栅极和所述有源...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕东旭，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：