显示装置、显示模块及电子设备制造方法及图纸

显示装置包括包含受光元件及第一晶体管的第一像素电路以及包含发光元件及第二晶体管的第二像素电路。受光元件在第一像素电极和公共电极之间包括活性层，发光元件在第二像素电极和公共电极之间包括发光层。第一像素电极和第二像素电极位于同一面上。活性层和发光层包含互不相同的有机化合物。第一晶体管的源极或漏极与第一像素电极电连接，第二晶体管的源极或漏极与第二像素电极电连接。第一晶体管包括含有金属氧化物的第一半导体层，第二晶体管包括含有多晶硅的第二半导体层。包括含有多晶硅的第二半导体层。包括含有多晶硅的第二半导体层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】显示装置、显示模块及电子设备


[0001]本专利技术的一个实施方式涉及一种显示装置。本专利技术的一个实施方式涉及一种具有摄像功能的显示装置。
[0002]注意，本专利技术的一个实施方式不局限于上述
作为本说明书等所公开的本专利技术的一个实施方式的
的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电子设备、照明装置、输入装置、输入/输出装置、这些装置的驱动方法或这些装置的制造方法。半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。

技术介绍

[0003]近年来，显示装置被用于信息终端设备(例如，智能手机、平板终端、笔记本型个人计算机(PC))、电视装置、显示装置等各种设备。另外，近年来，显示装置除了显示图像的功能之外还被要求各种功能，诸如触摸面板的功能、拍摄指纹以进行识别的功能等。
[0004]作为显示装置，对具备发光元件的发光装置已在进行研发。利用电致发光现象的发光元件(以后记载为“EL元件”)具有容易实现薄型轻量化、能够高速地响应输入信号以及能够由直流低电压电源驱动等特征，因此被应用于显示装置。例如，专利文献1公开了应用有机EL元件的具有柔性的发光装置。[参考文献][专利文献][0005]专利文献1：日本专利申请公开第2014
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197522号公报

