电致发光显示装置制造方法及图纸

技术编号:33764982 阅读:60 留言:0更新日期:2022-06-12 14:15
一种电致发光显示装置,其包括:包含发射区和围绕发射区的非发射区的基板;在基板上方形成的平坦化层;设置在平坦化层上方的发光器件,其与发射区重叠并包含阳极电极;以及分离层,其设置为在平坦化层上方与阳极电极间隔开并设置为在一个发射区和与该发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向或第二方向,其中,平坦化层形成为与非发射区的至少一部分重叠,并包含通过去除平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分,沟槽部分在非发射区中至少部分地与阳极电极和分离层中的每一个的端部重叠,发光器件进一步包含在阳极电极上方依次形成的发光层和阴极电极,并且发光层和阴极电极不连续地形成于沟槽部分中。部分中。部分中。

【技术实现步骤摘要】
电致发光显示装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2020年12月9日提交的韩国专利申请No.10

2020

0171531的权益,该韩国专利申请通过引用被并入,如同其完整地在本文中被阐述一样。


[0003]本公开涉及一种电致发光显示装置,尤其是,涉及一种具有减小的横向(侧向)泄露电流和改善的开口率的电致发光显示装置。

技术介绍

[0004]随着信息社会的发展,对用于显示图像的显示装置的需求以各种形式增加,并且近年来,诸如液晶显示器(LCD)、等离子体显示器以及有机发光显示器(OLED)的各种显示装置已经被使用。
[0005]电致发光显示装置包含阵列器件和发光器件。阵列器件包含连接到栅极线和数据线的开关薄膜晶体管(TFT)以及连接到发光器件的至少一个驱动薄膜晶体管(TFT),并且发光器件包含连接到驱动薄膜晶体管(TFT)的像素电极、发光层和阴极电极。
[0006]然而,在具有上述配置的电致发光显示装置中,根据技术的发展,像素结构被集成化,这可能导致在相邻发射区之间发生(或出现)横向泄漏电流的问题,并且为了减小这种横向泄漏电流,可以应用在发射区之间以所需距离间隔开的结构,这可能导致开口率降低的问题。

技术实现思路

[0007]因此,本公开旨在提供一种电致发光显示装置,其基本上避免或消除由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或多个问题。
[0008]本公开的一方面旨在提供一种电致发光显示装置,其采用能够通过减小相邻发射区之间可能发生的横向泄漏电流来改善可靠性的结构。
[0009]本公开的另一方面旨在提供一种电致发光显示装置,其能够通过应用用于减小横向泄漏电流的结构来改善开口率。
[0010]本公开的附加优点和特征将部分地在以下描述中进行阐述,并且部分地在阅读了以下描述后对本领域普通技术人员而言将变得显而易见,或者可以从本公开的实践中获悉。本公开的目标和其他优点可以通过关于其的书面描述和权利要求以及附图中特别给出的结构来实现和获得。
[0011]为了获得这些和其他优点并根据本公开的目的,如本文中所体现和宽泛地描述,提供了一种电致发光显示装置,其包含(包括):包含发射区和围绕发射区的非发射区的基板;在基板上方形成的平坦化层;设置在平坦化层上方的发光器件,其与发射区重叠并且包含阳极电极;以及分离层,其设置为在平坦化层上方与阳极电极间隔开,并且设置为在一个发射区和与该发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向
或第二方向,其中,平坦化层被形成为与非发射区的至少一部分重叠,并且包含通过去除平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分,该沟槽部分在非发射区中至少部分地与阳极电极和分离层中的每一个的端部重叠,该发光器件进一步包含在阳极电极上方依次形成的发光层和阴极电极,并且发光层和阴极电极不连续地形成于沟槽部分中。
[0012]在另一实施例中,一种显示装置包含:包含多个子像素的多个发射区的基板,所述多个发射区包含第一子像素的第一发射区和第二子像素的第二发射区,所述第一子像素的第一发射区和所述第二子像素的第二发射区之间设置有非发射区;所述基板上的平坦化层,所述平坦化层具有邻近所述第一发射区的第一沟槽、邻近所述第二发射区的第二沟槽以及至少所述平坦化层的设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的部分;在至少所述第一发射区中设置在所述平坦化层的第一上表面上的第一发光器件和在至少所述第二发射区中设置在所述平坦化层的第二上表面上的第二发光器件;以及设置在所述平坦化层的所述部分上的至少一个分离层,其中所述至少一个分离层的至少一个端部超出所述平坦化层的所述部分的侧表面地突出。
[0013]应当理解,本公开的前述一般描述和以下详细描述均为示例性和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的公开的进一步解释。
附图说明
[0014]被包含以提供对本公开的进一步理解并且被并入且构成本申请的一部分的附图图示出了本公开的实施例并且连同说明书一起用于解释本公开的原理。
[0015]图1是根据本公开的实施例的电致发光显示装置的平面图;
[0016]图2是图示出根据本公开的实施例的图1的区域A的平面图;
[0017]图3是根据本公开的实施例的沿图2的线I

I'截取的横截面图;
[0018]图4是示出根据本公开的另一实施例的图1的区域A的平面图;
[0019]图5是根据本公开的实施例的沿图4的线II

II'截取的横截面图;
[0020]图6是根据本公开的另一实施例的电致发光显示装置的平面图;
[0021]图7是图示出根据本公开的实施例的图6的区域B的平面图;
[0022]图8是根据本公开的实施例的沿图7的线III

III'截取的横截面图;
[0023]图9是图示出根据本公开的另一实施例的图6的区域B的平面图;
[0024]图10是根据本公开的实施例的沿图9的线II

II'截取的横截面图;
[0025]图11是根据本公开的另一实施例的电致发光显示装置的平面图;
[0026]图12是图示出根据本公开的实施例的图11的区域C的平面图;
[0027]图13是根据本公开的实施例的沿图12的线I

I'截取的横截面图;
[0028]图14A至14F是图示出根据本公开的实施例的电致发光显示装置的制造方法的视图;以及
[0029]图15是利用扫描电子显微镜拍摄的包含沟槽部分的平坦化层和分离层的结构的照片。
具体实施方式
[0030]现在将对本公开的实施例进行详细参考,所述实施例的示例在附图中被图示。在
整个附图中,将尽可能使用相同的附图标记来指代相同或类似的部分。
[0031]本公开的优点和特征及其实现方法将通过参考附图描述的以下实施例来阐明。然而,本公开可以以不同形式体现,并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。相反,这些实施例被提供,以便本公开将是彻底和完整的,并且向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。此外,本公开仅由权利要求的范围限定。
[0032]在用于描述本公开的实施例的附图中公开的形状、尺寸(大小)、比率、角度、数字仅仅为示例,并且因此,本公开不限于图示的细节。在整个说明书中,相同的附图标记始终指代相同的元件。在以下描述中,当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本公开的要点时,将省略此详细描述。在使用本公开中描述的“包括”、“具有”和“包含”的情况下,除非使用“仅~”,否则可以添加另一部分。除非另有说明,否则单数形式的术语可以包括复数形式。
[0033]在解释元件时,尽管没有明确的描述,该元件被解释为包含误差范围。
[0034]在描述位置关系时,例如,当两个部分之间的位置关系被描述为“在~上”、“在~上方”、“在~下方”和“在~附近”时,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电致发光显示装置,其包括:包含发射区和围绕所述发射区的非发射区的基板;在所述基板上方形成的平坦化层;设置在所述平坦化层上方的发光器件,其与所述发射区重叠,并且包含阳极电极;以及分离层,其设置为在所述平坦化层上方与所述阳极电极间隔开,并且设置为在一个发射区和与所述一个发射区相邻的另一发射区之间的非发射区的至少一部分中平行于第一方向或第二方向,其中,所述平坦化层被形成为与所述非发射区的至少一部分重叠,并且包含通过去除所述平坦化层的至少一部分而形成的沟槽部分,所述沟槽部分在所述非发射区中至少部分地与所述阳极电极和所述分离层中的每一个的端部重叠,所述发光器件进一步包含在所述阳极电极上方依次形成的发光层的一部分和阴极电极的一部分,并且所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分不连续地形成于所述沟槽部分中,并且与所述平坦化层上的所述发光层的另一部分和所述阴极电极的另一部分断开。2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述分离层包含不同于所述阳极电极的材料。3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中:所述阳极电极包含透明导电氧化物,以及所述分离层包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氮氧化硅(SiON)中的至少一种。4.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述沟槽部分包含:第一沟槽部分,其设置为邻近所述一个发射区;以及第二沟槽部分,其设置为邻近与所述一个发射区相邻的所述另一发射区。5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中:所述第一沟槽部分与所述分离层的一个端部重叠并且与所述一个发射区的阳极电极的一个端部重叠,以及所述第二沟槽部分与所述分离层的另一端部重叠并且与所述另一发射区的阳极电极的一个端部重叠。6.根据权利要求5所述的电致发光显示装置,进一步包括:堤部,其设置在所述平坦化层上方并且设置为围绕所述发射区的外侧,其中所述堤部与所述沟槽部分的至少一部分重叠。7.根据权利要求6所述的电致发光显示装置,其中:邻近所述一个发射区设置的堤部与所述第一沟槽部分的一个侧表面重叠并且至少部分地与所述第一沟槽部分的底表面重叠,以及邻近所述另一发射区设置的堤部与所述第二沟槽部分的一个侧表面重叠并且至少部分地与所述第二沟槽部分的底表面重叠。8.根据权利要求6所述的电致发光显示装置,其中:所述发光层的所述一部分和所述阴极电极的所述一部分被设置为与所述堤部重叠,以及
所述发光层的所述另一部分和所述阴极电极的所述另一部分被设置为与所述分离层重叠。9.根据权利要求4所述的电致发光显示装置,其中:所述分离层包含形成为彼此间隔开的第一分离层和第二分离层,以及所述平坦化层进一步包含在所述第一分离层和所述第二分离层之间形成并通过去除所述平坦化层的至少一部分而形成的第三沟槽部分。10.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中所述第三沟槽部分与所述第一分离层和所述第二分离层的至少一部分重叠。11.根据权利要求9所述的电致发光显示装置,其中所述阳极电极包含透明导电氧化物,并且所述第一分离层和所述第二分离层包含氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiN)和氧氮化硅(SiN)中的至少一种。12.根据权利要求1所述的电致发光显示装置,其中所述分离层包含分离层未形成区,在所述分离层未形成区中,所述分离层的至少一部分被形成为在所述第一方向或所述第二方向上具有不连续结构。13.根据权利要求12所述的电致发光显示装置,其中所述阴极电极公共...

【专利技术属性】
技术研发人员:崔浩源
申请(专利权)人:乐金显示有限公司
类型:发明
国别省市:

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