技术实现思路

[0006]本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种具有摄像功能的显示装置。本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种功能性高的显示装置。本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种可以以高显示质量显示图像的显示装置。本专利技术的一个实施方式的目的之一是提供一种可以拍摄良好图像的显示装置。
[0007]注意，上述目的的记载并不妨碍其他目的的存在。本专利技术的一个实施方式不一定需要实现所有上述目的。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的目的。
[0008]本专利技术的一个实施方式是包括第一像素电路及第二像素电路的显示装置。第一像素电路包括受光元件及第一晶体管。第二像素电路包括发光元件及第二晶体管。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件包括第二像素电极、发光层及公共电极。第一像素电极和第二像素电极位于同一面上。活性层位于第一像素电极上并包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上并包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极具有隔着活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一像素电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第二像素电极电连接。第一晶体管及第二晶体管各自在半导体层中含有多
晶硅。
[0009]在上述结构中，第一晶体管及第二晶体管优选包括隔着半导体层重叠的第一栅极和第二栅极。此时，优选第一栅极和第二栅极电连接。
[0010]本专利技术的其他一个实施方式是包括第一像素电路及第二像素电路的显示装置。第一像素电路包括受光元件及第一晶体管。第二像素电路包括发光元件及第二晶体管。受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极。发光元件包括第二像素电极、发光层及公共电极。第一像素电极和第二像素电极位于同一面上。活性层位于第一像素电极上并包含第一有机化合物。发光层位于第二像素电极上并包含与第一有机化合物不同的第二有机化合物。公共电极具有隔着活性层与第一像素电极重叠的部分以及隔着发光层与第二像素电极重叠的部分。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一像素电极电连接，第二晶体管的源极和漏极中的一个与第二像素电极电连接。第一晶体管包括含有金属氧化物的第一半导体层，第二晶体管包括含有多晶硅的第二半导体层。
[0011]在上述结构中，第一晶体管优选包括位于第一半导体层上的第三栅极以及隔着第一半导体层与第三栅极重叠的第四栅极。第二晶体管优选包括位于第二半导体层上的第五栅极以及隔着第二半导体层与第五栅极重叠的第六栅极。此时，优选的是，第四栅极和第五栅极位于同一面上并包含同一金属元素。
[0012]在上述结构中，优选的是，第一晶体管的源极及漏极以及第二晶体管的源极及漏极位于同一面上并包含同一金属元素。
[0013]此外，在上述结构中，优选包括公共层。此时，公共层优选具有在第一像素电极和公共电极之间与活性层重叠的部分以及在第二像素电极和公共电极之间与发光层重叠的部分。
[0014]另外，在上述结构中，优选包括第一公共层及第二公共层。此时，第一公共层优选具有位于第一像素电极和活性层之间的部分以及位于第二像素电极和发光层之间的部分。另外，第二公共层优选具有位于活性层和公共电极之间的部分以及位于发光层和公共电极之间的部分。
[0015]在上述结构中，第一像素电路优选包括第三晶体管。此时，第三晶体管优选在半导体层中包含多晶硅。
[0016]在上述结构中，第二像素电路优选包括第四晶体管。此时，第四晶体管优选在半导体层中包含金属氧化物。
[0017]在上述结构中，优选包括第一衬底及第二衬底。此时，第一晶体管及第二晶体管优选位于第一衬底和第二衬底之间。另外，优选的是，第一像素电极位于第一晶体管和第二衬底之间，第二像素电极位于第二晶体管和第二衬底之间。另外，第一衬底及第二衬底优选具有柔性。
[0018]本专利技术的其他一个实施方式是一种显示模块，该显示模块包括上述中的任一个显示装置、连接器或集成电路。
[0019]本专利技术的其他一个实施方式是一种电子设备，该电子设备包括上述显示模块、以及天线、电池、框体、照相机、扬声器、麦克风和操作按钮中的至少一个。
[0020]根据本专利技术的一个实施方式可以提供一种具有摄像功能的显示装置。另外，根据本专利技术的一个实施方式可以提供一种功能性高的显示装置。另外，根据本专利技术的一个实施
方式可以提供一种可以以高显示质量高显示图像的显示装置。另外，根据本专利技术的一个实施方式可以提供一种可以拍摄良好图像的显示装置。
[0021]注意，上述效果的记载并不妨碍其他效果的存在。本专利技术的一个实施方式不一定需要具有所有上述效果。可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述效果以外的效果。
附图说明
[0022]在附图中：图1A示出显示装置的结构例子，图1B及图1C是像素电路的电路图；图2A及图2B各自是说明显示装置的驱动方法的时序图；图3A及图3B各自是像素电路的电路图；图4A至图4C各自是像素电路的电路图；图5A及图5B各自是显示装置的截面示意图；图6A及图6B各自是显示装置的截面示意图；图7A、图7B、图7D、图7F至图7H示出显示装置的结构例子，图7C及图7E示出图像的例子；图8A至图8D说明显示装置的结构例子；图9A至图9C各自说明显示装置的结构例子；图10A及图10B说明显示装置的结构例子；图11A至图11C各自说明显示装置的结构例子；图12说明显示装置的结构例子；图13说明显示装置的结构例子；图14说明显示装置的结构例子；图15A说明显示系统的结构例子，图15B及图15C说明显示系统的使用例子；图16A及图16B示出电子设本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种显示装置，包括：第一像素电路；以及第二像素电路，其中，所述第一像素电路包括受光元件及第一晶体管，所述第二像素电路包括发光元件及第二晶体管，所述受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极，所述发光元件包括第二像素电极、发光层及所述公共电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于同一面上，所述活性层位于所述第一像素电极上，所述活性层包含第一有机化合物，所述发光层位于所述第二像素电极上，所述发光层包含与所述第一有机化合物不同的第二有机化合物，所述公共电极具有隔着所述活性层与所述第一像素电极重叠的部分以及隔着所述发光层与所述第二像素电极重叠的部分，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一像素电极电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二像素电极电连接，并且，所述第一晶体管及所述第二晶体管各自在半导体层中含有多晶硅。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一晶体管及所述第二晶体管各自包括隔着所述半导体层重叠的第一栅极和第二栅极，并且所述第一栅极和所述第二栅极电连接。3.一种显示装置，包括：第一像素电路；以及第二像素电路，其中所述第一像素电路包括受光元件及第一晶体管，所述第二像素电路包括发光元件及第二晶体管，所述受光元件包括第一像素电极、活性层及公共电极，所述发光元件包括第二像素电极、发光层及所述公共电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于同一面上，所述活性层位于所述第一像素电极上，所述活性层包含第一有机化合物，所述发光层位于所述第二像素电极上，所述发光层包含与所述第一有机化合物不同的第二有机化合物，所述公共电极具有隔着所述活性层与所述第一像素电极重叠的部分以及隔着所述发光层与所述第二像素电极重叠的部分，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一像素电极电连接，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个与所述第二像素电极电连接，所述第一晶体管包括含有金属氧化物的第一半导体层，并且，所述第二晶体管包括含有多晶硅的第二半导体层。
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【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，冈崎健一，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：